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1.
用不同能量的Ar+和H+轰击WO3表面,观察到W4f峰的位移和加宽。通过谱分解处理得到相应于W4f电子的W6+,W4+和W03个不同的双峰。用表面产生氧缺陷的机理解释了还原过程。UPS谱显示出氧缺陷的存在增加了靠近费密能级处的态密度。H2O的吸附结果说明WO3表面的活性与W5+< 关键词:  相似文献   
2.
本文利用Ar+轰击正分的α-Fe2O3表面,证明了轰击后的表面呈类FeO性质,存在Fe++。提出了由于表面Fe++的3d电子的催化作用,Fe++能把吸附在它上面的H2O先分解成OH-和H+,因而有助于提高光解水的效率的看法。用UPS和XPS等技术证实了类FeO表面吸附水后存在OH-,确认Fe++关键词:  相似文献   
3.
“第三届全国表面与界面物理学术会议”于1984年11月24-28日在西安召开.复旦大学校长谢希德致开幕词,陕西省科学技术委员会、省科学技术协会、省物理学会的负责人以及西北大学校长■重起到会并讲了话.陕西省电视台作了实况采访录相. 出席本届大会的代表共203人,来自全国的高等院校、科研部门、工厂、出版社以及有关的管理部门等63个单位.提交大会的学术论文共167篇,有两篇为大会邀请报告:从两个国际会议看表面科学的进展(复旦大学教授谢希德)和硅表面及型层强电场效应研究(清华大学教授李志坚).其它论文分三个组报告,内容涉及到金属表面的吸…  相似文献   
4.
1980年诺贝尔物理学奖授给了美国实验物理学家菲奇(V·Fitch)和克罗宁(J·Cronin).下面是这两位物理学家的简历.菲奇·维尔·洛格斯登(Fitch Val Logsdon) 1923年3月10日生于内布拉斯加.1948年在麦克迪尔大学获工程学士,1954年在哥伦比亚大学获物理学博士.1946—1947年在洛斯阿  相似文献   
5.
前些时候,西德马克思-普朗克学会固体研究所的Dohler等在GaAs材料上作出了掺杂型超晶格[1]. 早在1970年,IBM公司的Esaki和Tsu就指出,从原则上讲,可以精心设计有预定性质的半导体微结构.他们设想了两种类型的半导体超晶格:掺杂型超晶格和组分型超晶格.所谓掺杂型超晶格就是在同一种半导体材料上制作p-n结和n-p结的简单交替层.组分型超晶格的交替层是由不同元素组成的.1974年,在 IBM和Bell实验室都作出了组分型的超晶格. Dohler等的掺杂型超晶格是用分子束外延装置在GaAs上作成的.在约40nm(约150个单原子层)厚的平面层中用Si(n型)和Be(…  相似文献   
6.
第一届全国电介质物理会议于1989年12月15日至22日在广西桂林召开。来自全国各地的研究所、大专院校、工厂及其它有关单位的近百名代表出席了会议. 会议收到论文75篇,宣读60篇.内容涉及到铁电、压电、热释电、击穿和驻极体等电介质物理的子学科.可喜的是在基础研究方面已经出现  相似文献   
7.
我在1944年发表的论文中,介绍过在放射衰变中用两种不同的方法研究β衰变和内转换所做过的一些工作.其一是基于在均匀磁场中电子的半圆聚焦,另一种方法则是用了一个大的磁透镜.第一种方法能够提供良好的分辨率,但强度低,而另一种方法恰恰相反.之后,我曾一度期望把两种方法的优点能够组合在一台仪器上,这种想法是试图使上述的均匀磁场具有合适的形式,能在两个方向上聚焦,而不只是半圆的单向聚焦.大家知道,在电子感应加速器中,电子在径向和轴向两个方向做振荡运动.为了让两种振荡的周期角相等,Nils Svar-tholm和我找到了一个提供真实的电子光…  相似文献   
8.
固体表面的许多现象对我们是非常重要的,比如多相催化,金属腐蚀,许多固体电子器件和生物系统中的一些现象都与固体表面的电子特性有密切关系.表面电子特性包括静态特性和动态特性.前者指表面原子的化学成份、几何排列和最外层价电子的能级结构(表面态等物理性质);后者指在外来条件(如光子、电子、原子、分子等)影响下,表面物理性质的变化.当然,静态特性和动态特性总是没有明显的分界线,这就给研究带来困难.但静态特性是表面固有的性质,相对来讲比较容易认识.许多近代的表面分析仪器都是基于静态特性制造的.又用它来观察动态特性.因此,只有深…  相似文献   
9.
用不同能量的Ar~ 和H~ 轰击WO_3表面,观察到W_(4f)峰的位移和加宽。通过谱分解处理得到相应于W_(4f)电子的W~(6 ),W~(4 )和W~03个不同的双峰。用表面产生氧缺陷的机理解释了还原过程。UPS谱显示出氧缺陷的存在增加了靠近费密能级处的态密度。H_2O的吸附结果说明WO_3表面的活性与W~(5 )有关。  相似文献   
10.
在电磁波谱中,红外辐射是介于可见光和微波之间的电磁辐射.由于红外辐射的功率密度随波长的增加而急剧下降,对于不同波长的处理方法又有差别,一般分为近、中、远三个区域.远红外是较长波长的一侧,从微波延伸的观点,又称同一区域为亚毫米波.波长范围约为20μm—lmm(或用波数表示  相似文献   
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