Photoemission Spectroscopy and Electronic Structures of LiMn2O4

We study the electronic structures of LiMn2O4 by x-ray and ultraviolet photoelectron spectroscopy （XPS, UPS） and resonant photoelectron spectroscopy （RPES）. XPS data suggest that the average oxidation state of Mn ions is 3.55, probably due to the small amount of lithium oxides on the surface. UPS and RPES data imply that Mn ions are in a high spin state, and RPES results show strong Mn3d-O2p hybridization in the LiMn2O4 valence band.     

Sb在Pt(100),Pt(110),Pt(111)及Pt(320)上不可逆吸附的电化学特性

研究了Sb在Pt(1 0 0 ) ,Pt(1 1 0 ) ,Pt(1 1 1 )和Pt(32 0 )单晶面上不可逆吸附的电化学特性 .发现当扫描电位的上限Eu≤ 0 .45V时 ,Sbad可以稳定地吸附在Pt(1 0 0 ) ,Pt(1 1 0 )和Pt(1 1 1 )表面 ,而Sbad在Pt(32 0 )表面稳定的电位较低 ,为Eu≤ 0 .40V .从饱和吸附Sb的铂单晶电极出发 ,通过改变电位扫描上限Eu 和电位扫描圈数可以获得不同Sb覆盖度 (θSb)的电极 .根据Sb和H在铂单晶电极表面共吸附的定量数据 ,对Sb在不同铂单晶面上饱和吸附的模型进行了初步探讨 .     

溅射功率对氧化锡薄膜结构和电化学性能的影响

应用射频磁控溅射技术在硅基底上制备氧化锡薄膜,着重研究溅射功率对薄膜结构和电化学性能的影响.XRD,SEM分析及恒电流充放电测试表明,随着溅射功率的增大,薄膜的结晶程度提高;生长速率和晶粒尺寸增大;电池的贮锂容量减少,且首圈不可逆容量损失增大.溅射功率对薄膜的电化学性能有较大的影响.     

表面偶极子对扫描电子显微镜共振电子注入的影响

用共振电子注入法和第一性原理计算研究了硒(Se)单原子在Si(111)-7×7表面的吸附. 理论结果表明由于不同的电负性,表面Si原子会向吸附的Se原子发生电子转移,从而导致一个0.61 eV的表面偶极子形成. 该表面偶极子改变了Si表面的有效隧道能垒同时导致在样品和扫描电子显微镜针尖之间真空间隙中共振态能级的移动. 并且0.61 eV的表面偶极子会引起共振电子注入偏压向高电位移动0.45 V.     

Li嵌入对V2O5电子结构及光学性质的影响

采用第一性原理局域密度近似法计算了V₂O₅的电子态密度和能带结构以及Li嵌入后对其电子结构和光学性质的影响。计算结果表明,V₂O₅是间接带隙半导体,Li的嵌入并没有改变其电子的跃迁方式。但Li的嵌入使得V₂O₅导带能量下移,禁带宽度减小,导带中原有的劈裂被分裂的能级填满;同时致使价带出现展宽。电子态密度计算结果表明Li的嵌入对临近的O和V的电子结构有较大的影响。Li2s电子的注入提高了V₂O₅的费米能级并导致其进入导带。由于价带中的电子只能跃迁到费米能级以上的导带空能级,这致使体系实际的光学带隙增大。同时随着Li注入量的进一步增加,价带的展宽更为明显,费米能级亦呈升高的趋势,使得光学带隙随着Li注入量的增加而增大。     

全固态薄膜锂离子电池

本文介绍了聚合物薄膜锂电池以及全固态无机薄膜锂电池,主要对全固态无机薄膜锂电池的发展过程以及其阴极材料、阳极材料、无机固态电解质的性能和制备技术进行了综述;同时介绍了全固态薄膜锂电池结构的研究,并提出了全固态薄膜锂电池现阶段研究存在的问题以及一些解决办法.     

气相输运法制备ZnO薄膜(英文)

运用气相输运技术在不同的衬底上制备ZnO薄膜,同时对这些ZnO薄膜的表面形貌、晶体结构和光学特性进行表征。在扫描电子显微镜图像上可以看到,相比没有镀金的Si衬底,ZnO纳米颗粒在镀金的Si衬底上的生长尺寸较大。X射线衍射测试结果表明,在Si(111)和Si(100)衬底上生长的ZnO薄膜显示出不同的六角纤锌矿结构的衍射峰,但没有出现立方闪锌矿ZnO结构的衍射峰。在镀金的Si衬底上,ZnO薄膜生长取向主要为c轴方向。此外,所有ZnO样品的光致发光谱上均只出现一个狭窄且强的紫外峰,约在389 nm(3.19 eV)波长处。     

Influences of Li Intercalation on the Electronic Structures of O2p and V3d Orbitals in α-V2O5

运用第一性原理计算了锂嵌入对α-V₂O₅中O2p和V3d轨道电子结构的影响. 计算结果表明,不同的锂嵌入位置对O2p和V3d轨道的电子结构有着不同的影响. 但锂的嵌入会减弱了V₂O₅中V=O1键,同时导致V3d导带的劈裂变窄或消失和O2p价带变宽. 最后计算出从每个Li2s轨道到V3d轨道的电子传递数为0.52.     

锂嵌入对α-V2O5中O2p和V3d轨道电子结构的影响

运用第一性原理计算了锂嵌入对α-V2O5中O2p和V3d轨道电了结构的影响．计算结果表明，不同的锂嵌入位置对O2p和V3d轨道的电了结构有着不同的影响．但锂的嵌入会减弱了V2O5中V=O1键，同时导致V3d导带的劈裂变窄或消失和HO2p价带变宽．最后计算出从每个Li2s轨道到V3d轨道的电子传递数为0．52．     

Sb在Au电极上不可逆吸附的电化学过程

用电化学循环伏安法和电化学石英晶体微天平(EQCM)技术研究了Sb在Au电极上不可逆吸附的电化学过程. 研究结果表明, 在-0.25 V到0.18 V(vs SCE)范围内, Sb可在Au电极上稳定吸附, 并且在0.15 V附近出现特征氧化还原峰. 根据EQCM实验数据, 在电位0.18 V时, Sb在Au电极上的氧化产物是Sb2O3; 同时Sb的吸附阻止了电解液中阴离子和水在Au电极上的吸附. 当电极电位超过0.20 V时, Sb2O3会被进一步氧化成Sb5+化合物, 同时逐渐从Au电极表面脱附.