石墨和纳米碳中缺陷和电子密度随温度的变化

测量了石墨和纳米碳在不同温度下的正电子寿命谱,研究了石墨和纳米碳中缺陷和电子密度随温度的变化.结果表明,纳米碳中缺陷的开空间和缺陷浓度分别大于和高于石墨晶体;纳米碳的平均自由电子密度低于石墨晶体.当温度从25K升至295K时,石墨和纳米碳中的平均自由电子密度随温度的升高而下降:石墨晶体中的自由电子密度随温度的升高变化较小;纳米碳的自由电子密度随温度的升高变化较大.随着温度的升高,石墨和纳米碳中的热空位数量增多,而且这些空位可迁移至微孔洞的内表面使微孔洞的开空间增大.     

气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心

利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10~(-15)cm~2。在未有意掺杂的InP0.9751Bi0.0249中测量到一个少数载流子深能级中心H1,H1的能级位置为Ev+0.31 eV,俘获截面为2.87×10~(-17)cm~2。深中心E1应该起源于本征反位缺陷PIn,深中心H1可能来源于形成的Bi原子对或者更复杂的与Bi相关的团簇。明确这些缺陷的起源对于InPBi材料在器件应用方面具有重要的意义。     

Low-temperature characteristics of two-color InAs/InP quantum dots laser

We report on the lasing characteristics of a two-color InAs/InP quantum dots(QDs)laser at a low tem-perature.Two lasing peaks with a tunable gap are simultaneously observed.At a low temperature of 80 K,a tunable range greater than a 20-nm wavelength is demonstrated by varying the injection current from 30 to 500 mA.Under a special condition,we even observe three lasing peaks,which are in contrast to those observed at room temperature.The temperature coefficient of the lasing wavelength was obtained for the two colors in the 80?280 K temperature range,which is lower than that of the reference quantum well(QW)laser working in the same wavelength region.     

High-performance InAs/GaAs quantum dot laser with dot layers grown at 425℃

We investigate InAs/GaAs quantum dot(QD) lasers grown by gas source molecular beam epitaxy with different growth temperatures for InAs dot layers.The same laser structures are grown,but the growth temperatures of InAs dot layers are set as 425 and 500 ℃,respectively.Ridge waveguide laser diodes are fabricated,and the characteristics of the QD lasers are systematically studied.The laser diodes with QDs grown at 425℃ show better performance,such as threshold current density,output power,internal quantum efficiency,and characteristic temperature,than those with QDs grown at 500 C.This finding is ascribed to the higher QD density and more uniform size distribution of QDs achieved at 425℃.     

广义线性回归参数的“学生化”极限定理

在一定条件下证明了当广义线性回归参数β0的极大似然估计^βn满足形如Fn1/2(β0)(^βn-β0)d→ N(0,I)的极限定理时,用^βn取代Fn1/2(β0)中的β0时,结果仍成立.     

NiTi形状记忆合金相变过程的正电子湮没研究

采用正电子湮没技术研究了NiTi合金在降温和升温过程中缺陷和电子密度随温度的变化.在降温过程中,当温度从295K降至225K时,合金的电子密度nb随温度的降低而下降,在225K时降至最小;随后,nb随温度的降低而升高.当温度从295K降至221K时,合金缺陷的开空间随温度的下降而升高,在221K时达到最大值;随后,缺陷的开空间随温度的下降而下降.在升温过程中,当温度从25K升至253K时,合金的电子密度nb随温度的升高而降低,并在253K时达到最小;当温度从253K升至295K时,合金电子密度nb随温度的升高而升高.在相变临界温度点Ms=222K,Mf=197.2K,As=237.5K,Af=255.5K附近,合金的电子密度nb及合金缺陷的开空间均有异常的变化.     

凸函数的若干新性质及应用

本文证明了凸函数的若干新性质 ,讨论了这些性质在求解线性与非线性不等式组和线性规划中的应用 ,为线性与非线性不等式组、线性规划的求解提供了一种新方法 .     

广义线性模型中拟极大似然估计的强相合性及收敛速度

在广义线性模型(GLM)因变量有正确表述的假定及其他一些光滑性条件之下, 证明以概率1当样本量n充分大时, 广义线性模型的拟似然方程有一解, 且可求出该解收敛于真值的速度, 在一个重要的特例中, 该速度同于独立同分布随机变量序列部分和的重对数律所确定的速度, 故而不能改进.     

二值响应变量拟似然方程解的相合性

当{xi}有界及μ满足一定条件时，二值响应变量拟似然方程的解为真参数β0的相合估计．人们努力想把结果推广到{xi}无界的情形，迄今并未取得多少有意义的结果．本文通过构造正反3个例子指出：这个结论不可能以任何有一定普遍意义的形式推广到无界的情形．