岩石中微量钍的导数示波极谱测定(TBP-聚三氟氯乙烯反相色层分离富集)

钍的极谱测定过去报导很少,近年来国外有一些报导,Srefer选择0.01N硝酸锂作支持电解质测定微克量钍。Sindhu在0.1M NaClO_4和30％甲醇的乙酸缓冲溶液中(pH为4.8),有3-羟基吡啶-2-硫醇存在下测定20—40μM钍。Sugawara则采用Bi-EDTA取代法。Donoso介绍两种支持电解质中含有铀、钍的示波极谱测定。我们发现在0.025M柠檬酸,2×10~(-4)M铜铁试剂溶液中(PH为1—2),当有少量钍存在时,在铜铁试剂波之后,有一良好的导数示波极谱波,此波随着钍量增加而加大,灵敏度较高,可检测0.1ppm钍,     

菁染料共价键合在单晶硅表面的X—光电子能谱

在单晶硅表面通过多步化学反应共价键合多种菁染料，对它们的ＸＰＳ分析表明，单晶硅表面存在着与各单体染料组成相同的化学元素及化学环境，并由有关元素结合能的分析证明它们是通过硅氮键合于单晶硅表面上的。     

表面活性剂促进的阻燃剂ATBS的合成

用四溴双酚S(TBS)为原料,以滴加方式加入醚化剂烯丙基氯,在NaOH水溶液中用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)催化醚化法和其它表面活性剂促进醚化法合成了收率、纯度均较高的阻燃剂四溴双酚S双烯丙基醚(ATBS)。研究了催化剂用量、滴加时间、异丙醇用量、水用量对ATBS收率及纯度的影响。在烯丙基氯用量为15 mL、TBS为28.3 g、CTAB为0.1~0.18 g、反应温度65~75℃、保温时间4 h,ATBS收率可达95.5%~97.5%,纯度为95.5%~98.0%。当n(烯丙基氯)∶n(TBS)=1∶2.5、反应温度80~90℃、保温时间8 h,表面活性剂DBS为0.8~1.0 g、OP-10为0.5 g、OS-15为0.8 g时,ATBS最佳收率分别为95.2%、97.3%和95.5%,纯度分别为94.0%、92.7%和90.1%。     

纳米TiO2的电化学嵌锂研究

应用苛性钠水热法制备粒度均匀、分散性好、质子钛酸盐纳米管(直径约10～15nm),经加热烧结脱水后,该纳米管逐渐转变成具有锐钛矿相结构的纳米柱(直径约15～20nm),初步研究表明,这种具有锐钛矿相结构的纳米柱,其电化学可逆嵌／脱锂容量较高,但循环稳定性还有待改进提高。     

非Lipschitz条件下由Levy过程驱动的倒向随机微分方程解的存在唯一及其稳定性

本文研究了由满足某种矩条件下Levy过程相应的Teugel鞅及与之独立的布朗运动驱动的倒向随机微分方程，给出了飘逸系数满足非Lipschitz条件下解的存在唯一及稳定性结论．解的存在性是通过Picard迭代法给出的．解的L^2收敛性是在飘逸系数弱于L^2收敛意义下所得到的。     

基于任意阵的最小方差无失真响应聚焦波束形成的被动定位方法

将最小方差无失真响应(MVDR)聚焦波束形成近场被动定位方法应用到平面任意结构阵列上,可以很好地解决线列阵由于阵长较长,在实际使用中存在布放困难、部分阵元失效影响定位性能等问题。本文首先分析了平面任意结构阵列的近场接收信号模型,推导出阵列流型,然后将MVDR聚焦波束形成技术应用到该模型中,得到了基于任意阵的MVDR聚焦波束形成近场被动定位方法。仿真验证了该方法的可行性和有效性。     

碳纳米管的电化学贮氢性能研究

研究了碳纳米管电极的电化学性能,其电化学储氢量达到２００ｍＡｈ．ｇ＾－１且具有高的电化学活性和良好的循环寿命,采用循环伏安法研究了氢在碳纳米管电极上吸附／氧化机理。