High temperature superconducting thin films for microwave filters

YBa₂Cu₃O_7-δ and Tl₂Ba₂CaCu₂O₈ thin films for microwave filters were synthesized by pulsed laser deposition and the two-step thalliation process. Substrate quality requirements and the relation of thin film morphology, microstructure with microwave surface resistance were discussed.     

ULTIMATE BOUNDEDNESS FOR A DIFFERENTIAL DELAY MODEL

This paper considers the scalar differential delay equation x(t) = -μx(t)-f(x(t-Τ(t)), t). By using the mapping method we obtain that the solutionswill be ultimately in some interval.     

Ce4+替代Pu4+的模拟固化体(Gd1-xCex)2Zr2O7+x的合成及结构演变

Gd₂Zr₂O₇中Gd具有很大的中子吸收截面, 其烧绿石结构-缺陷萤石结构的转变能较低, 使其成为理想的核废料固化基材. 使用硝酸盐为原料, 添加少量NaF作助熔剂, 在较低温度下(和传统高温固相反应相比), 合成了烧绿石型Gd₂Zr₂O₇. 以Ce⁴⁺模拟Pu⁴⁺, 研究了Gd₂Zr₂O₇对锕系核素的固化, 并合成了系列模拟固化体(Gd_1-xCe_x)₂Zr₂O_7+x (0≤x≤0.6). 采用粉末X射线衍射(XRD)对系列样品进行了表征. 结果表明: 随着x值的增大,样品从烧绿石结构向缺陷萤石结构转变, 且晶胞大小基本保持恒定, 但当x=0.6时, 衍射峰明显宽化, 晶格畸变比较严重, 晶格稳定性降低. 当x=1时, 即用Ce⁴⁺完全取代Gd³⁺进行合成, 不能得到Ce₂Zr₂O₈, 产物发生了相分离, 为四方结构的(Zr_0.88Ce_0.12)O₂和萤石结构的(Ce_0.75Zr_0.25)O₂的混合物. 模拟固化体的浸出率测试表明: 当x≤0.2时, 各元素浸出率均很低, 但当x≥0.4时, 各元素的浸出率明显升高, 说明以Gd₂Zr₂O₇作为固化Pu⁴⁺的基材, Pu⁴⁺掺入量不宜高于40%.     

番红花红O-Mn2+-H2O2光度法测定茶叶的抗氧化性

在硫酸介质中,Mn2 -H2O2体系产生的羟自由基可以迅速氧化番红花红O,使其颜色变浅。实验证明,茶叶提取液具有可清除溶液中的羟自由基的功能,从而使番红花红O溶液的褪色程度降低。根据溶液吸光度的这一变化,可建立一种测定茶叶对羟自由基清除率的新方法。将本法用于8种茶叶的抗氧化性的测定,结果满意。     

基于互连线电容耦合的SR锁存电路研究

通过对线间电容耦合模型的研究, 提出了一种基于互连线电容耦合的SR锁存电路设计方案. 该方案首先分析互连线间电容耦合关系, 利用MOS管栅极电容模拟互连线电容; 然后利用电容耦合结构与线计算特性, 设计或非逻辑门电路, 在此基础上实现基于互连线电容耦合的SR锁存电路; 最后在TSMC 65nm Spectre环境下仿真验证. 结果表明 所设计的电路逻辑功能正 确, 且具有低硬件开销特性.     

粗茎乌碱I相对空间构型的NMR解析

综合利用1↑HNMR、13↑CNMR、DEPT、COSY、HMQC和HMBC等NMR技术,对从黄草乌中分离提取的粗茎乌碱类化合物进行了结构解析,分析结果表明,该化合物含有乌头生物碱化合物母核,以及1个甲氧基苯基片段和1个乙酸基片段,并最终确证该化合物为粗茎乌碱I。根据该化合物特有的刚性特征,利用ROESY实验并辅以1D—GOESY等实验手段完成了该化合物的相对空间结构的解析。     

Growth and characterization of InAs quantum dots with low-density and long emission wavelength

The growth parameters affecting the deposition of self-assembled InAs quantum dots （QDs） on GaAs substrate by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition （MOCVD） are reported. The low-density InAs QDs （- 5 × 10^8cm^-2） are achieved using high growth temperature and low InAs coverage. Photoluminescence （PL） measurements show the good optical quality of low-density QDs. At room temperature, the ground state peak wavelength of PL spectrum and full-width at half-maximum （FWHM） are 1361 nm and 23 meV （35 nm）, respectively, which are obtained as the GaAs capping layer grown using triethylgallium （TEG） and tertiallybutylarsine （TBA）. The PL spectra exhibit three emission peaks at 1361, 1280, and 1204 nm, which correspond to the ground state, the first excited state, and the second excited state of the ODs, respectively.     

吸气溅射Mo_(1-x)Si_x薄膜的超导性能

对于四个Mo_(1-x)Si_x薄膜样品进行了超导转变温度、临界温度附近的临界磁场以及在4.2K下的临界电流的测试,并且测量了室温(300K)及低温(8K)下的电阻率,结果显示四个样品具有非晶的特征,其中Mo_(78)Si_(22)薄膜样品有较好的非晶特性。     

二维TiC层表面H2的化学吸附与物理吸附

第一性原理计算研究发现由于二维TiC单原子层具有高的比表面积与大量的暴露在表面的Ti原子,其是一种非常有潜力的储氢材料.计算结果显示H2可以在二维TiC单原子层表面进行物理吸附与化学吸附.其中化学吸附能为每个氢分子0.36 eV,物理吸附能是每个氢分子0.09 eV.覆盖度为1和1/4层(ML)时,H2分子在二维TiC单原子层表面的离解势垒分别为1.12和0.33 eV.因此,除了物理吸附与化学吸附,TiC表面还存在H单原子吸附.最大的H2储存率可以达到7.69％(质量分数).其中,离解的H原子、化学吸附的H2、物理吸附的H2的储存率分别为1.54％、3.07％、3.07％.符合Kubas吸附特征的储存率为3.07％.化学吸附能随覆盖度的变化非常小,这有利于H2分子的吸附与释放.     

复盐K3Na(SO4)2的热化学研究

钾芒硝是一种成因复杂的复盐[1～ 3 ] ,并且由于钾芒硝Ｋ3 Ｎａ(ＳＯ4 ) 2 与硫酸钾石 [Ｋ3 Ｎａ(ＳＯ4 ) 2 或Ｎａ2 ＳＯ4 ·3Ｋ2 ＳＯ4 ]的化学组成相同 ,未能确定二者是否属于同一种复盐[4 ,5] 。我们合成了复盐Ｋ3 Ｎａ(ＳＯ4 )2[3 ] ,用溶解量热法测定了Ｋ3 Ｎａ(ＳＯ4 )2 和反应物 [Ｎａ2 ＳＯ4 (ｓ) +Ｋ2 ＳＯ4 (ｓ) ]的溶解焓 ,通过设计热化学循环计算出复盐的标准生成焓 ,为我们了解钾芒硝和硫酸钾石是否为同一复盐 ,并为进一步研究其成因和组成提供参考。1　实验部分1 1　试剂与仪器Ｋ2 ＳＯ4 (ｓ)和Ｎａ2 ＳＯ4 (ｓ)为Ａ .Ｒ .…