稀土粉末Eu∶Y_2O_3的自由感应衰减量子拍

稀土固体是重要的激光和光电子材料。目前 ,由于以宽带信号和太赫兹比特数据传输率为特征的信息技术的发展 ,稀土固体材料的相干瞬态动力学过程成为宽带与高速信息光子学的基本物理问题之一。研究了室温下稀土粉末样品Eu3+ ∶Y2 O3自由感应衰减的相干瞬态光谱 ,这有助于理解有效的光吸收动力学、激发态弛豫、相干能量传递和超短光脉冲在稀土固体中的传播。用一对紫外飞秒相干光脉冲作用于稀土粉末样品Eu3+ ∶Y2 O3,然后监测物质激发态的布居数随两个激发脉冲之间的延时的变化 ,测量到其自由感应衰减量子拍 (FID) ,从拍频周期分析确定了其能级精细结构 ,能级的退相时间长达皮秒量级。理论分析和实验结果符合得很好。对稀土离子的量子干涉的研究 ,表明其在受激受控光放大方面具有潜在的应用前景     

光电耦合对InGaN/GaN量子阱光学性能的影响

围绕高性能GaN基垂直腔面发射激光器(VCSELs),设计了两种具有不同光电耦合强度的InGaN/GaN量子阱(QWs)样品,研究了它们的光学性质。样品A在腔模的两个波腹处各放置两个InGaN耦合量子阱,而样品B在腔模的一个波腹处放置5个InGaN耦合量子阱。计算表明样品A具有较大的相对光限制因子1.79,而样品B为1.47。光学测试发现样品A有着更高的内量子效率(IQE)和更高的辐射复合效率。使用两种样品制作了光泵VCSEL结构,在光激发下实现激射,其中基于样品A的VCSEL有着更低的激射阈值。结果表明有源区结构会显著影响量子阱与光场的耦合作用、外延片的内量子效率、辐射复合寿命和VCSEL激射阈值,同时也说明样品A的有源区结构更有利于制作低阈值的VCSEL器件。     

n型6H-SiC拉曼散射光谱的温度特性（英文）

三片具有不同载流子浓度的n型6H-SiC体材料用于83K到673K的变温拉曼散射研究,能够得到变温的拉曼散射模。通过测量可以得到,随着温度的增长,不同的声子散射模的拉曼峰逐渐变小。运用声子频率的温度特性计算公式,对三片样品的三个声子模的峰位进行拟合能够得到很好的拟合结果。6H-SiC样品的纵光学声子模(LOPC)的拉曼位移像其他的拉曼模一样,随着温度的增加而变小。在较高的温度时所有的声子模明显展宽。     

新型ZnO纳米针的双光子激射特性

室温下采用640nm的飞秒脉冲激光泵浦ZnO纳米针得到双光子诱导的光致发光谱。结合单光子下的研究结果,实验分析了双光子泵浦下样品随着受激能量增强产生的三种紫外发射行为并归结为自由激子自发辐射,激子-激子散射和电子空穴等离子体复合。双光子泵浦下ZnO纳米针的受激阈值是4.82GW/cm2,远小于其他ZnO微纳材料的双光子阈值(TW/cm2)。结果表明:这种新型的ZnO纳米针结构能更有效地产生双光子激射,这在纳米激光器方面将会有很大的应用前景。     

2006年物理科学一处评审工作综述

2006年国家自然科学基金的各项评审工作已经基本结束，现借《物理》期刊，将物理科学一处评审情况综述报告呈送相关专业的广大物理学家，并对所有关心和支持我们工作的各位专家表示衷心的感谢，也希望该总结能对下一年度拟在本科学处申报项目的专家有一定参考意义．     

边带和频作用在宽频带激光频率转换中的贡献限制

本文从单色平面波无吸收损耗三频耦合波方程,小信号近似出发,计算了KDP、ADP、BBO、LiIO_3和LiNbO_3等晶体(1.064μm激光倍频、三倍频、四倍频)的光谱和角度接收半宽Δλ_A、Δθ_(FW),从而为选择宽频带激光频率转换所用的晶体及匹配类型提供了依据。给出了宽频带锁模激光倍频方程,并得出窄频带下二次谐波加强因子(2N~3+N)/3,表明边带和频作用对锁模激光脉冲具有更大的贡献。     

大口径光束高效三倍频理论和实验研究

根据三颗耦合波方程,研究了基波与谱波能量比,晶体长度、功率密度、角失配量和匹配类型等诸因素对三倍频最大可获转换效率的影响.大口径光束三倍频实验结果与理论计算相一致.用类型IIKDP晶体三倍频,在中等功率密度下,获得了43%的能量转换效率.     

宽频带激光频率转换中的色散补偿

本文对宽频带钕玻璃激光频率转换中波长相位失配的色散补偿进行研究,包括晶体串接自补偿和色散元件棱镜与光栅的补偿。     

GaAs中的飞秒自由感应衰减

用双光束诱导半导体ＧａＡｓ的激子相干态,记录液氮温度样品的光电导信号随双脉冲之间延时的变化。实验与理论分析结果表明：对于均匀增宽的二能级体系,这种中以直接反映相干态的自由感应衰减。求解均匀增宽二能级体系,这种测量方法可以直接反映相干态的自由感应衰减。求解均匀增宽二能级体系的密度矩阵方程,拟合实验结果得到载流子相干态的退相时间Ｔ２＝１１５ｆｓ。