An implicit method for linear ill‐posed problems with perturbed operators

An implicit iterative method is applied to solving linear ill‐posed problems with perturbed operators. It is proved that the optimal convergence rate can be obtained after choosing suitable number of iterations. A generalized Morozov's discrepancy principle is proposed for the problems, and then the optimal convergence rate can also be obtained by an a posteriori strategy. The convergence results show that the algorithm is a robust regularization method. Copyright © 2006 John Wiley & Sons, Ltd.     

绿色荧光粉YAGG∶Tb,Gd用于FED的尝试

FED器件的发展迫切需要具有化学和热稳定性 ,高亮度 ,长寿命的新型荧光材料。本文合成了Gd3 +离子共掺杂的YAGG∶Tb获得了YAGG∶Tb ,Gd ,并将其用于 0～ 30 0 0V低压范围 ,对其在不同电压和电流密度下的发光特性进行了测试。结果表明 ,该种材料特性优于ZnO∶Zn并且不存在电压与电流饱和     

聚苯胺复合材料研究进展

综述了聚苯胺/无机物复合材料和聚苯胺/有机高聚物复合材料的合成方法，性能特征，并展望了聚苯胺复合材料的研究，应用前景。     

锰基液流电池电解液的体积性质研究

体积性质是锰基液流电池电解液的重要热力学性质,常用于解释溶液中复杂的离子间相互作用关系。本文在283.15-318.15 K温度范围内,测定了浓度为0.5-3.0 mol/kg的MnSO₄水溶液的密度值,得到了MnSO₄溶液的几个热力学参数和弱分子间的相互作用关系。结合Pitzer电解液表观摩尔体积热力学模型,得到了体积参数β(0)V MX,β(1)V MX和CV MX,而且计算值与实验值的相关系数能够达到0.988。这一研究可以更好地理解锰电解液中离子相互作用机制,为优化电解液成分和提高电池性能提供理论支撑。     

辐射照相系统中转换屏的分辨率研究

在高能X光辐射照相系统中,通常使用闪烁体材料的转换屏将X光转换为可见光进行探测。建立了转换屏空间分辨率的计算模型,模拟了转换屏的空间分辨率随屏的厚度、材料及X光子能量的变化关系,为系统的设计提供了参数。     

电子束、离子辅助和离子束溅射三种工艺对光学薄膜性能的影响

运用电子束、离子辅助和离子束溅射三种镀膜工艺分别制备光学薄膜,包括单层氧化物薄膜和增透膜,然后采取一系列测试手段,如Zygo轮廓仪、原子力显微镜、表面热透镜技术和X射线衍射等技术,来分析和研究不同的工艺对这些薄膜性能的不同影响,以判断合理的沉积工艺。     

PID调节器在氧碘化学激光器谐振腔调腔中的应用

通过对由比例（P）、积分（I）和微分（D）三个单元组成的PID调节器基本原理的介绍,指出合理设定PID调节器的参数是消除扰动的影响并实现腔镜快速、准确而稳定地移动的关键。实验结果表明,在调腔过程中应用PID技术,提高了静态时谐振腔各腔镜的同心度,而且在一定程度上保证了出光过程中谐振腔内各个腔镜的同心度,使得减小远场光斑的漂移和变形成为可能。     

超短脉冲Bessel 光束和空间诱导色散效应

给出了含时的波动方程的一族特解－超短脉冲Bessel光束,其脉冲光束的空间和时间部分可以做分离变量,空间部分在传输过程中保持Bessel光束不变,而时间脉冲部分的传输行为类似于在普通色散介质中的传输,此效应被称之为空间诱导色散效应。     

建立激光同步辐射源的初步探讨

进行了基于正对以及离轴几何条件下,电子与激光束间Compton / Thomson散射的激光同步辐射源的初步探讨。运用现有的直线加速器技术以及高功率、高重复频率激光器技术可以为构建超短脉冲的高亮度、准单色、可调谐的X和γ射线源开辟一条新途径。     

静态单粒子翻转截面的获取及分类

为了评估静态随机访问存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)器件的单粒子效应,寻求单粒子翻转敏感部位,以XCV300PQ240为实验样品,利用重离子辐照装置详细测试了该器件的静态翻转截面,并根据配置存储单元用途的不同,对翻转数据进行了分类。结果表明：SRAM型FPGA的内部存储单元对单粒子翻转效应十分敏感;配置存储器翻转主要由查找表(LUT)及互连线资控制位造成,这两者的翻转占总翻转数的97.46%;配置存储器中各类资源的单粒子翻转(SEU)敏感性并不一致,输入输出端口(IOB)控制位和LUT的单粒子翻转的敏感性远高于其它几类资源,但LUT在配置存储器中占有很大比例,在加固时应予以重点考虑。