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1.
针对无线传感器网络中节点因干扰过大导致重传能耗增加, 进而节点过早失效、网络生命期缩短的问题, 根据网络拓扑信息和路由信息设计节点的负载模型, 从而构建了节点的生命期模型. 然后利用博弈论将路径增益、交叉干扰和节点生命期等性能参数融入到效益函数中, 构建信道分配博弈模型. 理论分析证明该博弈模型存在纳什均衡. 进而运用最佳回应策略, 在所构建的信道分配博弈模型的基础上, 设计了一种优化网络生命期的抗干扰信道分配算法. 该算法使节点在选择信道时避免与网络中交叉干扰较大的节点和生命期较小的节点使用相同信道, 实现干扰小、能耗低且均衡的信道选择. 理论分析与仿真结果证明该算法最终能够快速地收敛到纳什均衡, 且具有较小的信息复杂度, 从而减小算法本身的通信能耗. 同时, 该算法具有良好的抗干扰性和信道均衡性, 能够有效地延长网络生命期. 相似文献
2.
本文在无金标准情况下探讨皮肤毛孔标准照片制定的合理性和可行性,对医师诊断正确性进行评价。按照毛孔粗大程度制定分类为5水平的毛孔标准照片。对128名女性志愿者制作鼻翼毛孔照片,5位年资相近的皮肤科医师按照诊断标准和标准照片对128例自愿者照片进行独立的等级评分。诊断结果数据采用潜在分类变量模型(Latent Class Model,LCM)进行分析,分别拟合5位医师诊断条件概率一致的模型和诊断条件概率不一致的模型。计算医师诊断的条件概率和后验概率。潜变量分析结果提示诊断标准过于细化且分类模糊,依据条件概率将原始分类重新划分为3类的模型较好地拟合了诊断数据。运用客观和准确的能够真实反应和区分个体情况的诊断标准是诊断试验评价的基础和前提。潜在分类模型能够有效地处理无金标准的诊断重复性或一致性研究数据。 相似文献
3.
为了研究环境温度对以铝粉、乙醚、硝基甲烷为原料的气液固多相混合物爆炸特性的影响,利用20 L球型爆炸罐,在不同环境温度(20~50℃)下,实验研究了温度变化对混合物的爆炸超压、最大爆炸压力上升速率和爆炸下限的影响。结果表明:实验工况下,乙醚的爆炸特性参数随温度升高而降低;铝粉的爆炸特性参数受温度影响较小;气液固多相混合物的爆炸压力随温度升高略微下降,最大爆炸压力上升速率先升后降,存在一个最佳浓度配比使爆炸威力最佳;气液固多相混合物的爆炸下限随温度升高而下降,在绝大部分易挥发物质汽化后,混合物下限趋于稳定。 相似文献
4.
采用微波等离子体增强化学气相沉积(MPECVD)法,在涂有FeCl3的硅衬底上制备出了纳米非晶碳薄膜.通 过SEM、XRD和拉曼光谱分析了薄膜材料的形貌和结构.并研究了薄膜材料的场发射特性.结果表明:薄膜的开启电场仅为0.39 V/μm;当电场强度为1.85 V/μm时,电流密度高达3.06 mA/cm2;且场发射点均匀、密集、稳定.迭代法计算表明薄膜材料的功函数为3.1 eV,发射点密度约为1.7×105个/cm2.这些均表明该薄膜是一种性能优良的场发射阴极材料. 相似文献
5.
6.
7.
用电铸方法,采用低应力电镀液,制备出了自支撑金刚石-镍复合膜。电镀液PH值3.8-4.2,温度40~60℃,阳极与阴极间距100~150mm。用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)方法检测了复合膜的表面形貌、晶体显微结构和复合膜中金刚石颗粒的分布情况。结果表明:阴极电流密度对自支撑金刚石-镍复合膜的品质影响很大,当阴极电流密度从1.3 A/dm2增加到3.3 A/dm2时,复合膜的显微应变从0.36%减小到0.28%;随着阴极电流密度的增加,复合膜中金刚石颗粒的含量增加。 相似文献
8.
在不同实验条件下,用微波等离子体化学气相沉积设备在硬质合金(WC+6%Co)衬底上沉积了 具有不同结构特征的金刚石薄膜.用Raman谱表征薄膜的品质和应力,用压痕实验表征薄膜的 附着性能,考察了薄膜中sp2杂化碳含量、形核密度、薄膜厚度对薄膜附着性能 的影响.结 果表明:sp2杂化碳的缓冲作用使薄膜中sp2杂化碳的含量对薄膜中 残余应力有较大的影 响,从而使薄膜压痕开裂直径统计性地随sp2杂化碳含量的增加而减小;仅仅依 靠超声遗 留的金刚石晶籽提高形核密度并不能有效改变薄膜与硬质合金基体之间的化学结合状况,从 而不能有效提高薄膜在衬底上的附着性能;在薄膜较薄时,晶粒之间没有压应力的存在,开 裂直径并不明显随厚度增加而增加,只有当薄膜厚度增加到一定值,晶粒之间才有较强压应 力存在,开裂直径随厚度的增加而较为迅速地增加.
关键词:
金刚石薄膜
附着性能
2杂化碳')" href="#">sp2杂化碳
成核密度
薄膜厚度 相似文献
9.
10.
研究了外加电场和垒层的Al组分对AlGaN/GaN量子阱中的横向和纵向g因子(g⊥和g//)及其各向异性(δg)的影响.纤锌矿体结构的贡献(S_//~(bulk)和g⊥)是构成g⊥=(g//-g_0)=g_//~(bulk)的主要部分,但g_//~(bulk)和g⊥的差值很小且几乎不随外加电场和Al组分改变.当外加电场的方向同极化电场的方向相同(相反)且增加时,g_//~(bulk)和g_⊥~(bulk)的强度同时增加(减小).当外加电场从-1.5×10~8 V·m~(-1)到1.5×10~8 V·m~(-1)变化时,异质结界面对g⊥的贡献(Γ_(Inter))大于0且强度缓慢增加,阱层对g⊥的贡献(Γ_W)小于0且强度也缓慢增加.然而Γ_(Inter)的强度比Γ_w大,且后者的强度随着外加电场的改变增加较快,所以δg0且强度随着外加电场的变化而减小.当垒层的Al组分增加时,如果不考虑应变效应(S_(1,2)=0),g_//~(bulk)和g⊥的强度同时减小,然而考虑应变效应后(S_(1,2)≠0),β_1g⊥和γ1(g_//~(bulk))的强度随着Al组分的增加而增加.随着垒层Al组分的增加,Γ_(Inter)和Γ_w的强度都增加,但Γ_(Inter)的强度较大且增加得较快,所以的的强度缓慢增加.g⊥的强度先随着Al组分的增加而减小,然后又随着Al组分的增加而增加,因为g⊥小于0且强度随着Al组分增加得很快.结果表明,AlGaN/GaN量子阱结构中的电子g因子及其各向异性可以被外加电场、垒层的Al组分、应变效应和量子限制效应共同调制. 相似文献