首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   8篇
  免费   27篇
  国内免费   1篇
化学   1篇
晶体学   2篇
物理学   33篇
  2020年   1篇
  2019年   1篇
  2018年   1篇
  2015年   1篇
  2014年   3篇
  2013年   4篇
  2012年   1篇
  2011年   2篇
  2010年   4篇
  2009年   3篇
  2008年   3篇
  2007年   5篇
  2006年   2篇
  2005年   2篇
  2001年   1篇
  2000年   2篇
排序方式: 共有36条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
对在c面蓝宝石上用氢化物气相外延法(HVPE)生长的六方相纤锌矿结构的GaN膜中的应力进行了分析。高分辨X射线衍射(002)面和(102)面摇摆曲线扫描(半高宽数值分别为317和358角秒)表明生长的GaN膜具有较好的晶体质量。利用高分辨X射线衍射技术准确测量了制备的GaN膜的晶格常数,并计算得到GaN膜中面内双轴应变和面外双轴应变分别为3.37×10-4和-8.52×10-4,等静压应变为-7.61×10-5。拉曼光谱和激光光致发光谱测试表明HVPE-GaN外延膜具有较好的光学特性,利用拉曼光谱的E2模式特征峰和激光光致发光谱中近带边发射峰的频移定量计算了外延膜中的面内双轴压应力和等静压应力。两种方法得到的面内双轴压应力较为相符。  相似文献   
2.
利用拉曼(Raman)光谱对掺镍(Ni)氧化锌(ZnO)粉末的声子谱进行了研究.在掺杂样品的Raman光谱中仍能观察到未掺杂ZnO的声子模式,此外还观察到两个额外模式.掺杂粉末中观察到ZnO的E2(h)模式表明掺Ni的ZnO仍然保持六角对称结构.652 cm-1额外模式的起源是掺杂引起的ZnO本底缺陷.为了查明544 cm-1处额外模式的起源,分别对掺Ni,掺钴(Co),和掺锰(Mn)的ZnO粉末的Raman光谱进行了对比研究.结果表明544 cm-1额外模式起源于Ni相关的局域振动模式.对光谱中的其他声子模式的起源也进行了讨论;同时还报告了利用325nm激光作激发源观察到掺Ni样品的多重纵光学(LO)声子模式的结果.  相似文献   
3.
研究了金属有机物化学气相沉积法制备的不同厚度InN薄膜的位错特性与光电性质.基于马赛克微晶模型,通过X射线衍射非对称面摇摆曲线测量,拟合出样品刃型位错密度分别为4.2×1010cm-2和6.3×1010cm-2,并发现样品的微晶扭转角与位错密度随薄膜厚度增加而减小.通过室温霍尔效应测量得到样品载流子浓度分别为9×1018cm-3和1.2×1018cm关键词: 氮化铟 位错 载流子起源 局域态  相似文献   
4.
谢自力  张荣  傅德颐  刘斌  修向前  华雪梅  赵红  陈鹏  韩平  施毅  郑有炓 《中国物理 B》2011,20(11):116801-116801
Wide spectral white light emitting diodes have been designed and grown on a sapphire substrate by using a metal-organic chemical vapor deposition system. Three quantum wells with blue-light-emitting, green-light-emitting and red-light-emitting structures were grown according to the design. The surface morphology of the film was observed by using atomic force microscopy. The films were characterized by their photoluminescence measurements. X-ray diffraction θ/2θ scan spectroscopy was carried out on the multi-quantum wells. The secondary fringes of the symmetric ω/2θ X-ray diffraction scan peaks indicate that the thicknesses and the alloy compositions of the individual quantum wells are repeatable throughout the active region. The room temperature photoluminescence spectra of the structures indicate that the white light emission of the multi-quantum wells is obtained. The light spectrum covers 400-700 nm, which is almost the whole visible light spectrum.  相似文献   
5.
吴超  谢自力  张荣  张曾  刘斌  李弋  傅德颐  修向前  韩平  施毅  郑有炓 《物理学报》2008,57(11):7190-7193
采用金属有机物化学气相淀积方法在铝酸锂LiAlO2衬底上外延生长m面GaN薄膜.X射线衍射测量的结果表明所得薄膜具有较理想的m面晶体取向,并对其各向异性的应变进行了计算,摇摆曲线的测量发现样品存在明显的面内结构各向异性.采用偏振光致发光研究材料的面内光学各向异性,发现随着偏振角度的改变,发光峰的峰位和强度均有明显变化,并用对称性破缺导致价带子带劈裂的理论对结果进行了解释. 关键词: m面GaN 结构各向异性 偏振光致发光  相似文献   
6.
根据GaN氢化物气相外延生长(HVPE)的原理,设计制作了双温区卧式HVPE系统.根据实际生长中出现的问题和CaN样品的测试情况,对系统进行了逐步的调试和改进.  相似文献   
7.
谢自力  李弋  刘斌  张荣  修向前  陈鹏  郑有炓 《中国物理 B》2011,20(10):106801-106801
The non-polar a-plane GaN is grown on an r-plane sapphire substrate directly without a buffer layer by metal-organic chemical vapour deposition and the effects of V/III ratio growth conditions are investigated. Atomic force microscopy results show that triangular pits are formed at a relatively high V/III ratio, while a relatively low V/III ratio can enhance the lateral growth rate along the c-axis direction. The higher V/III ratio leads to a high density of pits in comparison with the lower V/III ratio. The surface morphology is improved greatly by using a low V/III ratio of 500 and the roughness mean square of the surface is only 3.9 nm. The high resolution X-ray diffraction characterized crystal structural results show that the rocking curve full width at half maximum along the m axis decreases from 0.757° to 0.720°, while along the c axis increases from 0.220° to 0.251° with the V/III increasing from 500 μmol/min to 2000 μmol/min, which indicates that a relatively low V/III ratio is conducible to the c-axis growth of a-plane GaN.  相似文献   
8.
李明  张荣  刘斌  傅德颐  赵传阵  谢自力  修向前  郑有炓 《物理学报》2012,61(2):27103-027103
首先把本征值方程投影到导带的子空间中, 进而得到AlGaN/GaN量子阱中第一、二子带的Rashba自旋劈裂系数(α 1, α 2)和子带间自旋-轨道耦合系数η12. 然后自恰求解薛定谔方程和泊松方程计算了不同栅压的量子阱中的α 1, α 2η12, 并分别讨论了量子阱阱层、左右异质结界面和垒层对它们的贡献. 结果表明可以通过栅压来调节自旋-轨道耦合系数, 子带间自旋轨道耦合系数η12比Rashba自旋劈裂系数α 1, α 2小, 但基本在同一数量级.  相似文献   
9.
A novel fishing rod-shaped GaN nanorod is successfully fabricated through a new method by using the two-step growth technology. This growth method is applicable to continuous synthesis and is able to produce a large number of single-crystalline GaN nanorods with a relatively high purity and at a low cost. X-ray diffraction, scanning electron microscopy and high-resolution transmission electron microscopy are used to characterize the as- synthesized nanorods. The results show that most of the nanorods consist of a main rod and a top curved thread. It is single-crystal GaN with hexagonal wurtzite structure. The representative photoluminescence spectrum at room temperature exhibits a strong UV light emission band centered at 370.8nm. Furthermore, a possible two-stage growth mechanism of the fishing rod-shaped GaN nanorod is also briefly discussed.  相似文献   
10.
氢化物气相外延生长高质量GaN膜生长参数优化研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
张李骊  刘战辉  修向前  张荣  谢自力 《物理学报》2013,62(20):208101-208101
系统研究了低温成核层生长时间、高温生长时的V/Ⅲ 比以及生长温度对氢化物气相外延生长GaN膜晶体质量的影响. 研究发现合适的低温成核层为后续高温生长提供成核中心, 并能有效降低外延膜与衬底间的界面自由能, 促进成核岛的横向生长; 优化的V/Ⅲ比和最佳生长温度有利于降低晶体缺陷密度, 促进横向生长, 增强外延膜的二维生长. 利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、高分辨X射线衍射、 低温光致发光谱和室温拉曼光谱对优化条件下生长的GaN外延膜进行了结构和光电特性表征. 测试结果表明, 膜表面平整光滑, 呈现二维生长模式表面形貌; (002)和(102)面摇摆曲线半高宽分别为317和343 arcsec; 低温光致发光谱中近带边发射峰为3.478 eV附近的中性施主束缚激子发射峰, 存在11 meV的蓝移, 半高宽为10 meV, 并且黄带发光强度很弱;常温拉曼光谱中E2 (high) 峰发生1.1 cm-1蓝移.结果表明, 优化条件下生长的GaN外延膜具有良好的晶体质量和光电特性, 但GaN 膜中存在压应力. 关键词: 氮化镓 氢化物气相外延 低温成核层  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号