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1.
氧化钒薄膜微观结构的研究   总被引:12,自引:0,他引:12       下载免费PDF全文
采用直流磁控反应溅射在Si(100)衬底上溅射得到(001)取向的V2O5薄膜.x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)的结果表明,氧分压影响薄膜的成分和生长取向,在氧分压0.4Pa时溅射得到(001)取向的纳米V2O5薄膜,即沿c轴垂直衬底方向取向生长的薄膜.V2O5薄膜经过真空退火得到(001)取向的VO2薄膜,晶体颗  相似文献
2.
张辉  刘应书  刘文海  王宝义  魏龙 《物理学报》2007,56(12):7255-7261
采用磁控溅射工艺制备了V2O5薄膜.通过改变制备工艺中基片温度和氧分压两个条件,研究了薄膜的晶相组成、表观形貌以及氧化物中钒和氧元素的化合价态.当基片温度升高时,V2O5薄膜中颗粒结晶由细长针状转变为平行于基片的片状,V5+状态保持不变,但723 K时氧结合能向高键能态移动.氧分压较低时,薄膜表面有部分V4+态存在,但存在较多的高键能氧,此时薄膜中晶粒尺寸较小.随着氧分压的提  相似文献
3.
FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2-10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.  相似文献
4.
Helium-containing Ti Glms are prepared using magnetron sputtering in the helium-argon atmosphere. Isochronal annealing at different temperatures for an hour is employed to reveal the behaviour of helium bubble growth. Ion beam analysis is used to measure the retained helium content. Helium can release largely when annealing above 970K. A thermal helium desorption spectroscopy system is constructed for assessment of the evolution of helium bubbles in the annealed samples by linear heating (OAK/s) from room temperature to 1500K. Also, Doppler broadening measurements of positron annihilation radiation spectrum are performed by using changeable energy positron beam. Bubble coarsening evolves gradually below 680K, migration and coalescence of small bubbles dominates in the range of 68-970 K, and the Ostwald ripening mechanism enlarges the bubbles with a massive release above 970K.  相似文献
5.
北京慢正电子强束流运行性能测试   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
慢正电子强束流采用高能脉冲电子束流轰击金属钽靶, 以产生正负电子对的方式提供正电子, 作为慢正电子束流方法学研究和薄膜材料缺陷研究的束流基础. 本文是在该装置实现运行后, 对慢正电子束流的强度、能散、形貌等运行性能的测试工作的介绍, 以及慢正电子湮没多普勒测量系统的调试和标准样品的测量结果.  相似文献
6.
ZnO退火条件对硫化法制备的ZnS薄膜特性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
王宝义  张仁刚  张辉  万冬云  魏龙 《物理学报》2005,54(4):1874-1878
采用反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜, 然后经过不同条件退火和在H22S气氛中硫化最终得到ZnS薄膜. 用x射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜和UV—VIS分光光度计 对ZnS薄膜样品进行了分析. 结果表明, ZnO薄膜硫化后的晶体结构和光学性质取决于它的退 火条件. 真空和纯O22中退火的ZnO薄膜硫化后只是部分形成六角晶系结构的ZnS . 而在空气 和纯N22中退火的ZnO薄膜则全部转变为ZnS, 在可见光范围内的光透过率  相似文献
7.
采用EGS4程序包,对基于BEPC(北京正负电子对撞机)LINAC(电子直线加速器)慢正电子强束流装置中的正电子源部分进行了模拟计算.结果表明,当LINAC运行于兼容模式时,慢正电子的产额最高可达到3.5×106e+/s(L5cm厚、直径10mm的Ta靶),43×106e+/s(13cm厚、直径10mm的w靶);当LINAC运行于长脉冲模式时,幔正电子的产额最高可以达到4.7×1O8e+/s(1.3em厚、直径1Omm的Ta靶)、5.9×108e+/s(1.1cm厚、直径10mm的W靶).采用3 m厚的水泥墙中嵌加长×宽×高等于1m×1m×O.2m的铁板的屏蔽方案,将使得屏蔽墙外的能量沉积为零.  相似文献
8.
简要介绍了广泛应用于表面科学的灵敏核探针-慢正电子束设备的原理、构造和应用,阐述了北京慢正电子束流装置的设计原理和性能,讨论了北京慢正电子束流装置今后的研究前景。  相似文献
9.
郝小鹏  王宝义  于润升  魏龙 《物理学报》2007,56(11):6543-6546
采用慢正电子束多普勒展宽谱研究了Zr离子注入Zr-4合金产生的缺陷及其退火回复行为,发现经过大于离子注入剂量为1×1016cm-2的样品所产生的缺陷在注入过程中已经回复,而对剂量为1×1015cm-2样品做300℃退火处理,其缺陷基本回复,得出合金缺陷回复能较低的结论. 考虑到材料的缺陷含量越高,其抗腐蚀性能越差,在辐照环境下通过给材料保持一定温度,即可使其缺陷得到较好回复,从而提高材料的抗腐蚀性能.  相似文献
10.
在慢正电子束研究表面的实验中,一般仍使用高纯Ge γ谱仪测量正电子湮没多普勒展宽能谱,对能谱的分析采用线形参数S,W,这些参数提供的信息有限. 例如,当电子与正电子在材料中形成电子偶素时,简单的线形参数非但不能表征它们,反而因它们的存在使得分析变得复杂. 本工作在对多普勒展宽能谱进行数据处理的过程中,引入正态电子偶素自衰变强度I参数,建立了从能谱中获得I参数值的方法. 以标准样品为基准,选用Ag盖帽的气凝硅胶进行I参数计算,工作表明新参数对研究介孔材料及纳米薄膜能提供更丰富的信息.  相似文献
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