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A novel vanadium-phosphate compound [PV_2.5O_8.5]·3.83{H_2O}(1)was obtained from the hydrothermal reac-tion and structurally characterized by elemental analysis and single-crystal X-ray diffraction,which exhibited thatthe title complex crystallized in cubic space group I-43m with crystal data:a=1.6115(1)nm,V=4.1848(1)nm~3,Z=12,D_c=1.783 g/cm~3,F(000)=2278,R_1=0.0528,and wR_2=0.1329[I>2σ(I)](all data).The basic unit of{PV_2.5O_8.5}symmetrically extended to closed sphere-like structure of{P_4V_(10)O_(34)},which was further linked to in-terleaving three-dimensional network via sharing four phosphate through μ_3-oxygen atoms around the closedsphere-like structures. 相似文献
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大尺寸金属氧化物TFT面板设计分析 总被引:3,自引:2,他引:1
根据最基本的2T1C像素电路,建立了TFT各参数与AMOLED面板限制因素的计算模型。详细分析了AMOLED显示尺寸与TFT迁移率、金属方块电阻、刷新频率以及器件结构的关系。在大尺寸高分辨率AMOLED面板设计中,信号线RC延迟是主要限制因素。TFT迁移率的提高在一定范围内对大尺寸显示面板设计有利,降低RC延迟是实现大尺寸、高分辨率、高刷新频率显示的关键技术。开发铜布线技术和低寄生电容TFT器件结构是未来大尺寸AMOLED显示的关键技术。 相似文献
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纳秒激光刻蚀玻璃基质铬薄膜直写微光栅结构 总被引:2,自引:2,他引:0
利用波长为351 nm的半导体泵浦全固态脉冲激光器,采用双光束干涉方法,对蒸镀在石英玻璃衬底上的铬薄膜直接刻蚀形成微光栅结构的方法进行了实验研究.通过实验,分析了激光能量和脉冲数与微光栅结构槽形和一级衍射效率之间的关系.利用光学显微镜和原子力显微镜检测分析光栅槽形,测得槽深为253 nm的最佳微光栅结构,并测得其在波长为532 nm的激光的一级衍射效率为6.5%.结果表明:在激光能量为1 150 μJ时,适当增加曝光脉冲数有利于提高制备光栅的槽深和一级衍射效率. 相似文献