激基复合物给体作间隔层对激子复合区域的调节

为研究激基复合物器件激子复合区域的变化,在TPD/BPhen界面可形成激基复合物发光的基础上,以Ir(pq)2(acac)为探测层,制备器件ITO/Mo O_3(2.5 nm)/TPD((40-x)nm)/Ir(pq)2(acac)(0.5 nm)/TPD(x,x=0,3,6,10 nm)/BPhen(40 nm)/Cs2CO_3/Al,其中靠近BPhen的TPD称之为间隔层。电致发光光谱表明,该组器件的激子复合区域主要位于Ir(pq)2(acac)薄层和TPD/BPhen界面,分别发射595 nm和478 nm的光。随着TPD间隔层厚度的增加和电压的升高,发光区域向激基复合物区域(TPD/BPhen界面)移动,即更多的电子和空穴在TPD/BPhen界面形成激基复合物发光,Ir(pq)2(acac)发光减弱。当间隔层厚度由0 nm增至10nm时,6 V电压下的Ir(pq)2(acac)和激基复合物发光强度的比值由44降至1.5。对于间隔层厚度为6 nm的器件,Ir(pq)2(acac)和激基复合物发光强度的比值由6 V时的2.8降至10 V时的1.0。由此可见,激基复合物给体作间隔层能有效调节激子复合区域。     

电子传输层PBD对Alq_3∶DCJTB电致发光器件的影响(英文)

以PBD为电子传输层制作了一组掺杂型有机电致发光器件,并研究了掺杂器件中PBD对器件的光谱、亮度等的影响。发现PBD与NPB和DCJTB分别掺杂的器件的光谱与其它的器件不同,然后运用了载流子的注入、传输及PBD的传输特性等方法对光谱做出了合理的解释,并运用高斯截谱的方法分析了各个发光峰的产生原因。     

CdSe量子点掺杂聚合物太阳能电池光谱响应特性研究

采用喷涂法分别制备了基于P3HT∶PCBM体异质结和P3HT∶PCBM∶QDs体异质结光活性层的有机太阳能电池器件,并对其光电响应进行了表征和对比。同时采用光谱手段对两者的光活性层进行对比分析。实验结果表明,量子点的加入拓宽了薄膜吸收光谱,同时增强了光致电子转移过程,从而改善了器件的光谱响应;双源共喷制备的P3HT∶PCBM∶QDs体异质结器件转化效率比同样是喷涂制备的P3HT∶PCBM体异质结提高了25%。     

通过拉曼和红外光谱实验训练学生科研素养

拉曼光谱和红外光谱都是重要的现代光谱分析手段,在科研、生产等方面发挥着极大的作用.本文针对开设的实验内容——测量四氯化碳的拉曼光谱和红外吸收光谱,引导学生利用Origin软件(含部分高级功能)处理实验数据,要求学生在查阅大量文献资料基础上,完善自身知识体系的同时对实验数据进行系统科学的分析,使学生的科研素养(如文献检索能力、科技数据的处理和分析能力、由已知探索未知的能力)得到有效训练.     

电子传输层PBD对Alq3：DCJTB电致发光器件的影响

以PBD为电子传输层制作了一组掺杂型有机电致发光器件,并研究了掺杂器件中PBD对器件的光谱、亮度等的影响。发现PBD与NPB和DCJTB分别掺杂的器件的光谱与其它的器件不同,然后运用了载流子的注入、传输及PBD的传输特性等方法对光谱做出了合理的解释,并运用高斯截谱的方法分析了各个发光峰的产生原因。     

双电子传输层对有机发光二极管效率及其衰减的改善

采用Bphen和BCP制成双电子传输层(Doubleelectrontransportlayers, DETLs)的有机发光二极管器件, 与Bphen单独作ETL的器件相比, DETLs器件具有较小的空穴漏电流, 效率提升10%。与BCP独自作ETL的器件相比, 更多的电子注入使DETLs器件的效率在50~600mA/cm²的电流范围内没有衰减。BCP作ETL的器件的效率从50mA/cm²时的2.5cd/A衰减至300mA/cm²的2.1cd/A, 衰减了16%。Cs₂CO₃:BCP独自作ETL的器件效率在50~300mA/cm²的电流范围内衰减了30%, 而Bphen/Cs₂CO₃:BCP作DETLs的器件效率在50~600mA/cm²的电流范围内衰减幅度为0, 原因是Bphen阻挡了Cs原子扩散至发光层。     

3DTAPBP的双分子激发态——电致激基缔合物和激基复合物

研究了苯胺类化合物3DTAPBP(2,2’-二(3-二对甲苯基氨基苯基)联苯)的双分子激发态。首先,制备了3DTAPBP的单层有机发光二极管(OLED)：ITO/MoO₃/3DTAPBP/LiF/Al,其电致发光光谱中不仅含有3DTAPBP的单体激子发光(中心波长约420 nm,蓝光),还观察到电致激基缔合物的发光(峰值为578 nm, 黄光)。由单体发光和电致激基缔合物发光可以混合得到白光,如：7.0 V电压下,3DTAPBP的单层器件的色坐标为(0.36, 0.31),器件结构非常简单。不过由于单层器件中载流子注入和传输的严重不平衡,亮度和效率极低。此外,在3DTAPBP与电子传输材料TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)构成的双层器件(ITO/MoO₃/3DTAPBP/TPBi/LiF/Al)中,由于载流子在界面处的堆积,观察到3DTAPBP/TPBi界面处形成激基复合物发光(中心波长约490 nm),对应光子的能量和3DTAPBP与TPBi的HOMO(最高占有轨道)-LUMO(最低未占有轨道)能级差基本吻合。对双层器件的电致发光光谱进行洛伦兹分解拟合,发现随着电压的增加,激基复合物发光减弱,原因是更多的载流子越过3DTAPBP/TPBi界面势垒,相应的3DTAPBP的单体激子发光逐渐增强。4,6和8 V驱动电压下,双层器件的色坐标分别为(0.28, 0.35),(0.24, 0.29)和(0.27, 0.28),随着驱动电压的增大,发光颜色逐渐趋于白色。双层器件的最高亮度和最大电流效率分别达1 349.2 cd·m-2,1.22 cd·A-1。     

含电活性界面层有机铁电纳米薄膜的疲劳性能

采用3种类型的电活性界面层材料,如高介电常数材料酞菁铜（CuPc）、电子导体原位合成的聚（乙撑二氧噻吩）-聚（苯乙烯磺酸）（PEDOT-PSSH）以及离子导体聚乙烯基磷酸（PVPA）和商业的PEDOT-PSSH（BaytronP）,研究了界面层对铁电共聚物薄膜的疲劳特性的影响。研究结果表明,三种类型的电活性界面层材料,包括电子、离子导体和含偶极子的高介电常数材料都能为铁电薄膜提供补偿电荷从而提高器件的铁电疲劳性能。     

ZnSe(ZnS)纳米晶与MEH-PPV的共掺有机电致发光器件

采用水相法合成核壳结构ZnSe/ZnS 纳米晶,经X射线衍射(XRD)分析和透射电子显微镜(TEM)表征,证实所制备的样品为立方晶型闪锌矿结构ZnSe/ZnS量子点。按照一定的质量比将ZnSe/ZnS 纳米晶和有机聚合物MEH-PPV(poly ) 共掺并将其作为发光层,分别制备单层和多层有机电致发光器件,结构为ITO/MEH-PPV∶ZnSe(ZnS)(50 nm)/Al和 ITO/PEDOT∶PSS(70 nm)/ MEH-PPV∶ZnSe(ZnS)(50 nm)/BCP(15 nm)/Alq₃(12 nm) /LiF(0.5 nm)/Al。实验结果表明,多层发光器件的发光特性与单层器件不同,工作电压的增大使其发光峰发生了明显的蓝移。     

香豆素C545T红外光谱的理论计算和实验研究

通过量子化学计算和实验研究了香豆素C545T的红外吸收光谱.采用量子化学密度泛函理论在B3LYP/6-31G(d)基组水平计算了C545T的优化结构参数、红外光谱及其溶剂效应，同时通过傅里叶变换红外光谱仪测量C545T粉末和不同溶剂饱和溶液的红外吸收光谱，计算红外光谱与实验吻合得很好，线性回归相关性系数为0.9996.另外，C545T的红外光谱具有溶剂效应，以C=O为例，其伸缩振动频率随着溶剂极性的增大而减小，即产生红移，实验所测C=O伸缩振动频率与溶剂介电常数线性相关.