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1.
研究了Si3N4层在ZrN/Si3N4纳米多层膜中的晶化现象及其对多层膜微结构与力学性能的影响. 一系列不同Si3N4层厚度的ZrN/Si3N4纳米多层膜通过反应磁控溅射法制备. 利用X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的微结构和力学性能. 结果表明,由于受到ZrN调制层晶体结构的模板作用,溅射条件下以非晶态存在的Si3N4层在其厚度小于0.9 nm时被强制晶化为NaCl结构的赝晶体,ZrN/Si3N4纳米多层膜形成共格外延生长的柱状晶,并相应地产生硬度升高的超硬效应. Si3N4随层厚的进一步增加又转变为非晶态,多层膜的共格生长结构因而受到破坏,其硬度也随之降低.  相似文献   
2.
采用 V 和 SiO2 靶通过反应溅射方法制备了一系列具有不同 SiO2 和 VN 调制层厚的 VN/SiO2 纳米多层膜.利用X射线衍射、X射线能量色散谱、高分辨电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的微结构和力学性能.结果表明:在Ar,N2混和气体中,射频反应溅射的SiO2薄膜不会渗氮.单层膜时以非晶态存在的SiO2,当其厚度小于1 nm时,在多层膜中因VN晶体层的模板效应被强制晶化,并与VN层形成共格外延生长.相应地,多层膜的硬度得到明显提高,最高硬度达34 GPa.随SiO2层厚度的进一步增加,SiO2层逐渐转变为非晶态,破坏了与VN层的共格外延生长结构,多层膜硬度也随之降低.VN调制层的改变对多层膜的生长结构和力学性能也有影响,但并不明显.  相似文献   
3.
岳建岭  孔明  赵文济  李戈扬 《物理学报》2007,56(3):1568-1573
采用V和SiO2靶通过反应溅射方法制备了一系列具有不同SiO2和VN调制层厚的VN/SiO2纳米多层膜. 利用X射线衍射、X射线能量色散谱、高分辨电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的微结构和力学性能. 结果表明:在Ar,N2混和气体中,射频反应溅射的SiO2薄膜不会渗氮. 单层膜时以非晶态存在的SiO2,当其厚度小于1nm时,在多层膜中因VN晶体层的模板效应被强制晶化,并与VN层形成共格外延生长. 相应地,多层膜的硬度得到明显提高,最高硬度达34GPa. 随SiO2层厚度的进一步增加,SiO2层逐渐转变为非晶态,破坏了与VN层的共格外延生长结构,多层膜硬度也随之降低. VN调制层的改变对多层膜的生长结构和力学性能也有影响,但并不明显. 关键词: 2纳米多层膜')" href="#">VN/SiO2纳米多层膜 共格外延生长 非晶晶化 超硬效应  相似文献   
4.
以碳纤维作为柔性衬底和电极材料,通过溶胶凝胶法在其表面镀覆TiO2阻变活性层,进而通过“十”字搭接制备成柔性纤维忆阻器(TiO2@Cf)。采用X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱等测试手段对TiO2@Cf结构进行表征并对其忆阻特性及阻变机理进行研究。结果表明:碳纤维上的TiO2涂层为锐钛矿型晶体结构,其氧空位的浓度约为19.5%;制备的TiO 2@Cf柔性忆阻器为突变型忆阻器,其高低阻态阻值开关比可达104;经过疲劳耐受性测试,忆阻器件的高低阻态开关比稳定在2个数量级左右。TiO2@Cf忆阻器的机理表现为:在高阻态和低阻态时是以欧姆导电为主导的载流子输运机制,其阻态转变机制与氧空位导电细丝的形成和断裂有关。制备的TiO2@Cf柔性忆阻器在一定程度上具有柔性弯曲变形,同时满足可编织、穿戴等功能。  相似文献   
5.
刘艳  董云杉  岳建岭  李戈扬 《物理学报》2006,55(11):6013-6019
采用Zr靶和Al2O3靶通过在Ar,N2混合气氛中进行反应磁控溅射的方法制备了不同AlON调制层厚和不同ZrN调制层厚的两个系列的ZrN/AlON纳米多层膜.利用X射线能量色散谱仪、X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜和微力学探针研究了多层膜的成分、微结构和力学性能.结果表明,在Ar,N2混合气氛中对Al2O3进行溅射的过程中,N原子会部分取代Al2O3中的氧原子,形成AlON化合物.在ZrN/AlON纳米多层膜中,由于受到ZrN晶体调制层的模板作用,溅射条件下以非晶态存在的AlON层在其厚度小于0.9nm时被强制晶化并与ZrN层形成共格外延生长;相应地,多层膜的硬度明显提高,最高硬度达到33.0GPa.进一步增加多层膜中AlON调制层的厚度,AlON层形成非晶结构,破坏了多层膜的共格外延生长,导致其硬度逐步降低. 关键词: ZrN/AlON纳米多层膜 外延生长 非晶晶化 力学性能  相似文献   
6.
研究了Si3N4层在ZrN/Si3N4纳米多层膜中的晶化现象及其对多层膜微结构与力学性能的影响.一系列不同Si3N4层厚度的ZrN/Si3N4纳米多层膜通过反应磁控溅射法制备.利用X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的微结构和力学性能.结果表明,由于受到ZrN调制层晶体结构的模板作用,溅射条件下以非晶态存在的Si3N4层在其厚度小于0.9 nm时被强制晶化为NaCl结构的赝晶体,ZrN/Si3N4纳米多层膜形成共格外延生长的柱状晶,并相应地产生硬度升高的超硬效应.Si3N4随层厚的进一步增加又转变为非晶态,多层膜的共格生长结构因而受到破坏,其硬度也随之降低.  相似文献   
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