电子能谱仪中金属硅化物的原位制备装置

本文介绍了在电子能谱仪中为原位制备金属硅化物样品而设计和安装的高温电子束加热装置和石英振子膜厚测量装置，着重介绍了它们的基本原理、结构和使用性能，并以Ｐｄ／ｓｉ 系统为例作了简要说明．     

光电子能谱研究O2和Rb在InSb（111）表面上共吸附

本文利用光电子能谱（ＸＰＳ和ＵＰＳ）技术研究了室温下Ｏ２和Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上共吸附，分析了碱金属Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上吸附的键合状态以及对衬底的催化氧化作用。结果表明，Ｒｂ与ＩｎＳｂ表面上的Ｓｂ发生化学反应，Ｒｂ在ＩｎＳｂ表面上吸附提高了衬底表面的氧化速率，衬底表面上的Ｉｎ和Ｓｂ被氧化，分别生成锑和铟的氧化物。在Ｏ２吸附的过程中，还观察到两种Ｒｂ的氧化物，即过氧化铷（Ｒｂ２Ｏ２     

氯对Ni（110）面上CO共吸附的影响

用ＵＰＳ、ＸＰＳ、ＡＥＳ和功函数测定等方法考察了氯对Ｎｉ（１１０）上ＣＯ共吸附的影响。预吸附的氯强烈降低了ＣＯ的吸附速度和饱和吸附量，减少了ＣＯ－Ｎｉ的平均偶极矩。ＵＰＳ和ＸＰＳ结果表明，氯的共吸附使ＣＯ的１π和Ｏ（１ｓ）移向较高的结合能，而５σ则轻微移向较低的结合能。氯能取代表面吸附的ＣＯ并伴随总功函数的下降。氯的强电负性和空间位阻减小了Ｎｉ－ＣＯ的键合作用，从而降低了ＣＯ的吸附键能，并使Ｃ－０     

THE ANNEALING EFFECT OF CRYSTAL 4H-SiC FILMS PREPARED BY PULSED LASER DEPOSITION

SiC films were prepared by pulsed XeCl laser ablation of ceramic SiC target on Si(100) substrate at temperature 850℃ and post-deposition high temperature annealing above 1100℃ (1100℃-7 Pa). The surface morphology, crystal structure, composition and chemical state of the element in the films before and after annealing were studied by X-ray diffraction, transmission electron microscopy, scanning electron microscopy, Auger electron Spectrum, X-ray photoelectron spectrum and photoluminescence methods. It was found that the films were consisted of polycrystal 4H-SiC structure before annealing and were turned into singlecrystal epitaxial 4H-SiC after annealing. The surfaces of the films were smooth and the adhesion of films with the substrate was good. The films were transparent. Excited by the laser with wavelength 290 nm at room temperature, the films emitted two luminescence bands with the peaks at 377 nm and 560 nm. The emission at 377 nm was attributed to the combination of the transmission among the valence and conductor bands, while the one at 560 nm was possibly to be from exciton emission.     

室温下InP(100)表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射光电子能谱研究了室温下p型InP(100)表面,由于K吸附诱发的催化氮化反应过程。对于N_2/K/InP(100)体系的P2p;In4d芯能级和价带谱的研究表明:碱金属吸附于InP(100)表面可以强烈地影响其在室温下的氮化反应,K的存在极大地提高了N_2在InP(100)表面的粘附系数。由我们的实验结果和碱金属吸附于GaAs(110),InP(110),GaP(110)表面的研究结果可知,碱金属吸附于Ⅲ-V族半导体表面后,可以极大地提高N_2在Ⅲ-V族半导体表面的粘附系数,从而促进Ⅲ-V族半 关键词：     

Nb表面的清洁处理

本文介绍了用电子束加热（１５００℃）及同时用氩离子溅射的方法进行金属Ｎｂ的表面清洁处理，处理结果良好．     

硫化的MoO3/γ—Al2O3催化剂的表面结构和价态的研究

本文应用XPS、ESR和TEM等手段研究了硫化的MoO_3/γ-Al_2O_3催化剂样品, 在不同钼含量、不同硫化条件以及进行甲烷反应前后, 其表面结构和价态的变化规律。观察到硫化时Mo~(+6)。还原为Mo~(+5)和Mo~(+4)的变化过程。硫化除了生成S~(-2)价态外, 还有硫的高价中间态生成。证明了经甲烷化反应后, 表面上的MoS_2晶粒明显长大。     

GC/MS和ESI/MS/MS同位素内标法检测甲基丙二酸血症

以甲基丙二酸血症为对象,分别用GC/MS和ESI/MS/MS方法对该疾病进行了定性和定量检测.通过对样品前处理和分离条件的改善,对疾病的标识化合物之一甲基丙二酸进行了定量测定,其稳定性、精密度和回收率结果很好.同时比较了GC/MS和ESI/MS/MS两种方法的特点,发现两种方法的结合不仅可满足新生儿代谢疾病筛查的要求,同时还可对高危人群进行诊断.     

财政政策对商业银行信贷结构影响的实证研究

加快结构调整已成为我国迫切需要解决的重要问题.财政政策在经济增长中具有再分配功能,对结构调整较为有效,不仅可以通过税收、投资和公共支出等对经济结构进行直接调控,而且可通过引导银行信贷资金对经济结构进行间接调控.结合财政政策理论,借用投入产出技术,从财政政策间接调控经济结构的角度,实证分析财政政策对银行信贷资金投放的引导作用,便于财政政策更好地发挥"结构调整"功能,并帮助商业银行保持和国家财政政策的一致性.     

Nb表达的清洁处理

本文介绍了用电子束加热（1500℃）及同时用氩离子溅射的方法进行金属Nb的表面清洁处理，处理结果良好。