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1.
通过透射光谱、x射线激发发射光谱(XSL)的测试,研究了Bridgman法生长的几种不同+3价离子掺杂钨酸铅晶体的发光性能,并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和x光电子能谱(XPS)的实验手段,对不同钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究.实验表明,不同的+3价离子掺杂,对钨酸铅晶体发光性能的改善不同,并使得晶体中正电子俘获中心和低价氧的浓度发生不同变化.其中掺镧晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均上升,而掺钇和掺铋晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均下降,掺锑晶体则出现了正电子俘获中心浓度上升、低价氧浓度下降的情况.提 关键词: 钨酸铅晶体 +3价离子掺杂 正电子湮没寿命谱 x光电子能谱  相似文献   
2.
刘峰松  顾牡  张睿 《中国物理》2004,13(11):1931-1935
The defects associated with interstitial oxygen in lead tungstate crystals (PbWO4) are investigated by the relativistic self-consistent discrete variational embedded cluster method. The research work is focused on the density of states of interstitial oxygen defects and relational Frankel defects. The transition state method is used to calculate excitation energy of different electron orbits. Simulation results show that the existence of defects related to interstitial oxygen can diminish the bandwidth of the WO4^2- group, and it might produce the green luminescence, Frankel defects associated with interstitial oxygen could result in the absorption at 420nm.  相似文献   
3.
刘峰松  顾牡  姚明珍  梁玲  陈铭南 《物理学报》2003,52(9):2274-2279
采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法,计算了掺钇PbWO4 晶体中多 种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能,由能量最低原理发现[2(Y3+Pb)-V″Pb]缺陷在各相关缺陷形式中最为稳定.并运用过渡 态方法计算了轨 道跃迁的激发能,算出掺Y后晶体中O2p→Y4d的跃迁能量为3.9eV,表明掺Y不会引起晶体中3 50nm和420nm吸收.从掺Y对PbWO4晶体电子结构的影响来看,其作用机理与掺La 的情况也有较大差异. 关键词: 4晶体')" href="#">PbWO4晶体 密度泛函 掺Y 态密度分布  相似文献   
4.
掺铌钨酸铅晶体缺陷的理论研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
采用基于相对论性密度泛函理论的离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4:Nb晶体中Nb缺陷态的态密度分布和能量,并运用过渡态方法计算了其激发能。通过计算掺Nb缺陷态电子态密度分布,发现与V0相关的F^ 心是晶体掺Nb的主要补偿机制。(NbO3 F^ )^2-缺陷在掺铌钨酸铅晶体各相关缺陷形式中存在所需能量最低。计算结果表明V0有关的F^ 的存在是有效消除晶体中350nm吸收的主要原因。而F^ →W5d轨道的跃迁能量为2.8eV,对应晶体中420nm吸收。  相似文献   
5.
应用嵌入分子团簇的相对论密度泛函理论和离散变分(DVM)计算程序,对Na、Bi两种不同占位状态钨酸铋钠晶体的电子结构进行了理论计算。经计算,(Bi4Na4W5020)6 团簇的禁带宽度为4.1eV,与实际晶体的禁带宽度相符;导带底主要是W5d轨道与Bi6p1/2轨道,而价带顶则主要由O2p轨道组成;Bi轨道能级受Na、Bi离子占位因素影响较大。  相似文献   
6.
Nb2O5掺杂对提高钨酸铅晶体发光性能的微观研究   总被引:4,自引:2,他引:2  
通过透射谱、X射线激发发射谱(XSL)的测试,研究了布里奇曼(Bridgman)法生长的掺铌钨酸铅晶体的发光性能,并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X射线光电子能谱(XPS)的实验手段,对其微观缺陷进行了深入研究。结果表明,铌掺杂能够有效地改善钨酸铅晶体的350nm吸收带,提高钨酸铅晶体的发光快成分比例,并使得晶体中的正电子捕获中心浓度上升,低价氧浓度上升。提出掺铌钨酸铅晶体中Nb^5 将占据W^6 格位并使得晶体内部分(WO4)^2-根团成为(NbO3 Vo)^-,由此可改善钨酸铅的发光性能。  相似文献   
7.
掺钇钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过透射谱、X射线激发发射谱(XSL)的测试,研究了Bridgman法生长的掺钇钨酸铅晶体的发光性能,并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X光电子能谱(XPS)实验手段,对掺钇钨酸晶体的微观缺陷进行研究。实验表明,钇掺杂能够提高钨酸铅晶体的发光快成分比例,并使得晶体中的正电子俘获中心浓度下降,低价氧浓度下降。提出掺钇钨酸铅晶体中钇的掺杂主要以Y^3 占据VPb的形式存在。Y^3 占据VPb可能是钨酸铅晶体吸收边得到改善的原因,而由于晶体内低价氧浓度的减少,作为绿光发光中心的(WO3+O^-)基团的减少可能会使发光快成分比例有所增加。  相似文献   
8.
采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法,计算了掺钇PbWO4晶体中多种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能,并讨论了相关缺陷的电荷补偿机制。VPb是掺Y钨酸铅晶体中主要的电荷补偿方式。YPb^3 VPb相关缺陷可能是晶体中存在的主要缺陷,其中[2(YPb^3 )—VPb^‘‘]在晶体中更稳定。缺陷态[2(YPb^3 )-VPb‘‘]和[(YPb^3 )-VPb‘‘]的态密度分布及其激发能的计算结果表明:掺Y晶体O2p→W5d的跃迁能量均为4.3eV,使周围WO4^2-禁带宽度增大,可改善420hm与350hm的吸收,并通过减少VPb-V0联合空位可有效抑制PbWO4晶体的本征吸收。晶体中掺Y与掺La对发光影响不同,掺Y可敏化PWO晶体的蓝发光。  相似文献   
9.
顾牡  刘峰松  张睿 《发光学报》2004,25(4):339-343
利用相对论密度泛函理论和嵌入分子团簇方法,模拟计算了具有闪锌矿结构的γ态CuI晶体及其缺陷态的电子结构。结果显示晶体的本征能级结构:价带顶主要由I5p和Cu3d轨道杂化组成,导带底由Cu4s轨道组成,禁带宽度为3.1eV,该结果与实验相符。在不同缺陷态的计算中,四面体间隙铜缺陷相对其他间隙缺陷更易于在晶体中形成,其中Cu3d→4s跃迁能量为3.2eV,推测与CuI晶体发光密切相关。  相似文献   
10.
The defects associated with lead vacancies(VPd)in lead tungstate crystals(PbWO4) are investigated by the relativistic self-consistent discrete variational embedded cluster method.We focus on the density of states and the effect of Vpb on surroundings,the results show that the existence of Vpb can diminish the bandwidth of WOr^2- group,however,it can neither produce O^- and Pb^3 ions nor result in absorptions at 350 and 420nm,The charge balance of VPb may be evenly compensated by the surrounding oxygen ions.  相似文献   
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