确定待定系数的一种方法

本文利用复变函数的理论，推导出一种确定待定系数的方法．     

液晶SmC*相自发极化的统计理论

采用格胞模型，定义在格胞中心上的极化序参量．选用双轴性并具有横向电矩的分子作用势，求得系统的自由能，得到自发极化强度的大小和螺旋变化螺距的表达式．计算了DOBAMBC和3M2CPOOB等4种典型SmC^*相液晶的自发极化强度大小和螺距随温度的变化及其受分子横向电矩的影响，结果与实验相符．表明SmC^*相的自发极化强度主要产生于分子的双轴性和横向电矩． 关键词：     

双曲空间中旋转对称的极小超曲面

本文给出了双曲空间Hⁿ中旋转对称的极小超曲面的微分方程,对这类超曲面进行了分类,它们是Hⁿ中的超平面或广义悬链面,而每个广义悬链面被夹在两个平行的超平面之间,且以这两个超平面为渐近平面.     

液晶SmC*相螺旋结构的统计理论

采用格胞模型,定义在格胞中心上的分子取向序参量、质心位置序参量和两者耦合序参量。选用双轴性并有横向电偶极矩的分子的作用两体势,求出系统的自由能,对自由能求变分得到指向矢满足的微分方程,由此方程得到SmC^*相指向矢与分子层面法线倾斜,并沿该法线作螺旋式变化,求得倾斜角和螺距的近似表示式,计算了DOBAMBC等三种典型SmC^*相液晶的倾斜角和螺距随温度的变化,结果与实验相符。     

一类泛圈图

本证明了如果G是2连通无爪图,G不是圈,n=|V(G)1≥9,G的每个导出子圈A都满足φ（a1,a2),且G中不含同构于Z^ 2的导出子图,则G是泛圈图。     

射频场照射下扩展的Solomon方程

根据WBR理论,采用"改进的矩阵计算方法",计算出了较为准确的射频场照射下扩展的Solomon方程,并将其与Boulat和Bodenhausen给出的结果进行了比较和分析,得出了一些有益的结论.     

确定待定系数的一种方法

本文利用复变函数的理论，推导出一种确定待定系数的方法．     

液晶近晶C相双轴特性的统计理论

采用格胞模型,定义了分子取向序参量、双轴序参量、质心位置序参量以及取向与质心位置耦合序参量.由自由能极小求得指向矢倾斜角与双轴序参量间的关系.对典型Sc相液晶物质TBBA,TBSA和NOBA的双轴序参量随温度的变化以及取向序参量和倾斜角对双轴序参量的影响作了数值计算,并与实验结果进行比较.表明这种双轴特性主要产生于Sc相的指向矢倾斜结构和分子取向的有序性. 关键词：     

一类泛圈图

本文证明了如果 Ｇ 是 ２ 连通无爪图, Ｇ 不是圈,ｎ＝ ｜ Ｖ（ Ｇ）｜≥９, Ｇ 的每个导出子图 Ａ都满足φ（ａ１,ａ２ ）,且 Ｇ 中不含同构于 Ｚ＋２ 的导出子图,则 Ｇ是泛圈图