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基于半导体物理和IGBT基本结构, 深入论述了IGBT关断机理, 推导出IGBT关断时间随电压和电流的变化规律: 关断时间随电压的增大而增大, 随电流的增大而减小. 查明了变化规律的物理机理, 仿真和实验结果验证了理论推导与所得变化规律的正确性. 提出采用指数与双曲线复合规律描述IGBT关断时间的变化. 对深化IGBT关断机理和解决电力电子装置死区时间设置等工程问题具有一定的理论意义和应用价值.
关键词:
关断机理
耗尽层
载流子
关断时间 相似文献
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本文主要是研究连续变量遗传系统V o lterra方程的第二型,即x(t h0)=η(t h0) F(t,(x(t),x(t-h1)…,x(t-hm))的p-均值可积性.同时举例说明了此方程的Lyapunov泛函的构造,以及利用Lyapunov泛函证明了例子的均方可积性. 相似文献
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本文主要是研究了具有时滞随机复合系统的反馈律和全局稳定,及其所需要的充分条件.主要的方法是:引入一个测度函数u,使得关于ξ的随机系统稳定,再通过附加条件,从而达到整个复合系统的稳定. 相似文献
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