首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   24008篇
  免费   3792篇
  国内免费   3074篇
化学   17950篇
晶体学   296篇
力学   1280篇
综合类   231篇
数学   2864篇
物理学   8253篇
  2024年   18篇
  2023年   421篇
  2022年   516篇
  2021年   743篇
  2020年   945篇
  2019年   935篇
  2018年   780篇
  2017年   770篇
  2016年   1014篇
  2015年   1142篇
  2014年   1408篇
  2013年   1837篇
  2012年   2137篇
  2011年   2281篇
  2010年   1664篇
  2009年   1553篇
  2008年   1779篇
  2007年   1547篇
  2006年   1446篇
  2005年   1178篇
  2004年   922篇
  2003年   752篇
  2002年   741篇
  2001年   581篇
  2000年   452篇
  1999年   437篇
  1998年   383篇
  1997年   268篇
  1996年   294篇
  1995年   275篇
  1994年   234篇
  1993年   212篇
  1992年   173篇
  1991年   196篇
  1990年   169篇
  1989年   141篇
  1988年   97篇
  1987年   79篇
  1986年   61篇
  1985年   68篇
  1984年   33篇
  1983年   36篇
  1982年   28篇
  1981年   21篇
  1980年   15篇
  1979年   14篇
  1978年   13篇
  1977年   13篇
  1976年   11篇
  1973年   9篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
孔帅  吴敏  聂凡  曾冬梅 《人工晶体学报》2022,51(11):1878-1883
采用磁控溅射法在ITO玻璃上制备了CdZnTe薄膜,探究机械磨抛对CdZnTe薄膜阻变特性的影响。通过对XRD图谱、Raman光谱、AFM显微照片等实验结果分析阐明了机械磨抛影响CdZnTe薄膜阻变特性的物理机制。研究结果表明,磁控溅射制备的薄膜为闪锌矿结构,F43m空间群。机械磨抛提高了CdZnTe薄膜的结晶质量;CdZnTe薄膜粗糙度(Ra)由磨抛前的3.42 nm下降至磨抛后的1.73 nm;磨抛后CdZnTe薄膜透过率和162 cm-1处的类CdTe声子峰振动峰增强;CdZnTe薄膜的阻变开关比由磨抛前的1.2增加到磨抛后的4.9。机械磨抛提高CdZnTe薄膜质量及阻变特性的原因可能是CdZnTe薄膜在磨抛过程中发生了再结晶。  相似文献   
2.
二维材料MXene纳米片由于具有较大的比表面积和较高的电子迁移率而受到广泛的关注。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层MXene纳米片Ti2N电磁特性的过渡金属(Sc、V、Zr)掺杂效应进行了系统研究。结果表明,所有过渡金属掺杂体系结合能均为负值,结构均稳定;其中Ti2N-Sc体系的形成能为-2.242 eV,结构更易形成,且保持稳定;掺杂后Ti2N-Sc、Ti2N-Zr体系磁矩增大;此外,Ti2N-Sc体系中保留了较高的自旋极化率,达到84.9%,可预测该体系在自旋电子学中具有潜在的应用价值。  相似文献   
3.
Catalysis Surveys from Asia - Co3O4 catalyst derived from Co-MOFs demonstrated rich active sites in the catalytic reaction. In this paper, we prepared the rod-like Co3O4 catalysts by calcining...  相似文献   
4.
Atopic dermatitis is characterized by leukocyte migration into the skin dermis and typically driven by excessive chemokine production at the site of inflammation. Conventional topical formulations such as gels, creams, and ointments are insufficient for this treatment because of low penetration of drug molecules into the targeted skin tissues. Herein, using a simple, green, sustainable strategy, we have developed novel primary zein nanoparticles embedded in curcumin (Cur) and coated with silk sericin (ZHSCs) for the topical delivery of Cur to penetrate into the dermis and exercise anti-dermatitis effects on the lesion with minimal side-effects. Transdermal delivery experiments and porcine skin fluorescence imaging indicated that ZHSCs facilitate the penetration of Cur across the epidermis layer of skin to reach deep-seated sites. Notably, ZHSCs = 1:0.25 (zein-to-silk sericin mass ratios of 1:0.25) markedly elevated the skin permeability and cumulative turnover of Cur transferred, which were provided a greater than a 3.8-fold increase relative to free Cur. The special nanoparticles of ZHS = 1:0.25 possessed the deepest localization depth and experience a transition of the particle structure and core-shell separation after penetrating into the dermis of skin. In a cell model of dermatitis induced by tumor necrosis factor α/interferon γ co-stimulation, compared with free Cur, Cur-loaded ZHS nanoparticles down-regulated the generation of inflammatory cytokines and chemokines in keratinocytes through suppression of the nuclear translocation of NF-κBp65 and hence exerted an anti-dermatitis effect. This strategy may provide new avenues and direction for the demanding issues of valid topical delivery systems.  相似文献   
5.
Tang  Yixuan  Tian  Qiang  Hu  Haiyan 《Nonlinear dynamics》2022,109(4):2319-2354
Nonlinear Dynamics - To describe the particular mechanical behaviors of beams with both uniform and non-uniform cross sections, such as the bidirectional bending, torsion-bending coupling, the...  相似文献   
6.
铋基卤化物材料因其无毒和优良的光电性能而显示出巨大的应用潜力。BiI3作为一种层状重金属半导体,已被用于X射线检测、γ射线检测和压力传感器等领域,最近其作为一种薄膜太阳能电池吸收材料备受关注。本文采用简单的气相输运沉积(VTD)法,以BiI3晶体粉末作为蒸发源,在玻璃基底上得到高质量c轴择优取向的BiI3薄膜。并通过研究蒸发源温度和沉积距离对薄膜物相和形貌的影响,分析了BiI3薄膜择优生长的机理。结果表明VTD法制备的BiI3薄膜属于三斜晶系,其光学带隙为~1.8 eV。沉积温度对薄膜的择优取向有较大影响,在沉积温度低于270 ℃时,沉积的薄膜具有沿c轴择优取向生长的特点,超过此温度,c轴择优取向生长消失。在衬底温度为250 ℃、沉积距离为15 cm时制备的薄膜结晶性能最好,晶体形貌为片状八面体。  相似文献   
7.
Three nonfused ring electron acceptors (NFREAs) TTC6,TT-C8T and TT-TC8 were purposefully designed and synthesized.The molecular geometry can be adjusted by the steric hindrance of lateral substituents.According to the DFT calculations,from TTC6 to TT-C8T and TT-TC8,planarity of the molecular backbone is gradually improved,accompanying with the enhancing of intramolecular charge transfer effect.As for TT-TC8,the two phenyl substituents are almost perpendicular to the molecular backbone,which endues the acceptor with good solubility and suppresses it to form over-aggregation.Multidirectional regular molecular orientation and closer molecular stacking are formed in TT-TC8 film.As a result,TT-TC8 based devices afford the highest PCE of 13.13%,which is much higher than that of TTC6 (4.41%) and TT-C8T (10.42%) and among the highest PCE values based on NFREAs.  相似文献   
8.
将TiNi基记忆合金薄膜与光纤相结合可制成智能化、集成化且成本经济的微机电系统和微传感器件.本文采用磁控溅射法在二氧化硅光纤基底上制备TiNi记忆合金薄膜,系统讨论了溅射工艺参数以及后续退火处理对薄膜质量的影响.采用自研制光纤镀膜掩膜装置在直径为125μm的光纤圆周表面上形成均匀薄膜.实验表明:在靶基距、背底真空度、Ar气流量和溅射时间一定的条件下,溅射功率存在最佳值;溅射压强较大时,薄膜沉积速率较低,但薄膜表面粗糙度较小.进行退火处理后,薄膜形成较良好的晶体结构,Ti49.09Ni50.91薄膜中马氏体B19′相和奥氏体B2相共存,但以B19′为主.根据本文研究结果,在玻璃光纤基底上制备高质量的TiNi基记忆合金薄膜是可实现的,本工作为下一步研制微机电系统和微型传感器做了基础准备.  相似文献   
9.
Czechoslovak Mathematical Journal - It is well known that people can derive the radiation MHD model from an MHD-P1 approximate model. As pointed out by F. Xie and C. Klingenberg (2018), the uniform...  相似文献   
10.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号