首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   16篇
  免费   5篇
  国内免费   3篇
化学   10篇
数学   5篇
物理学   9篇
  2023年   2篇
  2020年   1篇
  2018年   1篇
  2016年   1篇
  2015年   4篇
  2014年   5篇
  2013年   1篇
  2010年   1篇
  2009年   1篇
  2005年   1篇
  2003年   1篇
  2001年   1篇
  1996年   1篇
  1995年   1篇
  1993年   2篇
排序方式: 共有24条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
魏政鸿  云峰  丁文  黄亚平  王宏  李强  张烨  郭茂峰  刘硕  吴红斌 《物理学报》2015,64(12):127304-127304
研究了Ag的厚度、退火时间、沉积温度对于Ni/Ag/Ti/Au电极的反射率及与p-GaN欧姆接触性能的影响. 利用分光光度计测量反射率, 采用圆形传输线模型计算比接触电阻率. 结果表明: 随着Ag厚度的增加, Ni/Ag/Ti/Au电极的反射率逐渐增大; 在氧气氛围中, 随着退火时间从1 min增至10 min, 300 ℃退火时, 比接触电阻率持续下降, 而对于400-600 ℃退火, 比接触电阻率先减小后增大; 在300和400 ℃氧气中进行1-10 min 的退火后, Ni/Ag/Ti/Au的反射率变化较小, 退火温度高于400 ℃时, 随着退火时间的增加, 反射率急剧下降; 在400 ℃氧气中3 min退火后, 比接触电阻率可以达到3.6×10-3 Ω·cm2. 此外, 适当提高沉积温度可以增加Ni/Ag/Ti/Au的反射率并降低比接触电阻率, 沉积温度为120 ℃条件下的Ni/Ag/Ti/Au电极在450 nm处反射率达到90.1%, 比接触电阻率为6.4×10-3 Ω·cm2. 综合考虑电学和光学性能, 在沉积温度为120 ℃下蒸镀Ni/Ag/Ti/Au (1/200/100/100 nm)并在400 ℃氧气中进行3 min退火可以得到较优化的电极. 利用此电极制作的垂直结构发光二极管在350 mA电流下的工作电压为2.95 V, 输出光功率为387.1 mW, 电光转换效率达到37.5%.  相似文献   
2.
基于鲎素(TCP)能强烈抑制钌联吡啶/N,N-二丁基乙醇胺(Ru(bpy)32+/DBAE)体系的电化学发光(ECL)信号,建立了检测鲎素的方法。在最优实验条件下,Ru(bpy)32+/DBAE体系的ECL淬灭值△IECL与TCP质量浓度的对数logρ呈良好的线性关系,线性范围为3.0×10-10~1.5×10-8g/mL,检出限达50 pg/mL(S/N=3)。方法用于鲎试剂样品分析,鲎素的加标回收率为93.0%~107.6%。  相似文献   
3.
基于金属有机骨架材料(Uio-66-NH2)的荧光猝灭特性以及对核酸适配体的吸附性,结合核酸适配体的高亲和力与高特异性识别能力,构建了针对沙门氏菌检测的荧光生物传感器,当有荧光素修饰的沙门氏菌、适配体被材料吸附到表面时,由于材料诱导电子转移猝灭了荧光素的荧光,若溶液中存在沙门氏菌,则沙门氏菌与其适配体特异性结合后从材料表面脱附,材料与荧光素之间的电子转移过程被切断,荧光素的荧光恢复。基于此原理构建的荧光传感器的信号与沙门氏菌浓度的对数在101~105cfu/m L范围内呈良好的线性关系,检出限(S/N=3)为7 cfu/m L,将该方法用于虾肉样品中沙门氏菌的检测,加标回收率为90.0%~108.0%,该传感器对沙门氏菌有较好的选择性与灵敏度。  相似文献   
4.
王宏  云峰  刘硕  黄亚平  王越  张维涵  魏政鸿  丁文  李虞锋  张烨  郭茂峰 《物理学报》2015,64(2):28501-028501
GaN基发光二极管(LED)中的残余应力状态对器件的性能和稳定性有很大影响. 通过使用三种不同的键合衬底(Al2O3衬底, CuW衬底和Si衬底)以及改变键合温度(290 ℃, 320 ℃, 350 ℃和380 ℃), 并且使用不同的激光能量密度(875, 945和1015 mJ·cm-2) 进行激光剥离, 制备了不同应力状态的GaN基LED器件. 对不同条件下GaN LED进行弯曲度、Raman 散射谱测试. 实验结果表明, 垂直结构LED中的残余应力的状态是键合衬底和键合金属共同作用的结果, 而键合温度影响着垂直结构LED中的残余应力的大小. 激光剥离过程中, 一定能量密度下激光剥离工艺一般不会对芯片中的残余应力造成影响, 但是如果该工艺对GaN 层造成了微裂缝, 则会在一定程度上起到释放残余应力的作用. 使用Si衬底键合后, 外延蓝宝石衬底翘曲变大, 对应制备的GaN基垂直结构 LED中的残余应力为张应力, 并且随着键合温度的上升而变大; 而Al2O3和CuW衬底制备的LED中的残余应力为压应力, 但使用Al2O3衬底键合制备的LED中压应力随键合温度上升而一定程度变大, CuW 衬底制备的LED中压应力随键合温度上升而下降.  相似文献   
5.
严寒地区复杂的气候条件严重影响真石漆的耐久性。本文研究了严寒地区冻融循环、酸雨侵蚀、盐侵蚀、湿热老化及人工气候老化几种主要气候因素对真石漆拉伸粘结强度的影响规律,同时通过表征几种因素对真石漆乳液性能的影响,进一步研究真石漆劣化机理。研究表明:几种影响因素中,冻融循环使真石漆拉伸粘结强度降低最为显著,其次是盐侵蚀、酸雨侵蚀;酸雨及盐侵蚀会使苯丙乳液发生不同程度的化学反应,从而降低真石漆拉伸粘结强度;湿热老化会提高真石漆的拉伸粘结强度,人工气候老化因紫外光的辐照使真石漆的拉伸粘结强度先升高后降低。  相似文献   
6.
弓志娜  云峰  丁文  张烨  郭茂峰  刘硕  黄亚平  刘浩  王帅  冯仑刚  王江腾 《物理学报》2015,64(1):18501-018501
研究了在垂直结构发光二极管(VLED)器件中, 光致电化学法(PEC)刻蚀N极性n-GaN的速率受不同刻蚀条件(刻蚀浓度、刻蚀时间和光照强度)的影响. 并选择N极性n-GaN表面含有较理想六角金字塔结构(侧壁角为31°)的样品制成器件, 研究PEC刻蚀对VLED的欧姆接触和光电性能的影响. 结果表明, 与未粗化样品相比, PEC刻蚀后的样品接触电阻率明显降低, 形成更好的欧姆接触; 其电学特性有较好的改善, 光输出功率有明显提高, 在20 mA电流下光输出功率增强了86.1%. 对不同金字塔侧壁角度的光提取效率用时域有限差分法(FDTD)模拟, 结果显示光提取效率在侧壁角度为20°– 40°有显著提高, 在23.6° (GaN-空气界面的全反射角)时达到最大.  相似文献   
7.
对爆炸荷载下圆柱壳的动力学行为进行了实验研究及数值模拟。将外径均为100mm的3种壁厚的Q235钢质圆柱壳置于由TNT药柱产生的爆炸场中进行冲击实验,系统分析了在不同装药高度及壳壁厚度参数条件下圆柱壳的冲击变形模式,即迎爆面局部凹陷变形模式(ModeⅠ)、迎爆面局部凹陷与壳整体弯曲变形耦合模式(ModeⅡ)、整体变形失效模式(ModeⅢ)及局部穿透与整体变形失效耦合模式(ModeⅣ)。采用LS-DYNA有限元程序及Lagrangian-Eulerian流固耦合算法,对圆柱壳的非线性动力响应过程进行了数值模拟,分析了圆柱壳的变形历程及最终残余变形的情况,计算结果与实验现象吻合较好。研究结论可为圆柱壳结构爆炸破坏分级及抗爆技术设计提供科学依据。  相似文献   
8.
利用核酸适配体特异的分子识别功能以及特定荧光基团之间的能量转移,建立了一种高灵敏度、高选择性测定雌二醇的光谱方法。研究了缓冲溶液的pH值、组成和浓度、核酸浓度、实验温度及响应时间等因素对检测雌二醇的影响。在最优的实验条件下(50 mmol/L BR缓冲溶液(pH 7.4),1.0×10-7mol/L核酸,实验温度45℃,响应时间19 min),体系荧光强度的改变值ΔI与雌二醇浓度的对数lgC呈良好的线性关系(r=0.9953),线性范围为1.0×10-11~5.0×10-9mol/L,检出限达6.0×10-12mol/L(S/N=3)。将本方法用于检测人体尿液中雌二醇的含量,雌二醇的加标回收率为94.0%~103.5%。  相似文献   
9.
对Ca3Sc2Si3O12:Ce3+共掺杂N3-、Sc3+、Mn2+、Mg2+和Na+进行第一性原理计算,研究不同的电荷补偿对发光中心Ce3+的影响.首先利用密度泛函理论构建超晶胞模型对Ce3+周围的局部结构进行了优化,然后通过CASSCF/CASPT2 RASSI-SO计算得到Ce3+的4f→5d跃迁能量.计算数据与实验光谱相吻合.实验光谱中的一个未知峰值理论分析确认是Sc3+替代Si4+导致的.  相似文献   
10.
研究了不同Ni厚度的Ni/Ag/Ti/Au电极在不同退火温度和退火气氛下与p-GaN之间的欧姆接触性能以及电极的光反射率的变化.采用矩形传输线模型对各电极的比接触电阻率进行测算,利用分光光度计对电极在不同波长下的反射率进行测量.结果表明,Ni金属层的厚度越小,电极的光反射率越高,而Ni层厚度对比接触电阻率的影响较小;当退火温度高于400℃后,电极的光反射率降低,在氧气氛围中退火后光反射率比在氮气中退火后下降更加明显.但在氧气氛围中退火有利于减小比接触电阻率.综合考虑接触电阻和光反射率,电极Ni(1 nm)/Ag/Ti/Au在400℃氧气中快速退火后得到了较好的结果,其比接触电阻率为5.5×10-3Ω·cm2,在450 nm处反射率为85%.利用此电极制作了垂直结构发光二极管(LED)器件,LED在350 mA注入电流下,工作电压为3.2 V,发光功率为270 mW,电光转换效率达到24%.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号