Ge-Sb-Se硫系薄膜制备及光学特性研究

介绍了几种常见的硫系薄膜制备方法, 根据现有实验条件采用热蒸发法和磁控溅射法制备出Ge-Sb-Se三元体系硫系薄膜, 通过台阶仪测试薄膜的厚度和表面粗糙度, 计算出两种制备方法的成膜速率, 并通过X射线光电子能谱测试了两种制备方法所得薄膜与块体靶材组分的差别. 利用Z扫描技术和分光光度计测试了热蒸发法制备所得薄膜的三阶非线性性能和透过光谱, 计算出非线性折射率、非线性吸收系数和薄膜厚度等参数. 结果表明热蒸发法制备Ge-Sb-Se薄膜具有良好的物理结构和光学特性, 在集成光学器件方面很高的应用潜力.     

兼具非线性光学和热释电性能的有机-无机杂化薄膜

用溶胶 -凝胶法和原位加热极化聚合法制备了以 4-[N,N-二 -(二羟乙基 )氨基苯基 ]-2 ,4-二 -( 4 ,4 -二硝基苯基 )咪唑 ( 4 HAPN)为生色团 ,以 Ta( )的金属醇盐为无机前驱体的有机 -无机杂化聚合物材料 .用二次谐波产生技术和数字电荷积分法测得极化薄膜的二阶非线性光学系数 d3 3 为 1 7.2 pm/V,平均热释电系数为 4.3× 1 0 -6C/( cm2 · K) .     

激光引信驱动电路器件选择和布局分析

激光引信用脉冲半导体激光器驱动电路要求驱动电流大、脉冲窄,减小回路等效电感是设计的关键。选择电磁对称性器件、器件的对称分布、多个器件并联使用可以有效降低电路回路的等效电感。实验结果表明,驱动电路脉冲电流前沿可达1.9ns,幅度50A,脉宽7ns,频率5kHz。该研究为快速大电流设计电路提供了参考。