三唑环修饰的苯并菲二羧酸酯和酰亚胺: 合成、液晶及凝胶性

在盘状液晶分子外围柔性链中引入功能不同的基团, 是设计和合成具有良好液晶性能化合物的常用策略. 本工作从苯并菲2,3-二甲酸和酸酐出发, 通过亲核取代和点击反应, 分别合成了两类三唑环修饰的苯并菲二羧酸酯和苯并菲酰亚胺化合物. 热重分析仪(TGA)测试表明, 新制备的主要中间产物与目标化合物失重为5%时的温度在274~389 ℃之间, 均表现出良好的热稳定性. 我们通过差示扫描量热法(DSC)、偏光显微镜(POM)和变温X射线衍射(XRD)实验对这些化合物的热力学行为和介晶性进行了研究. 除三唑环修饰的酯3a和3b无液晶性外, 主要中间产物(2和5)与三唑环修饰的酰亚胺产物(6a和6b)均有一个六方柱状液晶相. 此外, 制备的以三唑为桥联基团的酰亚胺二聚体10为室温液晶, 具有173 ℃的液晶范围. XRD证实了该二聚体中存在有序度不同的两种柱状液晶相(Col_h1和Col_h2). 另外, 由于三唑环的引入, 三唑环修饰的酯类和酰亚胺两类化合物在某些有机溶剂中都能形成有机凝胶. 其中, 二聚体10在1,2-二氯乙烷和1,4-二氧六环中表现出优异的凝胶能力, 其临界凝胶浓度(CGC)可低至1 mg/mL. 相比之下, 不含三唑环的中间产物2和5则不能形成凝胶, 表明三唑环之间的偶极-偶极作用和液晶刚性核π-π堆积的协同作用对于超分子凝胶的形成起着重要的作用. 因此, 同时表现出液晶和凝胶性质的三唑环修饰的苯并菲2,3-二酰亚胺分子具有成为一种多功能材料的潜在应用价值.     

Flow Field and Temperature Field in GaN-MOCVD Reactor Based on Computational Fluid Dynamics Modeling

Metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) growth systems are one of the main types of equipment used for growing single crystal materials, such as GaN. To obtain film epitaxial materials with uniform performance,the flow field and temperature field in a GaN-MOCVD reactor are investigated by modeling and simulating. To make the simulation results more consistent with the actual situation, the gases in the reactor are considered to be compressible, making it possible to investigate the distributions of gas density and pressure in the reactor.The computational fluid dynamics method is used to study the effects of inlet gas flow velocity, pressure in the reactor, rotational speed of graphite susceptor, and gases used in the growth, which has great guiding significance for the growth of GaN film materials.     

爆炸载荷下脆性颗粒体系破碎特性的数值研究

试验发现,以球形TNT为中心爆源,球形玻璃珠构成的颗粒和球壳中发生破碎的颗粒体积分数随当量比(颗粒球壳的质量与TNT炸药的质量比)的增加呈现指数衰减规律。采用有限元与离散元耦合的连续非连续数值方法,揭示了中心炸药起爆后颗粒环壳内爆炸波的传播衰减和在环壳外界面反射后的稀疏卸载过程。由于爆炸波的短脉冲特性,颗粒内部应力场始终处于应力非均衡状态,采用应力均衡状态下颗粒破碎强度的Weibull分布会得到远高于试验测得的破碎颗粒体积分数。因此采用破坏波传播特征时间内的平均诱导应力而非瞬时诱导应力作为颗粒破碎强度的应力指标,并通过试验结果确定破坏波传播特征时间。考虑了应力传播的非均匀性对于颗粒破碎的影响,得到了平均诱导应力峰值的概率分布随比例距离的变化规律,结合修正后的颗粒破碎强度Weibull分布建立了破碎颗粒体积分数随比例距离的变化模型。     

利用FePt/Au多层膜结构制备垂直磁记录L10-FePt薄膜

利用磁控溅射方法在100℃的MgO单晶基片上制备了［FePt/Au］₁₀多层膜，并研究了采用FePt/Au多层膜结构对FePt薄膜的有序化温度、矫顽力（H_C）、垂直磁各向异性、晶粒尺寸以及颗粒间磁交换耦合作用的影响.磁性测试结果表明：FePt/Au多层膜在退火后具有较高的H_C、良好的垂直磁各向异性、较小的晶粒尺寸且无磁交换耦合作用.截面高分辨电镜分析表明：Au可以缓解MgO和FePt之间较大的晶格错配，从而促进薄 关键词： 0-FePt薄膜')" href="#">L1₀-FePt薄膜 有序化温度 垂直磁各向异性 磁交换耦合作用     

绿色聚天冬氨酸复配缓蚀剂对A3碳钢的缓蚀抑雾作用

采用失重法和极化曲线法研究了聚天冬氨酸(PASP)和十二烷基酚聚氧乙烯醚(OP-10)复配对A3碳钢在6mol·L-1HCl腐蚀介质中的协同吸附行为及缓蚀抑雾作用.结果表明:复配缓蚀剂可有效抑制A3碳钢在HC1介质中的腐蚀,当PASP浓度为20g·L-1,缓蚀率可达94%,抑雾率83%;随着温度的升高,复配缓蚀剂的缓蚀性能下降.复合缓蚀剂在钢表面的吸附符合校正的Langmuir模型,吸附过程为放热、熵减的自发过程;复配体系属于阳极型缓蚀剂.     

影响DPF焦点装置中子稳定性的因素和改进措施

简要叙述了稠密等离子体聚焦装置作为中子发生器的工作原理，对影响稠密等离子体聚焦装置放电出中子产额及其稳定性的一些因素和改进措施进行了简单讨论．通过使用不同电极形状的场畸变开关很好地提高了焦点装置的运行，使装置输出中子的起伏得到明显的改善．通过对腔内电极的清洁，在不更换气体的条件下，聚焦装置放电出中子产额稳定.The principle of dense plasma focus(DPF) as neutron generator has been investigated in this paper. We have stated briefly some factors that mainly influnce the DPF s neutron yield and some methods improving the stability of neutron yields on the dense plasma focus. It is showed that the fluctuation of DPF output neutron becomes smaller by using different types of field-distortion elements. Over 100 consecutive shots without purging the test gas the neutron yields has no obvious change.     

稠密等离子体聚焦装置的中子产额及其稳定性研究

叙述了稠密等离子体聚焦装置(DPF)作为中子发生器的工作原理，讨论了影响DPF中子产额及其稳定性的一些因素和改进措施。利用不同电极形状、不同绝缘气体的场崎变开关可以很好地提高聚焦装置的运行性能，使装置输出中子的起伏由过去的约两个量级降到目前的3倍左右。通过对腔内电极的清洁，在不更换气体的条件下。中子产额无明显下降。     

误差估计中矩阵求逆条件数的最优性在Hilbert空间中的推广

本文利用Hilbert空间中可逆算子的极发解定理，将误差估计中矩阵求逆条件数的最优性在Hilbert空间中进行推广，证明了线性有界算子A的求逆条件数K(A)=‖A‖A^-1‖在求算子扰动逆(A E)^-1的相对误差界中的极小性质，指出了算子求逆条件数在误差估计为仅与算子A有关的最佳常数值。     

一类非线性变分不等式解的稳定性

本研究Ｈｉｌｂｅｒｔ空间中一类强单调非线性变分不等式解的稳定性,所得结果表明强单调非线性变分不等式解的稳定性依赖于对应集合族与映射族的连续性。     

均匀水流冲击下扭王字块断裂失稳过程的数值模拟研究

扭王字块是一种重要的港口防波堤护面块体,其断裂失稳过程与所受水流冲击力密切相关。文章以基于连续介质力学的离散元方法(CDEM)为基础,通过引入FVM算法及半弹簧-半棱联合接触模型,分别实现了大位移下单元变形的准确计算及单元接触的快速更新。基于改进后的CDEM方法,通过在扭王字块表面施加按流速方向逐渐增加的动态面力,对均匀水流冲击下单扭王字块的断裂过程及扭王字块群的失稳滑移过程进行了数值分析。通过分析,不同方向水流冲击下单扭王字块的主要断裂模式为沿着根部的折断,其断裂流速约为21~25m/s;不同吨位下扭王字块群的失稳模式为扭王字块单体从群体中跳出,其失稳流速约为4~11m/s。