立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅳ)——GaAs,GaP中双空位态的电子结构

利用文献[1]中的基本方程组和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了以GaAs,GaP为代表的极性半导体中理想双空位的A₁,E态的波函数。计算表明,理想双空位态的波函数在靠近As空位或P空位处的三个Ga原子处具有最大几率,波函数的其余部分随着离缺陷距离的增加而缓慢非单调地递减。 关键词：     

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅳ) GaAs,GaP中双空位态的电子结构

利用文献[1]中的基本方程组和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了以GaAs,GaP为代表的极性半导体中理想双空位的A_1,E态的波函数。计算表明,理想双空位态的波函数在靠近As空位或P空位处的三个Ga原子处具有最大几率,波函数的其余部分随着离缺陷距离的增加而缓慢非单调地递减。     

Si中S0对、Se0对和Te0对的电子结构

利用紧束缚近似下的格林函数方法,讨论了Si中(S⁰)₂,(Se⁰)₂及(Te⁰)₂基态的能级和波函数。分析了几种不同的观点。(S⁰)₂,(Se⁰)₂及(Te⁰)₂均在禁带中引入一个对称性的A_1g能级和一个反对称性的A_2u能级,二者都是填满的。现有实验观测到的是较高的A_1g能级。从理论上指出了对称性的A_1g能级反而高于反对称性的能级的原因。而Si中(Se₂)⁺的g因子测量值和(S₂)⁺,(Se₂)⁺的ESR实验结果也支持本文的观点。 关键词：     

GaP中替代缺陷对的A_1对称性深能级波函数

本文在Koster-Slater格林函数方法和在位(on site)势近似的基础上,提出了一个计算替代杂质对的完整方法,并成功地应用于GaP中O替代杂质对。第一次给出了O-Zn和O-Cd对的波函数。我们发现波函数主要集中在O周围4个格点并指向O的化学键上。然而在这4个键上,波函数的分量并不相等,在O—杂质键上的分量要比其它键上的值小。杂质的排斥势越大,则分量值的不平衡越明显。而波函数的其余部分较为平坦地分布在一相当大的空间内。     

面心立方晶体的泊松比

用简单的物理模型解释了面心立方晶体的泊松比v₁₁₀负的原因。指出了其两种泊松比v₁₁₀和v₀₀₁的数值的理论联系。实验结果和理论符合较好。 关键词：     

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅰ)——基本方程组

利用Koster-Slater的格林函数方法,给出了决定立方半导体中理想双空位在禁带中引入的不同对称态的能级和波函数的完整的方程组。主体半导体的能带结构用一经验的紧束缚哈密顿量来描述,缺陷引入的微扰势则采用在位势近似。在此基本假定下,这些方程组仅涉及到主体半导体的在位(on-site)和离位(off-site)格林函数以及这些格林函数对能量E的微商。 关键词：     

SIZE AND SHAPE DEPENDENCE OF THE LOWEST CONDUCTION BAND STATES IN GaAs QUANTUM DOTS

Using a recently developed new scheme, we investigated the electronic structure of the lowest conduction band states of cuboid GaAs quantum dots with different shapes and sizes in a wide range from 4 to 120a (a is the lattice constant). The critical edge length of the direct/indirect crossover in GaAs cuboid quantum dots depends on the size and shape of the quantum dots. As a deduction we also discussed the critical size of dlrect/indirect transition in GaAs quantum wires and thin films.     

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅲ)——硅中双空位态的波函数

利用文献[1]中的基本方程和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了硅中理想双空位的E_g和E_u态的波函数,讨论了计算结果和ESR与ENDOR谱的比较。 关键词：     

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅱ) 能级和简单的物理模型

利用文献[1]中给出的基本方程和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了十多种立方半导体的理想双空位在禁带中引入的能级,并用了一个简单的“空位分子”模型来讨论双空位态的物理问题。     

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅱ)——能级和简单的物理模型

利用文献[1]中给出的基本方程和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了十多种立方半导体的理想双空位在禁带中引入的能级,并用了一个简单的“空位分子”模型来讨论双空位态的物理问题。 关键词：