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1.
本文研究了红外探测器中红外焦平面列阵的象元———铁电薄膜微桥在红外辐射作用下的输出信号。用层合板壳作为微桥结构的力学模型,中间一层为压电材料,上下两层为金属材料电极。采用了力-电-热耦合的控制方程和变分原理,考虑了铁电薄膜的惯性力,推导出了基于Mindlin假设的压电材料层合板有限元公式。以红外探测器在夜间从飞机上探测地面的坦克为例,用有限单元法模拟了铁电薄膜微桥在红外辐射作用下的力、热、电输出信号,并对结果作了分析比较。  相似文献   
2.
SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SiTiO3(STO)薄膜.研究了STO薄膜金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的介电和界面特性.结果表明,STO薄膜显示出优异的介电性能,在10kHz处的介电常数约为105,损耗低于0.01,这来源于多晶结构和良好的结晶性;MIS结构中的固定电荷密度Nf和界面态密度Dit分别约为1.5×1012cm-2和(1.4-3.5)×1012 cm-2 eV-1,这主要与Si/STO界面处形成的低介电常数界面层有关.  相似文献   
3.
采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SrTiO3(STO)薄膜.研究了STO薄膜金属 绝缘体 半导体(MIS)结构的介电和界面特性.结果表明,STO薄膜显示出优异的介电性能,在10kHz处的介电常数约为105,损耗低于001,这来源于多晶结构和良好的结晶性;MIS结构中的固定电荷密度Nf和界面态密度Dit分别约为15×1012cm-2和(14—35)×1012cm-2eV-1,这主要与Si/STO界面处形成的低介电常数界面层有关. 关键词: SrTiO3薄膜 MIS结构 介电性能 Si/STO界面  相似文献   
4.
研究了红外探测器中红外焦平面列阵的象元———铁电薄膜微桥在红外辐射作用下的输出信号。用层合板壳作为微桥结构的力学模型,中间一层为压电材料,上下两层为金属材料电极。采用了力-热-电耦合的控制方程和变分原理,推导出了基于Mindlin假设的压电材料层合板有限元公式。以红外探测器在夜间从飞机上探测地面的坦克为例,用有限单元法模拟了铁电薄膜微桥在红外辐射作用下的力、热、电输出信号,并对结果作了分析比较。  相似文献   
5.
La掺杂浓度对PLZT薄膜红外光学性质的影响   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了不同La掺杂浓度PLZT(x/40/60)薄膜- x射线衍射分析表明制备的PLZT(x/40/60)薄膜是具有单一钙钛矿结构的多晶薄膜- 通过红外椭圆偏振光谱仪测量了波长为2-5—12-6μm范围内PLZT薄膜的椭偏光谱,采用经典色 散模型拟合获得PLZT薄膜的红外光学常数,同时也拟合获得PLZT薄膜的厚度- 随着La掺杂浓 度的增大,折射率逐渐减小- 而消光系数除PLZT(4/40/60)薄膜外,呈现逐渐增大的趋势- 分析表明这些差异主要与PLZ 关键词: PLZT薄膜 红外光学性质 红外椭圆偏振光谱  相似文献   
6.
研究了在不同稀释剂如苯、甲苯、正己烷、环己烷、四氯化碳、氯仿中萃取剂浓度、水相酸度以及温度对二(2-乙基己基)磷酸萃取Ni(Ⅱ)的平衡的影响,借助萃合物红外光谱,确定了萃合物组成和萃取反应机理。讨论了稀释剂的影响,利用多参数方程将萃取平衡常数以及分配比与稀释剂的物理常数和经验参数进行了定量关联。  相似文献   
7.
利用改进的solgel工艺,通过快速热退火和慢速退火两种方式在Si衬底上制备了PbTiO3多晶薄膜,并采用红外反射光谱对PbTiO3薄膜进行了研究,观察到了薄膜中所有红外活性的8个声子模,发现两种退火方式得到的薄膜的光谱存在差异:前者的声子模频率除了三个变化不明显外,其余都低于后者.认为影响声子模行为的主导因素是薄膜中存在的应力,其中软模对应力的影响最为敏感 关键词:  相似文献   
8.
用化学溶液方法在宝石衬底及有LaNiO3缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了92%Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-8%PbTiO3(PMNT)薄膜,X射线衍射测试结果表明:在有LaNiO3缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备的PMNT薄膜几乎是纯钙钛矿相,且薄膜 关键词: PMNT薄膜 光学性能 化学溶液法  相似文献   
9.
SrTiO3 (STO) thin films were deposited on p-Si(100) substrates at various substrate temperatures from 300℃ to 700℃ by radio frequency (RF) magnetron sputtering technique. Their structure and electrical properties were investigated. It was found that the transition from amorphous phase to polycrystalline phase occurred at the substrate temperatures 300--400℃. Their crystallinity became better when the substrate temperatures further increased. The dielectric and leakage current measurements were carried out by using the Si/STO/Pt metal--insulator--semiconductor (MIS) structures at room temperature. It was found that the fixed charge density decreased and both the interface trap density and the dielectric constant increased when the substrate temperatures were increased. The leakage current mechanisms for STO MIS structures with STO films prepared at 700℃ followed the space charge limited current (SCLC) under the low applied electric field and the Poole--Frenkel emission under the high one. In addition, the resistivity for films prepared at 700℃ was higher than 1011\Omega \cdot cm under the voltage lower than 10V (corresponding to the electric field of 1.54\times 103kV\cdotcm-1). It suggested that the STO films prepared at 700℃ were suitable for acting as the insulator of metal--ferroelectric--insulator--semiconductor (MFIS) structures.  相似文献   
10.
采用0.05mol/L的前驱体溶液,利用溶胶-凝胶法成功制备了室温下具有优良铁电性质的Ba0.8Sr0.2TiO3 (BST)薄膜.X射线衍射分析表明,制得的BST薄膜室温下呈四方相,场发射扫描电子显微观测显示BST薄膜表面平整、致密、无裂纹出现,薄膜晶粒呈柱状结构、尺寸在150nm左右.电学测量表明制备的BST薄膜室温下具有优良的铁电性能.薄膜的剩余极化Pr约为35μC/cm2,矫顽电场E关键词:  相似文献   
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