基于等离子体电荷转移调控的抗干扰全息存储研究

贵金属纳米粒子由于对激发光的偏振类型和波长的有效响应,成为了全息存储介质的优选材料,但目前还未找到有效的方法抑制紫外光对等离子体存储信息的擦除影响,进而其在抗干扰全息存储器件的应用上受到了很大限制.本文从等离子体诱导电荷分离基本原理出发,利用受主中心俘获载流子转移的方法,在传统Ag/TiO2纳米复合薄膜上,实现了存储信息从可擦除到不可擦除的调控.研究表明:多金属氧酸盐基团能有效调控贵金属/半导体系统内部的电荷转移,实现抗紫外线和射线擦除的高性能全息数据存储.     

一种实时测量和表征超薄SiO2薄膜的实验方法

采用Ｐ－偏振傅里叶变换红外反射吸收光谱技术，实现了对溅射型顺旋共振微波等离子体技术制备的超薄ＳｉＯ２薄膜的实时监测和表征。实验表明：该方法是一种无损伤性、快速而准确的实时分析ＳｉＯ２薄膜质量的有效方法。     

In1-xGaxAsyP1-y/InP异质界面晶格失配对外延晶体质量的影响

用X-射线双晶衍射,双晶形貌术和光致发光方法综合研究了In1-xGaxAsyP1-y/InP异质界面晶格失配对LPE晶体质量的影响。实验表明,异质界面晶格失配是导致外延层中位错和缺陷增多,杂质凝聚和辐射复合深中心增多的重要因素。     

(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱的光学特性研究

设计并制备了一种新型的(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱结构.使CdZnTe量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ZnS阱层,从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的.并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结构中横向激子隧穿的存在,从而为进一步研究超高速光开关提供了实验依据.     

MR/PVA薄膜的SP和PP偏振存储特性的比较

用两正交偏振光(SP)和两P偏振光(PP)作为记录光(λ=532nm)，记录光的功率均为5mW，用He—Ne激光器632．8nm红光作为读出光，分别得到两种记录条件下甲基红掺杂聚乙烯醇薄膜(MR／PVA)样品的光栅生长曲线．发现用两P偏振光作为记录光时，光栅生长曲线分为快、慢2个过程；两正交偏振光作为记录光时，光栅生长曲线只有一个过程，前者的慢过程和后者过程的响应时间近于相同．     

ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响

研究了作为缓冲层的ZnO薄膜在不同的退火时间、退火温度下退火对Si衬底上生长ZnSe膜质量的影响。当溅射有ZnO膜的Si(111)衬底的退火条件变化时，从X射线衍射谱（XRD）和光致发光谱（PL）中可见，ZnSe(111)膜的晶体质量有较大的变化。变温的PL谱表明，Si衬底上生长的具有ZnO缓冲层的ZnSe膜的近带边发射峰起源于自由激子发射。     

LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究

用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe，ZnSeTe)／ZnTe复合量子阱结构。测量了生长样品的光致发光(PL)谱，得到两个发光峰(记为Il，I2)，分析认为高能侧的峰为Zn0．9Cd0．1Te浅阱峰，而低能侧的峰为ZnSe0．2Te0.8深阱层的发射。对样品进行了变激发强度的PL谱测量，当激发强度增加时，PL谱中两个发光峰的比值(I2／I1)开始时迅速增加，然后缓慢减小。这是由于浅阱中的电子和空穴隧穿入深阱中导致空间电荷的分离，从而在复合量子阱结构中产生了一个内建电场所引起的。     

甲基红染料掺杂的聚乙烯醇薄膜光存储特性的实验研究

用2倍频小型YAG激光(532nm)作为写入光和擦除光,用He-Ne激光器623.8nm线作为读出光,用CCD作为探测器,研究了不同写入光功率下,甲基红/聚乙烯醇(MR/PVA)薄膜光栅生长的动力学过程和不同擦除光功率下,光栅擦除的动力学过程.结合光栅生长曲线的波动现象,对光存储机制进行了新的探讨.实验发现,两写入光和读出光的功率配比为1:1:1时,可获得最大衍射效率,提出读出光对写入过程具有双重作用的物理模型,对此实验结果给出了合理的解释.     

Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长

以硒化氢（H2Se）和二甲基锌为源材料，生长温度是300℃时，用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜的能量色散（EDS）以及光致发光（PL）实验验证ZnSe外延膜的质量，在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰，这说明外延膜是（111）取向的单晶薄膜，在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外，没有观测到其他原子，说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1，有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰，表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。     

银纳米粒子在云母表面的二维组装及其表面增强拉曼效应

随着纳米技术的迅速发展 ,利用共价或非共价键作用将金属纳米粒子组装到固体基片上 ,因其方法简单、重复性好而成为研究热点 .目前 ,人们已经成功地利用带有— SH[1,2 ] ,—CN,— NH2 [3 ] 等基团的单层或多层膜作为偶联剂将 Au和 Ag等金属纳米粒子固定在玻璃、石英、硅、金等固体基片上 .但在许多情况下 ,偶联剂却成为一种干扰物质 .云母是一种重要的电子工业材料 ,并具有廉价、较易获得新鲜表面等特点 ,研究金属纳米粒子在云母表面的组装和排列无疑具有重要意义 .但是 ,迄今为止 ,在表面没有偶联剂修饰的条件下 ,以云母为基底的金属纳…