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1.
2.
基于经典block-by-block方法的思想,构造了二维分数阶Volterra积分方程的一个修正block-by-block数值求解格式.该方法的优点在于只需求解u(x1,y),u(x2,y),u(x,y_1)和u(x,y_2),其他未知量均不需要耦合求解.数值算例表明该格式具有较好的逼近性. 相似文献
3.
应用格子Boltzmann三维模型,对双气泡在静水中的运动进行数值研究.采用八点差分和十八点差分格式分别求解一阶▽φ和二阶▽2φ可以有效避免气液密度比过大造成的数值不稳定问题.结果表明:当两个相同直径的气泡在上升时,位置靠上的气泡形状变化像单气泡上升一样,而位置靠下的气泡会受到前一个气泡尾迹的影响,并有很明显的形状变化.当两个气泡直径不同时,不管初始位置如何,大气泡总会对小气泡造成强烈的影响. 相似文献
4.
应用广义梯度近似(GGA) (PW91和PBE)、含动能密度的广义梯度近似(meta-GGA) (M06-L)、杂化泛函(hyper-GGA)(M06-2X、X3LYP和B3LYP)及其长程校正泛函LC-DFT(CAM-B3LYP、LC-ωPBE和ωB97X)和色散校正密度泛函(DFT-D)(ωB97X-D和B97-D),用多种基函数对15种不同强度的传统氢键和非传统氢键体系的结合能进行了系统的计算与分析.并与高精度的CCSD(T)/aug-cc-pVQZ结果比较发现:在上述各类泛函中,对于氢键结合能的计算M06-2X和ωB97X-D泛函较为精确与可靠,且没有必要使用过大的基函数,6-311++G(2d,2p)或aug-cc-pVDZ水平的基组就已足够,各类泛函所计算结合能的基组重叠误差(BSSE)均较小,除ωB97X和ωB97X-D外,其它9种泛函不经BSSE校正也能得到同样甚至更准确的结果. 相似文献
5.
研究时间Caputo分数阶对流扩散方程的高效高阶数值方法.对于给定的时间分数阶偏微分方程,在时间和空间方向分别采用基于移位广义Jacobi函数为基底和移位Chebyshev多项式运算矩阵的谱配置法进行数值求解.这样得到的数值解可以很好地逼近一类在时间方向非光滑的方程解.最后利用一些数值例子来说明该数值方法的有效性和准确性. 相似文献
6.
采用水热法制备了Er3+掺杂的NaYF4上转换发光材料,X射线衍射结果表明,当反应温度为180 ℃和200 ℃时,晶体属于六方晶型和四角晶型混合相态;当反应温度为220 ℃时,该晶体属于纯六方晶型结构。SEM和TEM观察发现,晶粒为六角形,样品颗粒分散性好,平均粒径约为100 nm。荧光光谱测试结果表明,当激发波长为500 nm时,样品发射出紫外光。从Er3+能级图谱可以得出,Er3+基态电子4I15/2首先跃迁到2H11/2与4S3/2能级上,随即经过能量转移上转换过程(ETU)分别发射出310 nm和340 nm的紫外光。结合Er3+发光机理可以推出上转换峰310 nm和340 nm均属于双光子过程。 研究结果表明,以NaYF4为基质掺杂Er3+产生的紫外上转换光在生物成像、光催化发应及生物标记等方面有着广阔的应用前景。 相似文献
7.
8.
为了满足高光束质量要求,校正激光束在传输过程中产生的波前畸变,改善激光位相分布,进而提高聚焦光斑的能量集中度,基于79单元微机械薄膜变形镜(MMDM)搭建了一套激光束整形实验系统。利用随机并行梯度下降(SPGD)算法,分别选择聚焦光斑半径、形心为中心的环围能量比和质心为中心的环围能量比作为算法性能指标,开展了激光束整形实验研究。3种情况下,分别经过58次、197次、133次迭代趋于收敛,但光斑半径作为性能指标时振荡严重;环围能量比从整形前的0.200 5、0.127 7、0.200 5分别增加到整形后的0.669 9、0.733 9、0.864 0。实验结果表明:MMDM用于激光束整形具有良好的效果,光斑半径作为性能指标整形速度最快,其次为质心环围能量比,形心环围能量比最慢;质心环围能量比作为性能指标整形效果最好,其次为形心环围能量比,光斑半径最差。综合比较,质心环围能量比作为性能指标时综合效果最好。 相似文献
9.
利用稳定化方法讨论拉格朗日乘子法得到的具有弱对称应力的线弹性问题. 用线性元和分片常数分别逼近变分问题的应力和位移. 并通过添加稳定项$G_1(\cdot,\cdot)$, $G_2(\cdot,\cdot)$和$G_3(\cdot,\cdot)$ 使相应混合离散变分问题满足弱BB条件. 接着详细研究了变分问题的解与稳定混合有限元解之间的误差估计,最后用两个数值算例验证理论分析的有效性. 相似文献
10.
在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0217)制备了单层ZnS钝化和双层 (CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件烘烤前后的暗电流和1/f噪声进行了测试,烘烤 前发现,ZnS钝化的器件在反偏较大时具有较大的表面隧道电流,而这种表面漏电流是ZnS钝 化器件具有较大1/f噪声电流的原因,通过高分辨x射线衍射中的倒易点阵技术(recipr ocal space mapping,RSM)研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层 ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是ZnS钝化器件具有较大表面漏电流 和1/f噪声的原因. 经过高温烘烤后,ZnS钝化的器件暗电流和1/f噪声增加,而双 层钝化器件经过高温烘烤后性能提高. RSM的研究表明,高温烘烤后ZnS钝化的HgCdTe外延层 产生大量缺陷,这些缺陷正是单层钝化器件表面漏电流和1/f噪声电流增加的原因.
关键词:
HgCdTe
光伏探测器
钝化
表面漏电流
1/f噪声
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