激光烧蚀-多接收电感耦合等离子体质谱测定铀颗粒物中铀全同位素比值

建立了铀颗粒物中铀全同位素比值的分析方法,采用双面胶带装载铀颗粒物样品,优化激光烧蚀-多接收电感耦合等离子体质谱的运行参数,用标准样品交叉法校正质量分馏和探测器检测效率,测定了粒径几十微米的铀标准物质CRM124-1、GBW04234和GBW04238中铀全同位素比值.本方法对铀颗粒物中235U/238U、234 U/235U和236 U/235U测量的相对实验标准不确定度分别小于0.050％,1.7％和1.8％,测量结果与参考值在不确定度范围内符合.研究表明,本方法可快速、准确、高精度地测定铀颗粒物中铀全同位素比值.     

用于原子能级结构研究的激光共振电离光谱系统

激光共振电离光谱技术是一种利用一路或多路激光将待测原子选择性共振激发与电离,通过测量离子信号来研究原子能级结构的光谱技术。研建了一套激光共振电离光谱装置,用于原子高激发态能级结构参数的测量。分别从该装置的总体结构、关键技术和应用实例等方面进行了详细介绍。该套装置主要包括高调谐精度的染料激光器系统、高效的激光离子源系统和高分辨率的飞行时间质量分析器。染料激光器系统包括3台多纵模可调谐染料激光器和1台单纵模可调谐染料激光器,均为脉冲工作方式,重复频率为10kHz,泵浦源均为532nm的Nd∶YAG固体激光器。激光离子源系统包括原子化源、激光与原子相互作用区和离子光学透镜组三部分组成,样品在原子化源中被电加热实现原子化,喷射出的原子被激光选择性激发、电离,产生的离子被离子传输透镜整形成能量分散小、束窄的离子束。飞行时间质量分析器采用了反射式结构设计、脉冲垂直推斥技术和偏转板调节技术。利用此装置,实验测定了U原子的自电离态光谱,获得了U原子一条较佳的三色三光子共振电离路径,对应激光的波长分别为591.7,565.0和632.4nm。此系统还可用于测量同位素位移和原子超精细结构等参数。另外,由于此系统中联用了质量分析器,因此可用于样品多元素分析、痕量元素分析、同位素丰度分析。     

星上电缆自动导通绝缘测试仪的设计与开发

星上电缆在航天器系统工程中起到了传递能量和信息的关键作用,并且其上天后具有不可修复性,这就决定了它在电性能检测方面必须做到高质量与高可靠。本文针对传统人工方式进行导通绝缘测试时工作强度大、检测效率低下和可信度低等缺点,设计并开发了一种星上电缆自动导通绝缘测试仪。该仪器基于模块化设计的思想采用中央控制器对各个模块单元进行控制来分别实现测试通道自动切换、测试电压的供给、星上电缆导通绝缘电阻的数据采集、通讯、存储和显示。实践结果表明,星上电缆自动导通绝缘测试仪一方面可以提高电缆导通绝缘测试的可靠性,增强质量控制；另一方面,可以提高效率,节省生产周期,降低劳动强度。     

Analysis and finite element simulation of electromagnetic heating in the nitride MOCVD reactor

Electromagnetic field distribution in the vertical metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactor is simulated by using the finite element method (FEM).The effects of alternating current frequency,intensity,coil turn number and the distance between the coil turns on the distribution of the Joule heat are analysed separately,and their relations to the value of Joule heat are also investigated.The temperature distribution on the susceptor is also obtained.It is observed that the results of the simulation are in good agreement with previous measurements.     

缓冲层生长温度对In0.82Ga0.18As 薄膜结构及电学性能的影响

采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In_0.82Ga_0.18As材料。研究缓冲层的生长温度对In_0.82Ga_0.18As薄膜的结构及电学性能的影响。固定外延薄膜的生长条件,仅改变缓冲层生长温度(分别为410,430,450,470 ℃),且维持缓冲层其他生长条件不变。用拉曼散射研究样品的结构性能,测量四个样品的拉曼散射光谱,得到样品的GaAs的纵向光学(LO)声子散射峰的非对称比分别为1.53,1.52,1.39和1.76。测量样品的霍耳效应表明,载流子浓度随缓冲层生长温度变化而改变,同时迁移率也随缓冲层生长温度变化而改变。通过实验得出:缓冲层的生长温度能够影响In_0.82Ga_0.18As薄膜的结构及电学性能。最佳的缓冲层生长温度为450 ℃。     

“硼铜铸铁榨辊”的正交试验设计

云南地处亚热带,盛产甘蔗,糖厂榨机的主要部件榨辊是易损件;制糖工业又是季节性、时间性很强的工业,榨糖季节停机一分钟直接间接损失达152元,因此提高榨辊的耐磨性、抗拉强度、耐腐蚀性、持蔗力,这在讲究经济效益的今天具有重大经济意义。生产榨辊时,为提高以上各项指标,要加入多种合金.根据工作的条件,又只能在冲天炉中进行试验,由于熔炼一炉铁水时间较长,数吨铁水的成本也是可观的,因此要求试验次数尽可能少,代表性要强,我们决定采用正交试验法设计试验配方。经过对原榨辊的配方、工艺进行了分析,我们考虑突破传统材料的基础,采用多元微合金化的方法,改变硬质相,以新的硬质相代替现有的磷共晶,提出了新材质的配方的初步设想,根     

GaAs 微尖阵列的制备与场发射性能

利用选择液相外延的方法制备GaAs微尖阵列,通过扫描电子显微镜对微尖形貌进行了表征,并对此微尖阵列进行了场发射性能测试。结果表明,选择液相外延法制备的GaAs微尖呈金字塔状,两对面夹角为71°;微尖高度由生长窗口的尺寸决定,对底边为60μm的微尖,其高度约为42μm。此微尖阵列排列规则,具有场发射特性,开启电场约为5.1V/μm。发射电流稳定,当电场由8.0V/μm增加到11.9V/μm,发射电流由6μA增到74μA,在发射时间超过3h的情况下,电流波动不超过3%。另外,GaAs微尖阵列场发射的F-N曲线不为直线,分析表明是表面态和场渗透共同作用的结果。这对GaAs微尖阵列在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的意义。     

荷叶碱的电化学行为研究及分析应用

本文详细研究了荷叶碱在玻碳电极上的电化学氧化行为。在pH=5.5的B-R缓冲溶液中,用微分脉冲伏安法测定,荷叶碱于＋0.87V（vs.SCE）左右产生一个灵敏的氧化峰,峰电流与荷叶碱的浓度在0.25-30.0μg／mL的范围内呈良好线性关系,检出限为0.05μg／mL。该方法用于荷叶中总生物碱含量的测定,平均回收率为91.5％。此外对荷叶碱的电化学氧化机理进行了探讨。     

镥的激光共振电离同位素选择性研究

本文在速率方程基础上通过数值模拟方法 ,对镥的激光共振电离通道 :5d6s2 2 D3 /2 (5 73.6 5 5nm)→5d6s6 p4F3 /2 (6 4 2 .5 18nm)→ 6s6 p2 4P1/2 (6 4 3.5 4 8nm)→Autoionizationstate的激光诱导同位素选择性进行了研究。在实际实验条件下用这一方法计算得到的激光波长对激光诱导同位素选择性的关系与实验结果相符合。探讨了在偏振激光作用的情况下各种激光参数 (波长、带宽和激光强度 )对激光诱导同位素选择性的影响 ,并提出了在一定实验条件下激光共振电离质谱计较为准确地测定同位素比值的方法。这一理论方法 ,同样适用于研究其它元素的激光共振电离同位素选择性和选择激光同位素分离电离通道     

A New 4.0-Generation Dendrimer Phosphorescence Labeling Reagent and Its Application to Determination of Trace Alkaline Phosphatase by Affinity Adsorption Solid Substrate-room Temperature Phosphorimetry

A Triton X-100-4.0G-D （4.0G-D refers to a 4.0-generation dendrimer） was brought forward as a new phosphorescence labeling reagent. Two types of specific affinity adsorption （AA） reactions （direct method and sandwich method） were carried out between the labeling product of Triton X-100-4：0G-D-Wheat germ agglutinin （WGA） and alkaline phosphatase （ALP）, the product of AA reaction preserved the good characteristics of room temperature phosphorescence （RTP） of 4.0G-D and △Ip of the product was proportional to the content of ALP. According to the fact stated above, a new method for the determination of trace ALP by affinity adsorption solid substrate-room temperature phosphorimetry （AA-SS-RTP） was established on the basis of WGA labeled with the Triton X-100-4.0G-D. The detection limits were 0.20 ag·spot^-1 （corresponding concentration： 5.0×10^-16 g·mL^-1, namely 5.0×10^-18 mol·L^-1） for a direct method and 0.14 ag·spot^-1 （corresponding concentration： 3.5×10^-16 g·mL^-1, namely 3.5×10^-18 mol·L^-1） for a sandwich method, respectively. For their high sensitivity, good repeatability and high accuracy, the direct method and sandwich method have been successfully appfied to determine the content of ALP in human serum, and the results were coincided with the clinical detection results of the enzyme-linked immunosorbent assay method by the Zhangzhou Hospital of Traditional Chinese Medicine. Meanwhile, the mechanism for the determination of trace ALP by AA-SS-RTP was discussed.