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1.
在高中代数教学中,数学思想方法的发现往往在问题的深入中展开.而多项式是最常见的代数结构,本文试以多项式中常见的元素在学习、解题过程中的处理及意义出发,分析代数结构变换的一般思路与方法.  相似文献   
2.
为了探讨降雨和蒸发所引起的渗流对非饱和土土压力的影响,本文将基质吸力与渗流的关系式引入到基于统一强度理论的非饱和土抗剪强度公式中,得到了降雨和蒸发条件下考虑中主应力影响的非饱和土抗剪强度公式;结合土体的极限平衡理论,推导出了受降雨和蒸发影响的主动土压力、被动土压力、静止土压力系数公式;最后通过数值算例进行了分析。结果表明:在降雨和蒸发条件下,非饱和土主动土压力最小值为-145kPa,被动土压力最小值为139kPa;而常规方法计算的主动土压力最小值为-13.85kPa,被动土压力最小值为41.57kPa;在降雨和蒸发条件下,非饱和土主动土压力小于饱和土主动土压力,而被动土压力则相反;在非饱和土中,降雨和蒸发所引起的渗流使得静止土压力系数随着与地下水位距离的增加而减小,在地表附近将会达到-1;而在饱和土中,本算例中各计算点的静止土压力系数总是常数(K0=0.5)。  相似文献   
3.
杂环化合物广泛的存在于天然产物、药物、有机材料以及其他官能团化的分子中.所以发展杂环合成的新的方法学有着极其重要的意义.在所有的有机合成策略中,过渡金属催化的反应,由于其相对温和的反应条件和高效的原子利用率,无疑是一种理想的选择.这其中,过渡金属催化的羰基化反应又是一个比较理想的反应.自从20世纪30年代首度报道以来,羰基化反应经历了长足的发展.时至今日,各种羰基化反应类型都得到发展.反应底物也囊括了卤代芳烃、烯烃、炔烃及其它未经活化的化合物.羰基来源也从一氧化碳气体拓展到了其他原位释放一氧化碳的化合物,例如甲酸、醇、醛、生物质等.对我们课题组在过去5年中在过渡金属催化的羰基化合成杂环及杂环的官能团化领域的工作进行了总结.使用铜、钯、铑、钌和铱作为催化剂,基于碳卤键和碳氢键的活化,各种杂环化合物都能被高效的合成.  相似文献   
4.
BaTiO3 (BTO) ferroelectric thin films are prepared by the sol,el method. The fabrication and the optical properties of an InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diode (LED) with amorphous BTO ferroelectric thin film are studied. The photolumineseence (PL) of the BTO ferroelectric film is attributed to the structure. The ferroeleetric film which annealed at 673 K for 8 h has the better PL property. The peak width is about 30 nm from 580 nm to 610 nm, towards the yellow region. The mixed electroluminescence (EL) spectrum of InGaN/GaN multiple quantum well LED with 150-nm thick amorphous BTO ferroelectric thin film displays the blue-white light. The Commission Internationale De L'Eclairage (CIE) coordinate of EL is (0.2139, 0.1627). EL wavelength and intensity depends on the composition, microstructure and thickness of the ferroelectric thin film. The transmittance of amorphous BTO thin film is about 93% at a wavelength of 450 nm-470 nm. This means the amorphous ferroelectrie thin films can output more blue-ray and emission lights. In addition, the amorphous ferroelectric thin films can be directly fabricated without a binder and used at higher temperatures (200 ℃-400 ℃). It is very favourable to simplify the preparation process and reduce the heat dissipation requirements of an LED. This provides a new way to study LEDs.  相似文献   
5.
BaTiO3(BTO) ferroelectric thin films are prepared by the sol-gel method.The fabrication and the optical properties of an InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diode(LED) with amorphous BTO ferroelectric thin film are studied.The photoluminescence(PL) of the BTO ferroelectric film is attributed to the structure.The ferroelectric film which annealed at 673 K for 8 h has the better PL property.The peak width is about 30 nm from 580 nm to 610 nm,towards the yellow region.The mixed electroluminescence(EL) spectrum of InGaN/GaN multiple quantum well LED with 150-nm thick amorphous BTO ferroelectric thin film displays the blue-white light.The Commission Internationale De L’Eclairage(CIE) coordinate of EL is(0.2139,0.1627).EL wavelength and intensity depends on the composition,microstructure and thickness of the ferroelectric thin film.The transmittance of amorphous BTO thin film is about 93% at a wavelength of 450 nm-470 nm.This means the amorphous ferroelectric thin films can output more blue-ray and emission lights.In addition,the amorphous ferroelectric thin films can be directly fabricated without a binder and used at higher temperatures(200℃-400℃).It is very favourable to simplify the preparation process and reduce the heat dissipation requirements of an LED.This provides a new way to study LEDs.  相似文献   
6.
铁廉价,储量丰富,铁基催化剂具有独特的催化活性,其催化的羰基化反应备受化学家关注.烷基溴类化合物具有较高的解离能,酰胺和吲哚类化合物具有弱亲核性,上述性质使其发生羰基化转化具有一定的挑战性.本文发展了一种铁催化的酰胺化反应,使用羰基铁催化剂前体,在反应体系中原位生成低价态的活性铁催化中心,并对烷基类底物进行活化.随后发生一氧化碳对碳铁键的插入、酰基铁的生成、亲核试剂的进攻等反应,最后生成目标产品.在该催化体系作用下,未活化的烷基卤代物可以与胺、酰胺和吲哚发生反应,得到较高收率的酰胺、酰亚胺和N-酰基吲哚等化合物,并表现出较好的官能团兼容性.实验发现,含有天然产物骨架的原料也能够高效转化.在反应机理方面,本文进行了分子内、分子间自由基捕捉等研究,结合已报道的谱学研究结果,推断出低价态铁催化中心的存在.结合实验数据以及反应机理研究结果认为,该反应的反应历程是由底物决定的:当以烷基碘类化合物为原料时,经历的是单电子转移(自由基)过程;当以烷基溴类化合物时,经历的是双电子转移过程.综上,本文发展了一种铁催化的烷基卤代物的酰胺化反应,为烷基酰胺合成提供一定参考.  相似文献   
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