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在微电子学和固态电子学领域,半导体pn结几乎是构成一切有源器件以及像二极管等一些无源器件的最基本单元,其产生与变革的历史就是电子学的近代发展史,也是极其重要的物理内容. 1.pn结的过去 在优质的本征半导体基质中,掺入少量三价元素如铝或五价元素如磷的物质后,就可分别形成空穴型的p型半导体和电子型的n型半导体,当这两种半导体通过一定的工艺有机地结合时,如图1所示,其交界面附近的电子和空穴便因浓度差,而产生相向的扩散运动,同时留下不能移动的正、负离子即势垒层或空间电荷区──由此而产生内建电场,其方向由… 相似文献
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给出了泛权网场复合的几个定义,证明了泛权网场复合的一组有关逻辑守恒性的定理·结合均场模型,探讨了泛权网场在人工神经网络中的应用前景 相似文献
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关于两类矩阵最佳逼近问题 总被引:6,自引:0,他引:6
1.引言与引理 设Rm×n表示所有m×n阶实矩阵的集合;SRn×n是所有n阶实对称矩阵的全体;ORn×n是所有n阶实正交矩阵的全体;In是n阶单位矩阵;AT是矩阵A的转置;rankA表示矩阵 A的秩;‖·‖是矩阵的Frobenius范数.此外,对于 ,A*B表示 A与 B的 Hadamard积,其定义为 ,现考虑如下问题: 问题 Ⅰ给定 ,使得 ,求 问题Ⅱ给定 ,求 ,使得 本文运用矩阵对… 相似文献
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矩阵方程的最小二乘解 总被引:15,自引:3,他引:12
袁永新 《高等学校计算数学学报》2001,23(4):324-329
1 引言与引理设 Rm× n表示所有 m× n阶实矩阵的集合 ,ORn× n为所有 n阶实正交矩阵的全体 ,In 是 n阶单位矩阵 .AT、A+、rank A分别表示矩阵 A的转置、MP逆及秩 ;‖·‖是矩阵的Frobenius范数 .此外 ,对于 A =(αij)∈ Rs× s,B =(βij)∈ Rs× s,A * B表示 A与 B的Hadamard积 ,其定义为 :A* B=(αijβij) 1≤ i,j≤ s,现考虑如下问题 :问题 P 给定 A∈Rn× m,B∈Rp× m,D∈Rm× m求 X∈Rn× p,使得Φ =‖ ATXB - BTXTA - D‖ =m in 我们知道 ,矩阵方程 ATX B- BTXTA=D在自动控制理论中有很重要的作用[1 ,2 ] .… 相似文献
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利用高温高压法首次合成了KNb1 -xTixO3-δ(x =0~ 0 .4)系列固溶体 ,并使用X射线衍射、TG DTA、Raman谱和交流阻抗谱等对样品的结构、热稳定性和导电性进行了表征。XRD结果表明 ,随掺杂量的增加 ,晶胞体积减小 ;Ti掺杂引起了固溶体结构的转变 ,x <0 .1 5的样品为正交钙钛矿结构 ,而x≥ 0 .1 5的样品几乎为纯四方相结构。Raman谱和DTA结果显示 ,Ti掺杂使四方相区宽化 ,并且随掺杂量的增加 ,相变温度逐渐下降。阻抗谱测量表明 ,所有样品均以离子导电为主 ,其中KNb0 .85Ti0 .1 5O2 .92 5的氧离子导电率最高 ,在 80 0℃时达到 5 .6× 1 0 - 3S·cm- 1 ,在测量温度范围内 ,电导率可以拟合成两条直线 ,低温活化能小于高温活化能 相似文献
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在高温高压 ( 4 0GPa ,870℃ )下合成了具有正交钙钛矿结构的KNb1 -xMgxO3-δ(x =0 0— 0 3 )系列固体电解质 ,并系统地研究了Mg掺杂对其结构相变和导电性的影响 .变温拉曼谱和DTA测量结果表明 ,随着温度的升高 ,KNb1 -xMgxO3-δ发生了结构相变 ,由铁电正交、四方相转变为顺电立方相 .由于Mg掺杂削弱了B位离子对自发极化的贡献以及A位离子与BO6 八面体间的耦合作用导致了居里温度下降 .其中KNb0 85Mg0 1 5O2 775的居里点大约下降 40℃ ,为 3 92℃ .阻抗谱测量表明 ,所有样品都具有离子导电特征 ,但晶界效应较强 ,电导主要由晶界决定 .通过掺杂 ,提高了样品的电导率 ,其中KNb0 9Mg0 1 O2 85的氧离子电导率最高 ,70 0℃时达到 1.2× 10 - 3S cm . 相似文献
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本文应用系统聚类法从多项基本体质测试成绩中对研究对象按其素质好坏进行分类。用主成分分析方法给出研究对象素质好坏的综合评价。为选拔培养体育人才提供数量分析依据。 相似文献
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三维蜂窝状配位聚合物{[Ni(tn)][Ni(CN)4]·2H2O}n的合成、晶体结构及磁性质 总被引:4,自引:0,他引:4
将Ni(tn)(CIO4)2的水溶液和K2[Ni(CN)4]·H2O的水溶液在U形管中通过扩散反应,得到了一种结构新颖的三维蜂窝状配位聚合物{[Ni(tn)][Ni(CN)4]·2H2O}n(tn为1,3-丙二胺).该化合物属单斜晶系,空间群为C2/c,晶胞参数为n=1.2014(2)nm,b=0 8942(2)nm,c=1.2645(3)nm,α=90°,β=108.76(2)°,γ=90°,V=1.2863(5)nm3和Z=4.该化合物由四配位Ni与六配位Ni通过氰根离子桥联而形成三维无限伸展的蜂窝状结构,其中四配位的Ni(2)离子为C配位平面四方构型,六配位的Ni(1)离子为N配位八面体构型.变温磁化率测定表明,在分子内部存在弱的反铁磁相互作用. 相似文献
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