A New Sufficient Degree Condition for a Graphic Sequence to Be Forcibly k-Edge-Connected

A graphic sequence π =(d₁, d₂,..., d_n) is said to be forcibly k-edge-connected if every realization of π is k-edge-connected. In this paper, we obtain a new sufficient degree condition for π to be forcibly k-edgeconnected. We also show that this new sufficient degree condition implies a strongest monotone degree condition for π to be forcibly 2-edge-connected and a conjecture about a strongest monotone degree condition for π to be forcibly 3-edge-connected due to...     

基于改进SIR模型的知识密集型企业隐性知识转移研究

通过对比分析传染病传染机制与隐性知识的转移过程,引入SIR模型,根据隐性知识转移的特点对SIR模型进行改进,并在组织遗忘视角下,将员工知识遗忘细分为主动遗忘和被动遗忘,建立知识密集型企业隐性知识转移模型.而后,通过Matlab对该模型的演化函数进行模拟,分析知识接收方占比、知识转移能力、知识遗忘率及核心员工流失率对知识密集型企业隐性知识转移的影响.最后,基于模拟分析结果,为提升知识密集型企业隐性知识转移效益提出相应策略.     

高压辅助法制备红外非线性AgGaGe5Se12、AgGaGeS4晶体

AgGaGe5 Se12、AgGaGeS4非线性晶体在中远红外激光具有良好的应用前景.合成高纯多晶是制备可器件化单晶元件的关键.但S、Se易挥发、高温下饱和蒸气压高,易导致石英坩埚的爆炸,组分偏离化学计量比.为此,本文采用一种新型的高压辅助法合成出大尺寸高纯的多晶原料,解决了石英坩埚爆炸和组份偏离问题,并在此基础上进行了单晶的生长过程.多晶X射线粉末衍射测试结果与模拟图谱或者标准PDF卡片一致;X射线荧光光谱分析得到各元素百分含量非常接近化学计量比,AgGaGe5 Se12中Ag、Ga、Ge、Se各占7.86;、5.08;、23.80;、63.26;,AgGaGeS4中Ag、Ga、Ge、S各占28.22;、18.24;、19.52;、34.02;;单晶透过率测试得到AgGaGe5 Se12、AgGaGeS4透过率分别为60;、70;,证明此方法制备的AgGaGe5 Se12、AgGaGeS4晶体性能优良,展现了该方法在多晶合成的应用潜力.     

金色梦想，一触即发——化学专业校外实践教学基地建设与思考

高等教育要适应世界潮流和时代变化,本科教育须进一步提高实践教学的比重,加强理论教学与实践教学相结合,完善协同育人机制。结合学科发展和企业发展需求,中山大学化学学院与金发科技股份有限公司(简称金发科技)共同建设大学生实践教学基地。本文以中山大学-金发科技本科实践教学基地为例,探讨大学生校外实践基地建设过程中遇到的问题以及实践基地的建设内容与成果体会。     

旋涂法制备WO3薄膜电致变色性能

"智能窗"大规模推广顺应可持续发展潮流,三氧化钨(WO_3)是生产"智能窗"的一种重要电致变色材料,但调控WO_3薄膜电致变色性能机制仍待进一步研究。采用旋涂法制备WO_3薄膜,重点研究了溶液浓度和旋涂次数对调控WO_3薄膜电致变色性能的影响。通过表面轮廓仪测量薄膜厚度,X射线衍射(XRD)测量薄膜结晶情况,原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜表面形貌,光谱仪测量薄膜初始态、着色态和褪色态的透射率。实验结果表明,随着溶液浓度增加(0. 2～1. 0 mol/L),薄膜厚度从9. 7 nm增加到33. 3 nm,透射率调制能力从0%提升到37. 0%;多次旋涂薄膜厚度线性增长,线性拟合优度(R~2)达0. 98,5次旋涂后透射率调制能力达51. 3%。改变溶液浓度和旋涂次数都是调控薄膜透射率调制能力的有效手段,精准调控薄膜透射率调制能力对设计不同应用场景的电致变色器件具有重大意义。     

N型TOPCon晶硅太阳能电池光注入退火增效的研究

N型隧穿氧化层钝化接触(Tunnel Oxide Passivating Contacts,TOPCon)太阳能电池完成印刷烧结后,再经过光注入,效率有明显提升,主要表现在V_oc(开路电压)及FF(填充因子)的提升。其机理在于通过温度和光照强度调节费米能级变化,控制H总量及价态来提高钝化性能。钝化膜层的质量、硅基体掺杂浓度、光注入退火时的工艺温度等对光注入退火工艺提升效率有很大影响。实验证明转换效率越低的电池片经过光注入后效率提升幅度越大;转换效率越高的电池片缺陷会更小,经过光注入退火工艺后几乎无增益。另外同心圆在经过光注入退火工艺后会明显消除。本文主要研究温度、光强、基体电阻率、正表面金属接触面积大小、poly-Si(多晶硅)厚度对光注入退火工艺增效的影响。     

基于权重比的民航飞行员安全行为指标权重算法

确定飞行员安全行为指标的权重,对发现民航飞行员飞行安全风险的短板,提高民航飞行安全性具有重要意义.基于指标权重比,提出了一种飞行员安全行为指标权重算法.并以此算法分析了职业安全意识、飞行情景意识、特情应变能力以及机组资源管理能力等指标对飞行员安全行为的影响程度,研究可为飞行员安全行为风险管理提供依据,对安全飞行具有积极的指导意义.     

有限维李代数的结构常数与立方阵

用有限维李代数的结构常数及相对应的立方阵来刻画李代数的若干性质,给出了求李代数的自同构群和导子群的新方法以及李代数的结构常数法扩张.     

偏硼酸锂-四硼酸锂熔融-电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定石膏中多组分含量

石膏在我国储量丰富,应用广泛,快速准确分析其成分含量对石膏资源的综合利用具有重要意义。针对酸溶法无法测定SiO2,碱熔法无法测定K2O、Na2O的问题,本文建立一种偏硼酸锂-四硼酸锂熔融-电感耦合等离子体发射光谱法同时测定石膏中CaO、SO3、Al2O3、Fe2O3、MgO、TiO2、K2O、Na2O、SiO2含量。实验优化了熔剂用量、熔融温度,结果表明采用试样与偏硼酸锂-四硼酸锂混合熔剂质量比例1：5,在铂金坩埚中1000 ℃熔融10 min,在超声条件下,于50 mL 10 %盐酸中浸取熔融物,能够有效分解试样而浸取待测组分。向标准溶液系列中加入偏硼酸锂-四硼酸锂-盐酸基体溶液以消除基体对测试结果的影响。各待测组分的校准曲线的相关性系数均大于0.9990,方法检出限在3~292 μg/g范围内;采用实验方法分别对国家一级标准物质GBW03109a、GBW03110和实际样品进行测定,标准物质的5次平行测试的相对标准偏差在0.14 %~8.86 %之间,测定结果的相对误差在0.03~8.75 %之间,测试结果与标准值无显著性差异;实际样品中各成分测定值的RSD（n=5）为0.24~8.80 %。该方法操作简单、准确度高、精密度好、检出限低,可以同时测定石膏中的多组分含量,能够为石膏资源综合利用调查评价提供一定的技术支撑 。