首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   6387篇
  免费   608篇
  国内免费   376篇
化学   903篇
晶体学   19篇
力学   849篇
综合类   75篇
数学   3457篇
物理学   2068篇
  2024年   18篇
  2023年   72篇
  2022年   101篇
  2021年   148篇
  2020年   187篇
  2019年   170篇
  2018年   194篇
  2017年   173篇
  2016年   212篇
  2015年   179篇
  2014年   332篇
  2013年   457篇
  2012年   319篇
  2011年   367篇
  2010年   338篇
  2009年   358篇
  2008年   365篇
  2007年   373篇
  2006年   369篇
  2005年   341篇
  2004年   257篇
  2003年   286篇
  2002年   233篇
  2001年   177篇
  2000年   182篇
  1999年   162篇
  1998年   113篇
  1997年   133篇
  1996年   90篇
  1995年   82篇
  1994年   65篇
  1993年   66篇
  1992年   65篇
  1991年   69篇
  1990年   40篇
  1989年   30篇
  1988年   26篇
  1987年   22篇
  1986年   21篇
  1985年   21篇
  1984年   25篇
  1983年   10篇
  1982年   19篇
  1981年   12篇
  1980年   18篇
  1979年   17篇
  1978年   9篇
  1977年   11篇
  1976年   12篇
  1974年   7篇
排序方式: 共有7371条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
In this paper we show that, for a sub-Laplacian Δ on a 3-dimensional manifold M, no point interaction centered at a point q0M exists. When M is complete w.r.t. the associated sub-Riemannian structure, this means that Δ acting on C0(M?{q0}) is essentially self-adjoint in L2(M). A particular example is the standard sub-Laplacian on the Heisenberg group. This is in stark contrast with what happens in a Riemannian manifold N, whose associated Laplace-Beltrami operator acting on C0(N?{q0}) is never essentially self-adjoint in L2(N), if dim?N3. We then apply this result to the Schrödinger evolution of a thin molecule, i.e., with a vanishing moment of inertia, rotating around its center of mass.  相似文献   
2.
从头发的结构和组成出发分析头发形状和颜色改变的可能性,剖析烫发、染发的化学原理,阐释先烫发后染发的本质原因,从化学视角辨证地看待烫发、染发的利弊。  相似文献   
3.
4.
晶体硅表面钝化是高效率晶体硅太阳能电池的核心技术,直接影响晶体硅器件的性能。本文采用第一性原理方法研究了一种超强酸-双三氟甲基磺酰亚胺(TFSI)钝化晶体硅(001)表面。研究发现,TFSI的四氧原子结构能够与Si(001)表面Si原子有效成键,吸附能达到-5.124 eV。电子局域函数研究表明,TFSI的O原子与晶体硅表面的Si的成键类型为金属键。由态密度和电荷差分密度分析可知,Si表面原子的电子向TFSI转移,从而有效降低了Si表面的电子复合中心,有利于提高晶体硅的少子寿命。Bader电荷显示,伴随着TFSI钝化晶体硅表面的Si原子,表面Si原子电荷电量减少,而TFSI中的O原子和S原子电荷电量相应增加,进一步证明了TFSI钝化Si表面后的电子转移。该工作为第一性原理方法预测有机强酸钝化晶体硅表面的钝化效果提供了数据支撑。  相似文献   
5.
大尺寸低缺陷碳化硅(SiC)单晶体是功率器件和射频(RF)器件的重要基础材料,物理气相传输(physical vapor transport, PVT)法是目前生长大尺寸SiC单晶体的主要方法。获得大尺寸高品质晶体的核心是通过调节组分、温度、压力实现气相组分在晶体生长界面均匀定向结晶,同时尽可能减小晶体的热应力。本文对电阻加热式8英寸(1英寸=2.54 cm)碳化硅大尺寸晶体生长系统展开热场设计研究。首先建立描述碳化硅原料受热分解热质输运及其多孔结构演变、系统热输运的物理和数学模型,进而使用数值模拟方法研究加热器位置、加热器功率和辐射孔径对温度分布的影响及其规律,并优化热场结构。数值模拟结果显示,通过优化散热孔形状、保温棉的结构等设计参数,电阻加热式大尺寸晶体生长系统在晶锭厚度变化、多孔介质原料消耗的情况下均能达到较低的晶体横向温度梯度和较高的纵向温度梯度。  相似文献   
6.
7.
This paper studies the asymptotic behavior of coexistence steady-states of the Shigesada-Kawasaki-Teramoto model as both cross-diffusion coefficients tend to infinity at the same rate. In the case when either one of two cross-diffusion coefficients tends to infinity, Lou and Ni [18] derived a couple of limiting systems, which characterize the asymptotic behavior of coexistence steady-states. Recently, a formal observation by Kan-on [10] implied the existence of a limiting system including the nonstationary problem as both cross-diffusion coefficients tend to infinity at the same rate. This paper gives a rigorous proof of his observation as far as the stationary problem. As a key ingredient of the proof, we establish a uniform L estimate for all steady-states. Thanks to this a priori estimate, we show that the asymptotic profile of coexistence steady-states can be characterized by a solution of the limiting system.  相似文献   
8.
This paper considers a firm's salesforce contracting problem under model uncertainty. Based on the notion of multiplier preferences, we capture model uncertainty and explicitly characterize the structure of the optimal contract. Our findings provide guidelines on the design of salesforce compensation contracts in practical situations.  相似文献   
9.
刘笑佟  任爽 《运筹与管理》2020,29(3):135-141
合理预测铁路货运需求是铁路管理部门建设、运营等决策基础。为应对铁路货运需求的复杂变化,基于Pearson相关性分析方法筛选出铁路货运需求的七个具有关键影响的因素,并结合不确定理论建立不确定多元线性回归模型,相应的铁路货运预测结果由传统单一值变成可能的需求区间范围,更加符合处于不确定环境下的铁路货运需求实际情况。选取国家统计局2004~2016年相关数据进实证研究,并与回归模型以及BP模型的预测结果对比分析,实验表明不确定多元线性回归的预测结果更加精确。  相似文献   
10.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号