内射余分解类与投射分解类

令是直和与直和项封闭的右R-模类.本文讨论了关于内射余分解类与投射分解类的左(右)-维数和左正合函子之间的关系,并由此得到一些应用.     

具有广义分解的态射的广义逆

本文给出了预加范畴中态射的广义分解的概念,并研究了具有广义分解的态射的｛１,ｉ｝－逆,Ｍｏｏｒｅ－Ｐｅｎｒｏｓｅ逆存在的条件及其表达式,得到了态射的群逆及Ｄｒａｚｉｎ逆存在的充要条件,推广了具有泛分解的态射的广义逆的相应结果．     

关于强Clean一般环 (英)

本文介绍了强clean—般环的概念并将一些基本的结果推广到这个更广的环类．证明了强clean一般环的角落环和强π-正则一般环都是强clean的,还讨论了强clean一般环的扩张并且证明了满足条件J(I)=Q(I)的交换clean一般环的上三角矩阵环是强clean的．     

P-内射环的某些研究

本文利用 P-内射环给出了半单环的几个特征,并得到了 P-内射环的某些性质。     

挠理论中的相对内射模

For a hereditary torsion theory T,this paper mainly discuss properties of A-τ- injective modules,where A is a fixed left R-module.It is proved that if M is an A-τ-injective, B is a submodule of A,then 1)M is A/B-τ-injective;2)M is B-τ-injective when B isτ- dense in A.Furthermore,we show that if A_1,A_2,…,A_n are relatively injective modules, then A_1⊕A_2⊕…⊕A_n is self-τ-injective if and only if A_i is self-τ-injective for each i.     

A Noteon Generalized Inverses of a Product

ＡＮｏｔｅｏｎＧｅｎｅｒａｌｉｚｅｄＩｎｖｅｒｓｅｓｏｆａＰｒｏｄｕｃｔ＊）ＣｈｅｎＪｉａｎｌｏｎｇ（陈建龙）（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｈｅｍａｔｉｃｓａｎｄＭｅｃｈａｎｉｃｓ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ，２１００９...     

拟-Armendariz模

For a right R-module N, we introduce the quasi-Armendariz modules which are a common generalization of the Armendariz modules and the quasi-Armendariz rings, and investigate their properties. Moreover, we prove that NR is quasi-Armendariz if and only if Mm(N)Mm(R) is quasi-Armendariz if and only if Tm(N)Tm(R) is quasi-Armendariz, where Mm(N) and Tm(N) denote the m×m full matrix and the m×m upper triangular matrix over N, respectively. NR is quasi-Armendariz if and only if N[x]R[x] is quasi-Armendariz. It is shown that every quasi-Baer module is quasi-Armendariz module.     

有机电致发光器件的封装热特性研究

有机电致发光器件的稳定性与其封装结构密切相关,封装技术的优劣直接影响有机电致发光二极管器件的寿命.本文采用热阻抗模型对三种常用有机电致发光二极管器件封装结构进行热阻抗分析,并利用ANSYS有限元分析软件的热分析模块对热特性进行研究,得出各种器件封装结构的温度场分布,根据温度场分布比较得出各种封装结构散热性能的差异.分析得出,传统后盖式封装结构与混合封装结构散热效果相差不大,Barix封装结构具有最好的散热性能.模拟仿真结果显示,当玻璃厚度从0.5 mm增加至0.9 mm时,传统封装结构的发光层温度升高了0.124℃,Barix封装结构的发光层温度升高了0.262℃,表明玻璃层厚度的增减对有机电致发光二极管器件的散热影响较小.改变器件表面空气流动速度,使对流系数从25W/(m²·K)变为85W/(m²·K)时,传统封装结构有机电致发光二极管发光层的温度由42.911℃递减到26.85℃,可见增大表面空气流动速度对降低有机电致发光二极管有源层的温度作用显著.