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首次研究了在室温和不同直流偏压下Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格结构的电调制反射谱(ER)的变化。当器件处于弱场范围时,随着电场的增加,ER谱的信号幅度增加,而线型不变;在强场区,随着电场的增加,ER谱的线型发生变化,激子跃迁能量红移,继续增加反向偏压出现来自于1c-2hh的禁戒跃迁,且其强度随反向偏压的增加迅速增加。不同偏压下组合超晶格结构的ER谱研究表明,势垒高度较低的超晶格结构中的激子较易受到电场的调制。 相似文献
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窄阱ZnSe—ZnS应变多量子阱的制备和鉴定 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报导了利用常压MOCVD法制备窄阱ZnSe•ZnS应变多量子阱的方法,经X射线衍射、光致发光(PL)及扫描电镜(SEM)实验测定表明,该结构具有较好的结晶质量,阱宽约为0.5nm。 相似文献
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