首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   41篇
  免费   21篇
  国内免费   17篇
化学   23篇
力学   5篇
数学   14篇
物理学   37篇
  2023年   2篇
  2022年   1篇
  2020年   3篇
  2019年   2篇
  2018年   1篇
  2017年   2篇
  2016年   5篇
  2014年   2篇
  2013年   2篇
  2012年   4篇
  2011年   2篇
  2010年   3篇
  2009年   1篇
  2007年   4篇
  2006年   3篇
  2005年   3篇
  2004年   5篇
  2003年   10篇
  2002年   6篇
  2001年   2篇
  2000年   1篇
  1999年   1篇
  1995年   3篇
  1992年   1篇
  1991年   4篇
  1990年   2篇
  1988年   2篇
  1987年   1篇
  1984年   1篇
排序方式: 共有79条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
农业害虫药材甲Stegobium panicem Linnae在我国各省区都有分布,主要危害谷类、食品、药材、图书、档案等.我国一般每年可以发2~3代,温度较高的地区可发生4代[1] .  相似文献   
3.
软X射线激光偏折法测量激光等离子体电子密度分布   总被引:4,自引:1,他引:3       下载免费PDF全文
利用脉宽约为50ps的类镍银139nm软X射线激光作为探针,探测由脉宽80ps的驱动激光打C8H8靶产生的等离子体在1ns后的电子密度分布信息,获得了清晰的莫尔条纹图像.对结果的处理,给出了峰值电子密度为11×1021cm-3,并对在靶面附近莫尔条纹的消失现象作了初步解释 关键词: 软X射线激光探针 莫尔条纹 等离子体电子密度  相似文献   
4.
傅思祖  顾援  吴江  王世绩  何巨华 《物理学报》1995,44(7):1108-1112
实验利用特制的斜面Al靶,在空间均匀辐照的高功率激光驱动下,研究了激波在不同厚度材料中的传播稳定性,对应于激光状态方程实验中通常所用的靶参数(主要指厚度)范围,给出了相应的测量结果.实验所获得的激波发光信号及d-t图,P-d图表明,冲击波在此范围内具有很好的传播稳定性. 关键词:  相似文献   
5.
在继2003年完成10米三相高温超导电缆之后,我们于2004年年底成功完成了75米高温超导电缆的组装、调试和通电试运行.这两套电缆装置的低温冷却系统都是采用单相密闭液氮流程循环冷却高温超导电缆本体及终端,都是采用液氮减压制冷方式获取制冷量,借助过冷器内液氮作为冷媒把冷量传递给液氮循环系统.本文在简要介绍10米长高温超导电缆低温冷却系统基础上,重点介绍75米高温超导电缆冷却系统的试运行和在通电情况下的实验结果,并对实验数据进行热平衡分析和制冷量与液氮消耗量的分析,从而得到高温超导电缆冷却系统运行的经济性参数.  相似文献   
6.
吴江 《物理通报》2002,(7):44-44
  相似文献   
7.
R-T(Rayleigh-Taylor)不稳定性实验研究对于天体物理和ICF都有重要的意义。特别是侧向照明的诊断方案,物理上很直观实验上也相对容易实现因此受到各国的重视。2003年在“神光”Ⅱ开展了一轮打靶实验。  相似文献   
8.
9.
报道了利用皮秒激光驱动产生瞬态类镍银X射线激光的实验结果.采用一路脉冲宽度为数百皮秒的激光作为预脉冲,配合另一路皮秒激光作为主脉冲联合驱动平面靶,获得了一定强度的类镍银X射线激光输出,输出能量约为5—10nJ. 关键词: 瞬态X射线激光 长短脉冲联合驱动 皮秒脉冲激光  相似文献   
10.
X射线激光实验研究的主要目的是进行相应的应用研究。由于具有波长短、脉冲短、亮度高、相干性好的优点,因此在很多领域有潜在的应用前景。在所有的应用中,利用X射线激光作为探针来诊断等离子体或其他介质材料方面的应用是最普遍的。一般来说,激光探针穿越等离子体或介质后,光束的强度、前进方向、光程都会发生变化。分别检测这些变化,就可以获得等离子体的电子密度或介质折射率的相关信息。这就需要对作为探针的X射线激光的输出特性有深入的了解,并且选择更合适的条件进行优化。采用场图测量的方法,即直接测量X射线激光的输出光束在某一位置处的截面光强分布,能够很好地提供关于X射线激光输出光束的全面的信息,对应用研究具有很好的参考和指导作用。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号