Alq3和CdSeS量子点掺杂体系的载流子输运性质的研究

利用飞行时间法(time-of-flight)测定了有机小分子发光材料8-羟基喹啉铝(Alq₃)与CdSeS量子点掺杂体系的载流子迁移率.研究了Alq₃和CdSeS混合薄膜的载流子迁移率与外加电场强度和量子点浓度的变化关系.研究结果表明,CdSeS量子点的掺杂浓度的增加会引起薄膜样品位置无序的增加.除此之外,Alq₃和CdSeS量子点界面之间的电荷转移作用,以及在量子点之间进行跳跃传输的电子数量都会改变样品的载流子迁移率. 关键词： 3')" href="#">Alq₃ CdSeS量子点 飞行时间法     

皮秒和纳秒单脉冲激光加热Al/NC复合纳米含能材料的热动力学分析

对纳米金属颗粒复合含能材料这一新兴体系的单脉冲激光作用的热动力学过程进行了理论分析. 推导了分散在介质中的纳米金属颗粒吸收脉冲激光能量的瞬时功率密度. 从热分解机理出发对纳米金属铝复合硝化纤维(Al/NC)薄膜吸收脉冲激光能量过程以及伴随着放热化学反应的热点热量传播过程进行了数值模拟,计算了不同质量分数的Al/NC薄膜样品分别在100ps,10ns,25ns脉冲激光作用下的化学反应直径. 计算结果与实验数据相比较,表明了热分解基本符合10ns,25ns脉冲激光引发含能材料反应的机理,但它并不符合100ps 关键词： 热分解 化学反应 脉冲激光 含能材料     

Alq3和CdSeS量子点掺杂体系的载流子输运性质的研究

利用飞行时间法(time-of-flight)测定了有机小分子发光材料8-羟基喹啉铝(Alq3)与CdseS量子点掺杂体系的载流子迁移率.研究了Alq3和CdSeS混合薄膜的载流子迁移率与外加电场强度和量子点浓度的变化关系.研究结果表明,CdSeS量子点的掺杂浓度的增加会引起薄膜样品位置无序的增加.除此之外,Alq3和CdSeS量子点界面之间的电荷转移作用,以及在量子点之间进行跳跃传输的电子数量都会改变样品的载流子迁移率.     

制备压力对La2/3Sr1/3MnO3的磁电阻效应的影响

 研究了制备压力对纳米块状样品La_2/3Sr_1/3MnO₃的结构、磁学和电学性质的影响。结果表明：样品的晶粒尺寸随制备压力的增加而变小，且不同样品的磁电阻效应不同。低场磁电阻效应在整个实验温区都随制备压力的升高而变弱，这主要是由制备压力使样品晶粒界面连接更紧密所导致；T<200 K时，高场磁电阻效应随制备压力的升高而变强，T>200 K时，高场磁电阻效应随制备压力的升高反而变弱，这主要是由制备压力改变样品的晶粒尺寸所引起。     

Coherent coupling between vibrational modes of C-H bonds at different positions studied by femtosecond time-resolved coherent anti-Stokes Raman scattering

We performed femtosecond time-resolved coherent anti-Stokes Raman scattering(fs-CARS) measurements on liquid toluene and PVK film.For both samples,we selectively excited the CH stretching vibrational modes and observed the expected quantum beat signals.The frequency of the well-defined beats is in good agreement with the energy difference between the two simultaneously excited modes,which demonstrates that a coherent coupling between the vibrational modes of the C-H chemical bonds exists at the different positions of the molecules.The dephasing times of the excited modes are obtained simultaneously.     

晶粒尺寸对La0.83Na0.17Mn0.90Fe0.10O3磁性和输运性质的影响

本文研究了纳米相和体相多晶样品La5/6Na1/6Mn0.90Fe0.10O3的结构、磁性和输运性质.XRD谱图表明两样品都是单相的钙钛矿结构.随着晶粒尺寸的减小晶粒表面处的自旋无序增多,使居里温度降低,同时使自旋相关电子在晶界处的散射增强,提高了材料电阻率.纳米粒子的尺寸效应提高了材料的低场磁电阻;晶粒表面自旋无序的增多使电子在晶粒表面的二阶隧道效应增强,提高了高场磁电阻效应.零场电阻率的拟合结果也表明晶粒尺寸的减小使自旋无序增加.     

四元Heusler合金NiMnFeGa中Fe原子的磁性贡献

用熔炼和甩带的方法制备了组分为Ni₅₀Fe_xMn_25-xGa ₂₅(x=0—25) 的系列样品.x射线衍射实验结果表明，当Fe取代Mn的含量x＜17时，用熔炼和甩带的方法均 能合成高度有序的L2₁结构的Heusler相.而当x＞17时，普通熔炼方法只能得到 低有序度的 γ相，只有采用甩带急冷的方法才能获得高度有序的纯L2₁结构的化合物.根据 交流磁化率 和分子磁矩的测试结果，初步分析了Fe原子对化合物磁性的贡献，认为Fe原子占据了Mn原子 的位置后，具有高于一般含铁合金的原子磁矩，可达2.55—3.55μ_B. 关键词： Heusler合金 50Fe_xMn_25-xGa_{25')" href="#">Ni50FexMn25-xGa25}     

Heusler合金Cu2VAl磁性及输运性质的研究

对Heusler合金Cu2VAl多晶甩带样品进行了磁性与输运性质方面的研究.实验发现Cu2VAl在温度T为210K附近发生铁磁-顺磁相变,为弱铁磁体.输运性质的测量表明在7.2K时电阻因局域杂质超导相变而发生突变,电子和声子之间的散射是主要的散射机理.居里温度Tc以下存在侧跃导致的反常霍尔效应,并且7K附近的相变导致霍尔电阻率发生异常.     

数据处理程序的模块化设计

本文介绍了一种模块化的程序方法，简化编写程序的过程。     

Heusler合金Cu2VAl磁性及输运性质的研究

对Heusler 合金Cu₂VAl多晶甩带样品进行了磁性与输运性质方面的研究. 实验 发现Cu₂VAl在温度T为210K附近发生铁磁—顺磁相变，为弱铁磁体. 输运性质的 测量表 明在72K时电阻因局域杂质超导相变而发生突变，电子和声子之间的散射是主要的散射机 理. 居里温度T_C以下存在侧跃导致的反常霍尔效应，并且7K附近的相变导致霍 尔电阻率发生异常. 关键词： 磁性 输运 2VAl')" href="#">Cu₂VAl