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1.
2.
张磊 《数学的实践与认识》2021,(1):302-307
设G=(V,E)是一个连通图.称一个边集合S■E是一个k限制边割,如果G-S的每个连通分支至少有k个顶点.称G的所有k限制边割中所含边数最少的边割的基数为G的k限制边连通度,记为λ_k(G).定义ξ_k(G)=min{[X,■]:|X|=k,G[X]连通,■=V(G)\X}.称图G是极大k限制边连通的,如果λ_k(G)=ξ_k(G).本文给出了围长为g>6的极大3限制边连通二部图的充分条件. 相似文献
3.
4.
We give a characterization of the cyclic subgroup separability and weak potency of the fundamental group of a graph of polycyclic-by-finite groups and free-by-finite groups amalgamating edge subgroups of the form × D,where h has infinite order and D is finite. 相似文献
5.
科学评价大学生科研创新能力对我国科研水平的提高具有重要意义.采用机器学习模型来预测大学生科研能力可以起到良好的效果,提出一种GAXGBoost模型来实现对大学生的科研能力预测.此模型是以Xgboost算法为基础,然后充分利用遗传算法的全局搜索能力自动搜索Xgboost最优超参数,避免了人为经验调参不准确的缺陷,最后采用精英选择策略以此确保每一轮都是最佳的进化结果.通过分析表明,所采用的GAXGBoost模型在大学生科研能力预测的结果中具有很高的精度,将此模型与Logistic Regression、Random Forest、SVM等模型进行对比,GAXGBoost模型的预测精度最高. 相似文献
6.
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法对Sc、Ce单掺和共掺后CrSi2的几何结构、电子结构、复介电函数、吸收系数和光电导率进行了计算。结果表明:Sc、Ce掺杂CrSi2的晶格常数增大,带隙变小。本征CrSi2的带隙为0.386 eV,Sc、Ce单掺及共掺CrSi2的禁带宽度分别减小至0.245 eV、0.232 eV、0.198 eV,费米能级均向低能区移动进入价带。由于Sc的3d态电子和Ce的4f态电子的影响,Sc、Ce掺杂的CrSi2在导带下方出现了杂质能级。掺杂后的CrSi2介电函数虚部第一介电峰峰值增加且向低能方向移动,说明Sc、Ce掺杂使得CrSi2在低能区的光跃迁强度增强,Sc-Ce共掺时更明显。Sc、Ce掺杂的CrSi2吸收边在低能方向发生红移,在能量大于21.6 eV特别是在位于31.3 eV的较高能量附近,本征CrSi2几乎不吸收光子,Sc单掺和Sc-Ce共掺CrSi2吸收光子的能力有所增强,并在E=31.3 eV附近形成了第二吸收峰。说明掺杂Sc、Ce改善了CrSi2对红外和较高能区光子的吸收。在小于3.91 eV的低能区掺杂后的CrSi2光电导率增加。在20.01 eV<E<34.21 eV时,本征CrSi2光电导率为零,但Sc、Ce掺杂后的体系不为零,掺杂拓宽了CrSi2的光响应范围。研究结果为CrSi2基光电器件的应用与设计提供了理论依据。 相似文献
7.
《Annales de l'Institut Henri Poincaré (C) Analyse Non Linéaire》2021,38(5):1337-1371
In this paper we consider minimizers of the functional where is a bounded open set and where are the first k eigenvalues on Ω of an operator in divergence form with Dirichlet boundary condition and with Hölder continuous coefficients. We prove that the optimal sets have finite perimeter and that their free boundary is composed of a regular part, which is locally the graph of a -regular function, and a singular part, which is empty if , discrete if and of Hausdorff dimension at most if , for some . 相似文献
8.
9.
10.
Riccardo Adami Ugo Boscain Valentina Franceschi Dario Prandi 《Annales de l'Institut Henri Poincaré (C) Analyse Non Linéaire》2021,38(4):1095-1113
In this paper we show that, for a sub-Laplacian Δ on a 3-dimensional manifold M, no point interaction centered at a point exists. When M is complete w.r.t. the associated sub-Riemannian structure, this means that Δ acting on is essentially self-adjoint in . A particular example is the standard sub-Laplacian on the Heisenberg group. This is in stark contrast with what happens in a Riemannian manifold N, whose associated Laplace-Beltrami operator acting on is never essentially self-adjoint in , if . We then apply this result to the Schrödinger evolution of a thin molecule, i.e., with a vanishing moment of inertia, rotating around its center of mass. 相似文献