平板几何迁移算子的特征值问题

研究L^p(1相似文献   

正电子冲击下氦电离三重微分截面的理论计算

我们发展了一种正电子碰撞原子电离的畸变波Born近似方法， 在这个方法中，正负电子偶素通道通过一个ab initio的光学势附加到入射粒子和靶的相互作用势上，且通道对电离作用被第一次被考虑在正电子碰撞原子电离的过程中. 应用这个方法计算了在50 eV入射能量范围氦的电离的三重微分截面，计算结果和实验数据很好的符合.     

保积Hom-李color三系的广义导子

本文首先给出保积Hom-李color三系的导子、广义导子和拟导子的定义,进一步得出保积Hom-李color三系的导子、广义导子和拟导子的一些性质,证明了QDer(T)+QC(T)=GDer(T).其次,证明了中心导子代数ZDer(T)和型心C(T)都是Der(T)的Hom-理想.最后证明了域F的特征不等于2时,ZDer(T)=C(T)∩Der(T).     

李超代数sl2|1到Contact超代数的低维上同调

在伴随表示的意义下Contact超代数是典型李超代数osp_m|n^-模.在特征p>2的域上,基于特殊线性李超代数sl_2|1与正交-辛超代数osp_2|2的同构关系,通过对Contact超代数进行适当的osp_2|2^-子模分解和权空间计算,采取简约的方法计算sl_2|1到Contact超代数的低维上同调.     

一个二进小波变换像空间的再生核函数

1 引言小波分析是结合泛函分析、应用数学、逼近论、调和分析、广义函数论等数学知识的结晶,具有深刻的理论意义和广泛的应用范围,被称为"数学显微镜".基于其多分辨分析的特点以及在时、频两域都具有表征信号局部特征的功能,应用它可以解决许多Fourier变换不能解决的难题,为工程应用提供了一种新的、更有效的分析工具[1].     

MOVPE生长的InGaN/GaN单量子阱的光致发光和光吸收特性

研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)法在蓝宝石衬底上生长的In组分浓度保持不变的InGaN/GaN单量子阱结构在室温下的发光特性和光吸收特性.实验结果表明,在InGaN厚度<3nm时,随着样品InGaN势阱层宽度的增加(1nm),光致发光(PL)谱的发光峰值波长出现明显的红移33nm现象,而且发光强度下降8%,谱线半峰全宽(FWHM)展宽,通过对样品的透射、反射光谱研究发现,量子阱层窄(1.5nm)的样品在波长接近红外区时出现无吸收的现象,即R+T达到了100%,而在阱层较宽的样品中没有发现这一现象,对引起这些现象的原因进行了讨论.这些结果有助于开发和优化三族氮化物半导体光电器件的进一步研究工作.     

竞争非局域非线性向列相液晶中亮孤子

针对热效应的非局域程度和分子取向效应的非局域程度不等的情况,利用JUNG P S等提出的模型研究了具有竞争非局域非线性效应的向列相液晶中的亮孤子特性.通过变分法得到光束振幅、宽度、啁啾和位相等参数随传输距离的变化规律,即光束振幅和宽度与入射光的功率息息相关,光束宽度随热非局域程度增加单调递减,随热非线性系数增加单调递增.在此基础上给出和入射光束功率密切相关的势能函数.利用势能函数预言了入射光束功率越大亮孤子宽度越小.通过解变分方程组可得,入射光功率为4或8时,光束宽度均随传输距离周期性震荡.这两个震荡趋势有明显的区别,功率为4时光束传输过程中宽度始终大于或等于初始宽度,功率为8时光束传输过程中宽度始终小于或等于初始宽度.该变化规律与数值仿真结论一致.     

基于棱镜结构的双波长M-Z干涉系统设计

为了便于光程差的调节,利用全反射棱镜结构改进了传统的M-Z干涉系统,并建立了基于双波长干涉原理的M-Z测量系统理论模型。利用Zemax建立了完整的光学系统模型,对整个系统进行仿真分析测试。系统像质评价结果表明:532 nm~632.8 nm波段范围内系统的能量集中度达85%、畸变值小于0.02%、截止频率10 lp/mm时调制传递函数在0.9以上,满足对透射型试样进行测量的成像要求,为高性能干涉系统实用化提供了理论依据和技术支持。     

李color三系的上同调和Nijenhuis算子

本文研究了李color三系的上同调结构和Nijenhuis算子的问题.利用李三系的上同调和Nijenhuis算子的研究方法,构造出李color三系的上边界算子,获得了李color三系的单参数形式形变.推广了线性映射生成无穷小形变的充分必要条件,同时证明了由一个李color三系的Nijenhuis算子产生的形变是平凡的.     

Orlicz-Bochner序列空间的(K)性质

讨论Orlicz-Bochner序列空间的(K)性质,利用生成函数M及Orlicz-Bochner序列空间的性质,并在假设Banach空间X具有Schur性质的前提下,得到Orlicz-Bochner序列空间具有(K)性质的充要条件,进而得到Orlicz-Bochner序列空间具有弱不动点性质的一个充分条件.