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本文用第一性原理平面波赝势方法模拟研究了手性单壁碳纳米管与氢分子的相互作用,考察了碳纳米管直径对储氢性能的影响.对单壁碳纳米管储氢的模拟结果表明:(1)物理吸附时,H2可以吸附在空腔内,也可以吸附在管与管之间的空隙中,纳米管内部的氢吸附力均高于管外,而“完好无损”的H2分子不能够穿过管壁而进入管内.(2)化学吸附时,碳纳米管对氢的吸附首先出现在管的边缘附近,碳纳米管局部会发生形变,SWCNTs的张力会随C-H键的增加而增大,系统不稳定.(3)随着直径的增加,纳米管内、外的氢吸附力差异减小. 相似文献
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碳氢(cH)及其掺杂材料常被用作ICF实验靶丸烧蚀层材料。制备CH薄膜及其掺杂材料的方法有很多,诸如:离子束辅助沉积、离子溅射沉积、低压等离子体化学气相沉积(LPPCVD)等。近年来,详细研究了LPPCVD法制备CH薄膜的制备方法与工艺,形成了比较成熟的技术路线与工艺路线,并为“神光”实验提供了一系列实验靶丸。 相似文献
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对空心玻璃微球(HGM)在高温充气过程中的表面形貌进行了研究。分析局部晶化出现的时间和条件,并通过其表面形貌、成分分析探究了其随时间的变化规律。研究结果表明:影响HGM高温充气后表面形貌的因素主要有充气温度和充气压力;充气温度越高、压力越大表面形貌发生变化所需时间越短。导致表面形貌变化的本质原因是结晶分相,结晶成分主要由Na, B等元素组成。HGM的表面结晶分相使其表面粗糙度大幅度升高,但随着脱离充气环境后放置时间的延长而又逐渐降低。其表面粗糙度降低的主要原因是Na, B等元素的逆向迁移。 相似文献
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薄膜物理与制备技术研究对于惯性约束聚变(ICF)实验具有重要意义,2003年开展的研究工作主要包括几个方面的内容:低压等离子体化学气相沉积(LPPCVD)法微球CH涂层及掺杂(溴等)技术研究;脉冲激光沉积(PLD)法Fe/Al合金薄膜研制;磁控溅射法Au/Gd,Ti/A1,Ti/Cr支撑薄膜研制;碳氢氮(CxNyH1-x-y)薄膜制备技术研究。相应主要结果如下:(1)利用低压等离子体化学气相沉积(LPPCVD)装置深入考察了以反式-2-丁烯如下: 相似文献
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以溶胶-凝胶法制备掺钛干凝胶,采用冰乙酸控制钛酸四丁酯水解,结合钛源与硅源独立预水解技术制备前体掺钛溶胶和凝胶。考察了溶剂量、抑制剂量和掺钛量对溶胶稳定性和均匀性的影响,以及老化、干燥条件和掺钛量对凝胶均匀性的影响,并优化了工艺参数。结果表明,冰乙酸能够有效地控制钛源水解并改善溶胶均匀性,结合钛源和硅源独立预水解技术,能够可控地制备出掺钛溶胶。在乙醇与醇盐物质的量比为5、冰乙酸与钛酸四丁酯物质的量比为6、钛硅原子数比为2%~20%的条件下可以得到均匀、稳定的溶胶。钛硅原子数比低于10%的溶胶在100℃老化24h,100℃开放条件下干燥24h能够形成均匀的干凝胶。钛硅原子数比高于10%的凝胶在干燥过程中析出氯化钠,得不到均匀的凝胶。 相似文献
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主要研究了PS-PVA-CH空心塑料微球充气时,充气平衡温度对微球强度、球形度和表面形貌的影响。对PS,PVA和CH材料的热重分析结果表明,PS和PVA具有较高的分解温度,而PS-PVA双层球和PS-PVA-CH塑料微球升温后的耐外压实验表明,温度升高后双层球耐外压强度降低很快,不能满足充Ar气需要;而3层球在100~120℃仍有很高强度,在该温度下,可以实现充Ar气。微球表面形貌分析结果显示,高温充气后,3层球表面粗糙度升高。 相似文献
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在室温条件下,以溴乙烷为单体、氢气为载气,用13.56 MHz射频等离子体化学气相淀积方法(RF-PECVD)在硅片衬底上生长了掺溴非晶碳氢薄膜(a-C:Br:H).通过对其进行Raman光谱分析,研究了工作气压对薄膜结构的影响.结果显示:随着气体工作压力从20 Pa下降至5 Pa,样品D峰强度增强,I_D/I_G值逐步由1.18增加至1.36,G峰的位置向高频轻微移动;与此同时,薄膜生长方式逐步转为低能态形式生长,薄膜中sp~2C逐步由链式结构向环式结构转化. 相似文献