InGaN/GaN多量子阱结构发光二极管发光机理转变的低频电流噪声表征

本文对InGaN/GaN多量子阱结构发光二极管开启后的电流噪声进行了测试, 结合低频电流噪声的特点和载流子之间的复合机理, 研究了低频电流噪声功率谱密度与发光二极管发光转变机理之间的关系. 结论表明, 当电流从0.1 mA到10 mA逐渐增大的过程中, InGaN/GaN发光二极管的电流噪声行为从产生-复合噪声逐渐接近于低频1/f噪声, 载流子的复合机理从非辐射复合过渡为电子与空穴之间载流子数的辐射复合, 并具有标准1/f噪声的趋势, 此时多量子阱中的电子和空穴之间的复合趋向于稳定. 本文的结论提供了一种表征InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光机理转变的有效方法, 为进一步研究发光二极管中载流子的复合机理、优化和设计发光二极管、提高其发光量子效率提供理论依据.     

超高效液相色谱-四极杆-飞行时间质谱法快速检测发酵黑茶中黄曲霉毒素B_1

以直接提取稀释结合黄曲霉毒素免疫亲和柱净化的方法,利用超高效液相色谱-四极杆-飞行时间质谱(UPLC-Q-TOF-MS),建立了发酵黑茶中黄曲霉毒素B1(AFB1)的快速分析方法。样品采用甲醇-水溶液(7∶3,体积比)提取,以HSS T3色谱柱(100 mm×2.1 mm,1.8μm)进行色谱分离,通过正离子扫描,Full ms-dd-MS/MS模式进行分析。结果表明:33种发酵黑茶中的AFB1在一定范围内具有良好的线性关系,相关系数(r2)大于0.999,4种样品的加标回收率(n=4)为86.4%~98.0%,相对标准偏差(RSD)为0.3%~1.7%,检出限(LOD,S/N≥3)和定量下限(LOQ,S/N≥10)分别为0.06μg/kg和0.19μg/kg。结果显示33种样品中的AFB1含量均在合理范围内。该方法准确、快速、简单,适用于发酵黑茶中AFB1的检测。     

基于均匀设计的单层磨粒铁谱片制作参数优化研究

为了获得航空润滑油磨损颗粒铁谱基片沉积的最优参数,引用均匀设计试验方法对该油样的分析式铁谱仪测试参数进行了优化研究,对磨粒的沉积密度和分散度进行考察,结果表明试样配比是最关键的影响因素.以此对磨粒图像采集的标准化和优化以及对磨粒识别具有重要的意义.     

氮杂环卡宾催化构筑含七元环结构的研究进展

七元环作为重要的结构单元广泛存在于多种天然产物、活性化合物和药物分子中.与五、六元环结构相比,七元环的构筑更具挑战性,且合成方法相对较少.因此,发展高效构筑七元环结构的方法具有重要意义.氮杂环卡宾(NHC)为重要的有机催化剂,其共价催化特性为高效构筑多种新颖手性结构提供了独特方法.尽管该领域已取得重要进展,然而,目前大量研究仍集中于构筑五、六元环结构.综述了近年来利用NHC催化策略构筑七元环结构的研究进展.通过对NHC催化构筑七元环结构合成策略的总结,旨在启发从事相关领域的合成化学家发展更多高效构筑七元环的新策略.     

宏块级立体视频传输失真快速估算方法研究

鉴于传输丢包会严重影响视频重建质量,甚至大范围传播错误,因此通过研究视频通信质量与传输丢包之间的关系,提出了一种适合网络丢包特性的立体视频传输失真模型.该失真模型结合了快速宏块级失真估计方法及帧间宏块拷贝和视点间宏块拷贝的错误隐藏方法,可在丢包信道下快速估计宏块级的立体视频传输失真.实验对比分析表明:所提出的宏块级立体视频传输失真模型准确度较好,可为立体视频传输失真估计提供一定的理论依据与借鉴,对立体视频通信质量的保障具有一定的实用价值.     

低压液相催化合成N1,N3-二(取代氨基苯基)间苯二甲酰胺

以间苯二甲酸、硝基苯胺为原料,经酰氯化、缩合及催化加氢还原合成了3种苯二甲酰胺类化合物,作为替代联苯胺的染料中间体.通过反应条件的优化,确定了适宜的加氢还原方法,得到了高收率的还原产物.所合成化合物的结构通过核磁共振、红外光谱及质谱等进行了表征.     

分子印迹表面等离子共振传感器在食品安全检测中的最新研究进展

分子印迹聚合物具有空间结构选择性高、稳定性好和制备过程简单等特点,结合表面等离子共振传感器,可用于分子间相互作用和结合特性的研究。随着石墨烯、量子点等纳米材料的出现和广泛应用,基于分子印迹技术的表面等离子共振传感器的灵敏度获得了改善,促进了该技术在食品安全检测领域的快速发展。该文基于分子印迹技术简要介绍了表面等离子共振传感器芯片的制备技术、分析体系及其优点,重点分析了国内外将分子印迹-表面等离子共振传感器用于食品安全检测的最新研究成果,阐释了分子印迹-表面等离子共振技术的优势,并展望了该技术在食品安全分析领域的发展趋势。     

有机分子吸附和衬底调控锗烯的电子结构

锗基集成电子学的发展潜力源于其极高的载流子迁移率以及与现有的硅基和锗基半导体工业的兼容性,而锗烯微小带隙能带特点极大程度地阻碍其应用.因此,在不降低载流子迁移率的情况下,打开一个相当大的带隙是其应用于逻辑电路中首先要解决的问题.本文采用范德瓦耳斯力修正的密度泛函理论计算方法,研究了电场作用下有机分子吸附和衬底对锗烯原子结构和电学性质的影响.研究结果表明,有机分子吸附和衬底通过弱相互作用破坏了锗烯亚晶格的对称性,从而在狄拉克点上打开了相当大的带隙.苯/锗烯和六氟苯/锗烯体系均在K点打开了带隙.当使用表面完全氢化的锗烯(锗烷HGeH)衬底时,苯/锗烯/HGeH和六氟苯/锗烯/HGeH体系的带隙可进一步变宽,带隙值分别为0.152和0.105 eV.在外电场作用下,上述锗烯体系可实现大范围的近似线性可调谐带隙.更重要的是,载流子迁移率在很大程度上得以保留.本文提出了一种有效的可调控锗烯带隙的设计方法,为锗烯在场效应管和其他纳米电子学器件中的应用提供了重要的理论指导.     

低温等离子循环再生MnxOy/Al2O3脱汞吸附剂实验研究

采用浸渍法制备Mn_xO_y/Al_2O_3脱汞吸附剂,并对制备的吸附剂进行热再生失活和低温等离子体再生的实验研究。利用XPS、SEM及BET等表征手段,对吸附剂的表面孔隙结构以及元素价态进行分析,研究Mn_xO_y/Al_2O_3的脱汞机理。结合Mars-Maessen反应机理,高价态Mn含量是影响脱汞效率的关键因素之一;吸附剂经过热再生后吸附剂表面高价态Mn相对含量减少,并且经过热再生后吸附剂表面出现烧结现象,吸附剂表面结构受到破坏;在低温等离子技术作用下能够产生强氧化性气氛,吸附剂表面上低价态Mn元素恢复到高价态使已失活吸附剂重新恢复活性,但对吸附剂表面微观结构有破坏作用;同时探究了再生时间、再生功率和再生次等因素对于Mn_xO_y/Al_2O_3脱汞吸附剂再生后脱汞性能的影响。