管长和管径对单壁碳纳米管电导的影响

基于紧束缚模型，发展转移矩阵方法研究了单壁碳纳米管的导电性质.研究表明，由于卷曲效应，锯齿型(3k,0)管(k为整数)出现窄的电导沟，其大小与能隙一致.在费米能附近，电子输运不仅与管径和管长紧密相关，而且电子在不同能量下可能出现弹道的、扩散的和经典的三种不同输运特征. 关键词： 碳纳米管 转移矩阵 电导     

畸变对hopping电导的影响：Thue Morse纳米结构模型

发展实空间重正化群方法，研究了一维非周期Thue Morse纳米结构链的hopping电导率.计算表明Thue Morse纳米结构体系的晶粒种类、晶粒尺寸对hopping电导有显著的调制作用，界面结构和晶格畸变对hopping电导也有不同程度的影响.从无序度对hopping电导的影响来看，Thue Morse纳米结构链的无序度介于Fibonacci链和周期链之间. 关键词： Thue Morse纳米结构链 重正化群方法 hopping电导 尺寸效应 界面效应     

量子点环的电子输运研究

利用非平衡格林函数方法，研究了量子点环的相干输运性质. 结果表明：与一维量子点阵列 相比，量子点环中的电子出现更多新的准束缚能级. 量子点间耦合的增强会使微分电导振荡 出现退相干现象. 关键词： 量子点 电导