A1/GaAs界面微结构的慢正电子束研究

基于正电子扩散方程,对于线形全吸收型等特殊的界面模型,求得了正电子湮没辐射多普勒展宽S参数与单能慢正电子入射能量E之间函数关系S(E)的解析表达式.测量不同膜厚、不同退火条件下A1/GaAs的S(E),用所得解析式拟合实验数据,发现A1/GaAs界面系统与线形全吸收型界面模型符合得很好.通过拟合,得出了界面S参数S₁及其与膜厚和退火温度的关系,由此对界面微结构及其动力学特性作了讨论.     

BES实验数据离线刻度

概述了北京谱仪(BES)各子探测器的实验离线数据刻度,包括主漂移室、飞行时间计数器、簇射计数器和μ子鉴别器.给出了BES1994年D_s运行期间的探测器运行性能,以及数据质量情况.     

北京谱仪大型精密圆柱漂移室dE/dx粒子识别的研究

本文简要描述了北京谱仪主漂移室的dE/ds粒子识别方法,给出在物理实验应用中dE/dx性能测量的主要结果.经过系统效应的软件修正和绝对的能量刻度后,对最小电离粒子(0.4—0.5GeV/c的π)大于30次dE/dx取样的能量分辨率为7.5%.大于3σK/π分离的动量p≤0.65GeV/c.大于3σe/π分离的相应动量范围为0.2≤p≤4GeV/c.