直觉I-Fuzzy拓扑空间的杨忠道定理

以L~*-格值上Lukasiewicz蕴含算子为工具引入了直觉I-Fuzzy拓扑空间中导集概念,接着给出它的一些性质,最后证明了直觉I-Fuzzy拓扑空间中导集的杨忠道定理.     

计算三重复式交叉导爆管网路可靠度的随机过程法

运用齐次马尔可夫过程理论，得到计算三重复式交叉导爆管网路可靠度的有效方法。     

基于亚波长人工微结构的电磁波减反增透研究进展

电磁波抗反射技术在太阳能电池、光学透镜、红外传感、探测器等众多应用场景中至关重要,长久以来一直是先进光学系统、光电器件研究领域热点方向之一.本文简略回顾了传统的减反的理论与方法;侧重介绍了近几年来基于亚波长人工微结构材料的电磁波减反增透相关研究进展,主要内容包括局域表面等离激元抑制光反射增强光耦合,传播表面等离激元局域共振模式诱导高透隧穿,超构材料诱导金属透明,人工微结构超表面红外、太赫兹减反等若干典型工作;探讨了亚波长人工微结构光学减反领域未来的发展方向与其所可能遇到的问题挑战.     

爆炸法消除焊接残余应力

随着工业的发展,焊接技术在工业生产中的地位显得越来越重要。但是,由于焊接是局部加热,温度梯度很大,使焊件内部产生了很大的焊接残余应力。因为焊接残余应力的存在,致使焊件的静强度、刚度、稳定性及抗疲劳、抗脆性破坏、抗应力腐蚀等性能均低于同类材料的非焊接件。这就造成了它的使用寿命大大降低。在许多结构的破坏事故中,不少是由于焊接残余应力的存在所造成。为此研究消除焊接残余应力,对生产和科学实验都具有很大的意义。     

定向爆破治理滑坡

本文介绍了用定向爆破治理滑坡新技术。研究了在不稳定土体上进行爆破的许多特殊问题,探讨了如何防止爆破瞬间可能引起的诱发滑坡问题,并将此技术用于工程实践中,获得成功。为治理滑坡提供了一种经济、快速、有效的新方法。     

激光干涉结晶法制备一维周期结构的纳米硅阵列

利用激光干涉结晶方法，采用周期为400 nm的一维(1D)移相光栅掩模调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布，在不同厚度的超薄氢化非晶硅(a-Si:H)膜内直接制备1D有序纳米硅(nc-Si)阵列.拉曼散射谱表明，样品上呈条状分布的受辐照区域发生晶化.原子力显微镜和透射电子显微镜测试结果表明：1D的nc-Si阵列的周期和移相光栅掩模一样.随着a-Si:H膜厚度从10nm降至4nm，通过控制激光的能量密度，每个周期中nc-Si条状分布区宽度可达到30nm.nc-Si条状分布区的高分辨电子显微镜照片显 关键词： 纳米硅 激光干涉结晶 移相光栅 定域晶化     

基于先进等离子体的低温钝化氮化硅薄膜的研究

本文利用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体(ICP)化学气相沉积技术,在低温(100℃)下采用硅烷(Si H_4)、氮气(N_2)和氢气(H_2)作为先驱反应气体制备氢化氮化硅薄膜(Si Nx∶H),并通过傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的键结构、键密度、氢含量以及化学组成进行表征。采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型晶硅表面的钝化效果。结果表明,氮硅原子比为0.4的Si N0.4∶H薄膜具有最高的氢含量,高达29%,而且其钝化效果最好。最高少子寿命达到251μs,表面复合速率降低至85 cm/s,Suns-Voc测到的提示开路电压达到652 m V。     

利用AFORS-HET对P型HIT太阳电池的模拟优化

运用模拟软件AFORS-HET对TCO/a-Si∶H(n)/a-Si∶H(i)/c-Si(p)/Ag结构的异质结(HIT)太阳电池进行仿真,分析其光伏输出特性随发射层掺杂浓度、晶硅衬底掺杂浓度、透明导电氧化物薄膜(TCO)的选择以及TCO功函数的变化规律。结果显示,当发射层掺杂浓度大于1.0×1020cm~(-3),晶硅衬底掺杂浓度大于1.2×10~(16)cm~(-3),以ZnO为TCO层且Zn O的功函数低于4.4 e V时,电池的开路电压、短路电流密度、填充因子及电池转换效率达到最优值,光电转换效率最高达到19.18%。     

纽结多项式和整系数多项式

基于纽结多项式性质研究了整系数多项式及其性质,讨论了常系数项为0的6次和7次整系数多项式和纽结多项式的关系,给出了整系数多项式是纽结多项式的充分必要条件,进而给出了整系数多项式是交错纽结的多项式的充分必要条件.根据这些性质进一步给出了某些纽结的Arf不变量的性质.     

基于温和等离子体CVD的非晶硅薄膜的制备与钝化研究

采用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体化学气相沉积技术(ICPCVD),以硅烷( SiH4)和氢气(H2)作为气源,通过改变沉积气压来制备氢化非晶硅薄膜(a-Si:H).采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型单晶硅片表面的钝化效果.并通过傅里叶红外光谱仪(FTIR)和扫描电子显微镜(SEM)进一步表征薄膜的氢含量、微结构因子和表面形貌.结果表明,气压偏低或者偏高都会影响薄膜质量,生成多孔隙的薄膜,从而影响薄膜的钝化性能.最优沉积气压为65 Pa,并进一步优化少子寿命到445 μs,复合速度减小到48 cm/s,隐开路电压接近700 mV.