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1.
沈钰  李冰冰  马艺  王增林 《电化学》2022,28(7):2213002
随着半导体集成度的不断提高,铜互连线的电阻率迅速提高。当互连线宽度接近7 nm时,铜互连线的电阻率与钴接近。IBM和美国半导体公司(ASE)已经使用金属钴取代铜作为下一代互连线材料。然而,钴种子层的形成和超级电镀钴填充7 nm微孔的技术工艺仍是一个很大的挑战。化学镀是在绝缘体表面形成金属种子层的一种非常简单的方法, 通过超级化学镀填充方式, 直径为几纳米的盲孔可以无空洞和无缝隙的方式完全填充。本文综述了化学镀钴的研究进展,并分析了还原剂种类对化学镀钴沉积速率和镀膜质量的影响。同时, 在长期从事超级化学填充研究的基础上, 作者提出了通过超级化学镀钴技术填充7 nm以及一下微盲孔的钴互连线工艺。  相似文献   
2.
We devote to the calculation of Batalin–Vilkovisky algebra structures on the Hochschild cohomology of skew Calabi–Yau generalized Weyl algebras. We first establish a Van den Bergh duality at the level of complex. Then based on the results of Solotar et al., we apply Kowalzig and Krähmer's method to the Hochschild homology of generalized Weyl algebras, and translate the homological information into cohomological one by virtue of the Van den Bergh duality, obtaining the desired Batalin–Vilkovisky algebra structures. Finally, we apply our results to quantum weighted projective lines and Podleś quantum spheres, and the Batalin–Vilkovisky algebra structures for them are described completely.  相似文献   
3.
4.
5.
局部有源忆阻器(locally-active memristor,LAM)凭借其高集成度、低功耗和局部有源特性等优点,在神经形态计算领域显示出巨大的潜力.本文提出了一种简单的N型LAM数学模型,通过揭示其非线性动力特性,设计了N型LAM神经元电路.采用Hopf分岔、数值分析等方法定量研究了该电路的动力学行为,成功模拟了多种神经形态行为,包括全或无行为、尖峰、簇发、周期振荡等.并利用该神经元电路结构模拟了生物触觉神经元的频率特性.仿真结果表明:当输入信号幅值低于阈值时,神经元电路输出信号的振荡频率与输入信号强度呈正相关(即兴奋状态),并在阈值处达到最大值.随后,继续增大激励强度,振荡频率则逐渐降低(即保护性抑制状态).最后,设计了N型LAM硬件仿真器,并完成了人工神经元电路的硬件实现,实验结果与仿真结果、理论分析相一致,验证了该N型LAM具备的神经形态行为.  相似文献   
6.
We prove that the resultant of two “sufficiently generic” bivariate polynomials over a finite field can be computed in quasi-linear expected time, using a randomized algorithm of Las Vegas type. A similar complexity bound is proved for the computation of the lexicographical Gröbner basis for the ideal generated by the two polynomials.  相似文献   
7.
8.
9.
10.
设B(X)是维数大于等于3的复Banach空间X上有界线性算子全体构成的代数.设A∈B(X),若Ax=x,则称x∈X是算子A的固定点.Fix(A)表示A的所有固定点的集合.本文刻画了B(X)上保持算子的Jordan积的固定点的满射.  相似文献   
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