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1.
本文提出一种只在一层高折射率介质层中掺杂Kerr介质的一维耦合腔光波导.利用一维传输矩阵理论和非线性传输矩阵方法研究了此结构的光学双稳态.根据一维传输矩阵理论分析了此结构的线性特性,包括低频带边模的偏移及场分布的特点,讨论了此结构实现双稳态的原理.研究发现:由于缺陷层中场分布与入射光方向密切相关,而缺陷层光场的局域,将激发Kerr介质的三阶非线性效应,从而改变了缺陷层的折射率,所以不同方向的入射光具有不同的双稳态阈值.利用非线性传输矩阵方法研究了光学双稳态特性.结果表明:由于缺陷层的位置导致缺陷模正方向(由左到右)入射的场分布大于反方向(由右到左)入射的场分布,正方向的阈值低于反方向的阈值,相差一倍.  相似文献   
2.
令$H$和$K$是无限维复Hilbert空间, $\mathcal{A},\mathcal{B}$分别是$H$和$K$上的因子von Neumann代数.结果表明每一个从$\mathcal{A}$到$\mathcal{B}$完全保Jordan1-$*$-零积的满射都是线性$*$-同构或者共轭线性$*$-同构的非零常数倍.  相似文献   
3.
本文提出一种只在一层高折射率介质层中掺杂Kerr介质的一维耦合腔光波导.利用一维传输矩阵理论和非线性传输矩阵方法研究了此结构的光学双稳态.根据一维传输矩阵理论分析了此结构的线性特性,包括低频带边模的偏移及场分布的特点,讨论了此结构实现双稳态的原理.研究发现:由于缺陷层中场分布与入射光方向密切相关,而缺陷层光场的局域,将...  相似文献   
4.
Using the cascaded structure of a linear and a second-order nonlinear photonic crystals, we realize a high-efficiency optical parametric amplifier in the case of exact phase matching. This proposal is verified using the slow-envelope nonlinear finite difference time domain numerical method. Compared with the case of the individual nonlinear photonic crystal structure, the oscillation threshold is decreased obviously; and the peak power amplification factor of the transmitted signal is enhanced more than 20 times.  相似文献   
5.
催化动力学光度法测定痕量铌   总被引:7,自引:0,他引:7  
在稀硫酸介质中,铌(Ⅴ)灵敏催化溴酸钾氧化氯磺酚S褪色反应,据此建立了催化动力学光度法测定铌的新方法。线性范围为0.005 ̄0.1mg/L,检测限2.9μg/L。本法准确、灵敏、简便,已用于合金钢中微量铌的测定。  相似文献   
6.
The frequency down-conversion of one-dimensional photonic crystals with the coupled cavity structure is investigated by the nonlinear finite-difference time-domain method. The efficient frequency conversion is obtained by utilizing the advantages of the broad eigenfrequency band, the strong localization and the Bloch phase matching of the coupled cavity structure. More importantly, the signal frequency could be tuned continuously within the whole band of the coupled cavity structure (with a bandwidth to central frequency ratio of 5.4%), and the gains are homogeneous in the band.  相似文献   
7.
基于带输运模型理论建立了 LiNbO3 晶体屏蔽光伏孤子的时空演化动力学方程, 用有限差分方法求解发现, LiNbO3 晶体中明、暗屏蔽光伏孤子存在大的自偏转, 并且光孤子形状变得具有不对称性, 偏转方向的曲线斜率绝对值变大, 偏转反方向的曲线斜率绝对值变小. 分析研究表明影响其自偏转度和形变的因素包括受主浓度 NA, 暗辐射强度 Id 和外加电场 E0 . 其他条件不变的情况下NA 越大, 明孤子的自偏转度与形变越小, 暗孤子的自偏转度与形变反而越大; 对于 Id , 它对明暗孤子的影响是相同的, Id 越小, 晶体里诱导出的空间电荷场越容易达到饱和, 当信号光中心光强与暗辐射强度之比为 10-1时无饱和现象产生; 随着 E0 数值的增大, 明孤子的自偏转度和形变减小, 而暗孤子的自偏转度和形变反而增大.  相似文献   
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