N型4H-SiC同质外延生长

利用水平式低压热壁CVD (LP-HW-CVD) 生长系统,台阶控制生长和衬底旋转等优化技术,在偏晶向的4H-SiC Si(0001) 晶面衬底上进行4H-SiC同质外延生长,生长温度和压力分别为1550℃和10⁴ Pa,用高纯N₂作为n型掺杂剂的4H-SiC原位掺杂技术,生长速率控制在5μm/h左右.采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM),傅里叶变换红外光谱(FTIR)和Hg/4H-SiC肖特基结构对同质外延表面形貌、厚度、掺杂浓度以及均匀性进行了测试.实验结果表明,4H-SiC同质外延在表面无明显缺陷,厚度均匀性1.74%, 1.99% 和1.32%(σ/mean),掺杂浓度均匀性为3.37%,2.39%和2.01%.同种工艺条件下,样品间的厚度和掺杂浓度误差为1.54%和3.63%,有很好的工艺可靠性. 关键词： 4H-SiC 同质外延生长 水平热壁CVD 均匀性     

二氧化碳对同质外延生长单晶金刚石内应力的影响

本文研究了在反应气体中引入不同浓度的CO₂对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法同质外延生长单晶金刚石内应力的影响,并对其作用机理进行了分析。研究发现,随着CO₂浓度增加,单晶金刚石内应力逐渐减小,这是由于添加的CO₂提供了含氧基团,可以有效刻蚀金刚石生长过程中的非金刚石碳,并能够降低金刚石中杂质的含量,从而避免晶格畸变,减少生长缺陷,并最终表现为单晶金刚石内应力的减小,其中金刚石内应力以压应力的形式呈现。此外反应气体中加入CO₂可以降低单晶金刚石的生长速率和沉积温度,且在合适的碳氢氧原子比(5∶112∶4)下能够得到杂质少、结晶度高的单晶金刚石。     

并五苯同质异相体中分子间势能与能带计算

采用Born-Mayer-Haggins对势模型，分析了并五苯分子间势能及其相互作用. 用紧束缚模型计算了两种并五苯同质异相体结构的能带宽度. 计算带宽随温度升高减小8%—14%. 关键词： 并五苯 同质异相体 分子间势能 能带计算     

基于碳化硅衬底的宽禁带半导体外延

宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳化硅(SiC)材料具有热导率高、化学稳定性好、耐高温等优点,在SiC衬底上外延宽禁带半导体材料,对充分发挥宽禁带半导体材料的优势,并提升宽禁带半导体电子器件的性能具有重要意义。得益于SiC衬底质量持续提升及成本不断降低,基于SiC衬底的宽禁带半导体电子市场占比呈现逐年增加的态势。在SiC衬底上外延生长高质量的宽禁带半导体材料是提高宽禁带半导体电子器件性能及可靠性的关键瓶颈。本文综述了近年来国内外研究者们在SiC衬底上外延SiC、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga₂O₃)所取得的研究进展,并展望了SiC衬底上宽禁带半导体外延的发展及应用前景。     

珊瑚状Ni2P修饰新型四足状Cd0.9Zn0.1SZB/WZ同质结光催化剂的高效可见光光催化产氢

随着社会发展,传统化石能源消耗加剧,人类迫切需要开发新型的清洁能源.半导体光催化分解水产氢是一种非常具有潜力解决能源危机的清洁技术.目前,金属硫化物半导体有着合适的能带结构和高效的光催化产氢能力而得到了广泛的研究.通常,为了提高光催化剂产氢性能,添加贵金属助催化剂是一个行之有效的方法.但是贵金属昂贵的价格限制了其大规模...     

这不只是有钱人的游戏，你也可以!

我们不能理解我们不了解的东西,除非我们开始对它感兴趣。作为心理学范畴的信念激励,总是有太多的致富励志书籍泛滥而过度的引用此类说法,以至于讲了一大堆“只要你相信,就能成功”诸如此类较为悬乎的无限信念增强法,最后却总是不免沦为空洞的口号。     

利用同质异位素产额比提取对称能的近似方法

在修改的Fisher模型框架下, 利用同质异位素产额比和结合能方程中对称能系数与温度比率的关联, 可以提取对称能系数与温度的比值。 利用3种不同的近似方法得到了重离子核反应产生丰中子余核的对称能系数与温度比（a_sym/T）,并研究了相关物理量对a_sym/T的影响。结果表明, 库仑能对提取丰中子余核的a_sym/T影响较小,且参考核的选取对a_sym/T的提取也有一定的影响。 In the framework of the modified Fisher model, correlations between the symmetry energy coefficient in semi classical mass formula to temperature (a_sym/T) and the isobaric yield ratio in Heavy ion collisions are established. a_sym/Tof neutron rich fragments are extracted using these correlations. It is found that the Coulomb energy term has little effect on a_sym/T of fragments, while the reference isobars adopted have great influence on the extracted a sym/T of fragments.     

2．44-2．6MeV^178Hf核高激发态能级及性质

Coliins低能诱导6179Hfm^m2辐射衰变“正”面实验结果受到质疑的原因之一是未能确定出诱导实验的中间激发态。^178Hf核能级结构的实验数据表明：距同质异能态^178Hf^m2（2．446Mev）最近的一条能级是2．573MeV（K^π=14^＋）。因此，详细计算^178Hf核2．44-2．6MeV范围内高自旋、高激发核能级结构，对寻找低能诱导^178Hf^m辐射衰变中间激发态，分析低能诱发辐射实验可行性非常必要。     

中学数学教师信念的内涵、框架与发展路径

教师信念是教师专业素养内涵的关键成分之一,中学数学教师信念是发展的,其内涵包括数学信念、数学教学信念和数学学习信念等几个维度,集中表现了中学数学教师对数学知识、中学数学教学和中学数学学习方面的认识和理解.教师信念作为一种精神表现,以内隐的方式,直接或间接地对中学数学教师的教育教学、教师的专业发展以及学生的学习等方面产生明显的影响,应关注教师信念的发展,促使其积极合理地发挥作用.