关于两类复微分方程组的允许解

本文利用Nevanlinna值分布理论讨论了复平面内两类复微分方程组的允许解的存在性问题，改进了文[1]中的一些定理，从而得到了更精确、更一般的结果  

常微分方程的亚纯允许解

本文利用Nevanlinna值分布理论，讨论了一般高阶代数微分方程的亚纯允许解的存在性问题，得到的结果是文[2-4]的推广和改进，有例子表明本文的上界比文[2-4]的上界要好.  

三维热传导型半导体问题的特征混合元方法和分析

本文研究三维热传导型半导体态问题的特征混合元方法及其理论分析，其数学模型是一类非线性偏微分方程的初边值问题，对电子位势方程提出混合元逼近，对电子，空穴浓度方程笔挺表限元逼近；对热传导方程采用对时间向后差分的Ｇａｌｅｒｋｉｎ逼近，应用微分方程先验估计理论和技巧得到了最优阶Ｌ＾２误差估计。  

第二类Feigenbaum函数方程凸解的构造

考虑第二类Feigenbaum函数方程{f（x）=1/λf（f（λx））,0〈λ〈1,f（0）=1,0≤f（x）≤1,x∈[0,1]对于给定的初始函数,利用构造性方法讨论上述方程的连续凸解、C^1-凸解和C^2-凸解的存在性及唯一性.  

微分方程的解和小函数的关系

本文利用了一个新的引理研究了微分方程解以及它们的一阶,二阶导数,微分多项式与小函数的之间的关系.  

三维热传导型半导体问题的交替方向特征有限元方法及理论分析

１．引言 三维热传导型半导体器件瞬态问题的数学模型由四个非线性偏微分方程描述 ［１，２］．工程研究中一般考虑绝流边条件，由于绝流条件可以看作一反射条件来处理、为了数值分析方便，我们在此考虑三维周期问题： 其中，　＝［０，１］３，未知函数是电子位势　；电子，空穴浓度ｅ，ｐ；温度函数Ｔ．方程（１，１）－（１.４）中出现的系数均有正的上下界，且是　周期的． ａ＝Ｑ／ε，Ｑ，ε分别表示电子负荷和介电系数，均为正常数．Ｎ（ｘ）是给定的函数．Ｄｓ（ｘ）为扩散系数，μｓ（ｘ）为迁移率，ｓ＝ｅ，Ｐ．Ｒ（ｅ，ｐ，Ｔ）…  

凸二次规划问题逆问题的模型与解法

本文分别考虑带非负约束和不带大量负约束凸二次规划问题逆问题。首先得到各个逆问题的数学模型，然后对不同的模型给出不同的求解方法。  

一类含脉冲次线性奇异边值问题的解

证明了一类含脉冲次线性奇异边值问题解存在的充要性条件，推广了以前的相应结果。  

非线性双曲型积分微分方程有限元逼近的误差分析

考虑非线性双曲型积分微分方程半离散有限元格式，得到H^1超收敛和最优阶L^∞和W^1,∞模误差估计，结果丰富了有限元方法的理论。  

一类三维拟线性双曲型方程交替方向有限元法

对一类一般的三维拟线性双曲型方程通过转化二阶时间导数得到关于一阶时间导数的耦合方程组,然后进行离散得到交替方向有限元格式,应用微分方程先验估计的理论和技巧得到了最优阶H~1-模和L~2-模误差估计,并给出了数值算例,数值结果和理论分析得到很好的吻合.