用直接法测定晶体的超结构

在许多无机物(包括矿物和一些重要的固体材料)的晶体中,往往形成所谓“超结构”。反映超结构细节的所谓“超结构衍射点”,其强度通常都很弱。因此,在测定这类晶体结构时,一般都先将超结构点略去以求出一个只反映概貌的“赝结构”。然后在此基础上再探寻超结构的细节。但是,用普通的结构修正办法不可能从赝结构直接解出超结构。这就增加了超结构分析的困难。本文提出从赝结构衍射相角推引超结构衍射相角,借以简化超结构的分析过程。试验表明,这一方法是有效的。 关键词：     

发蓝绿光纳米硅薄膜的快速热处理制备

使用除氢、高温成核和低温生长的三段式快速热处理方法,将常规方法制备的氢化非晶硅(a-SiH)薄膜晶化成纳米硅(nc-Si)薄膜。该薄膜在波长为457.9nm的Ar⁺激光的激发下,在室温发射出蓝绿光。     

镨和铕离子注入硅的快速热退火研究

利用离子注入技术将稀土Ｐｒ和Ｅｕ离子引入外延硅片中，经快速热退火使注入层再结晶和电激活。对Ｐｒ离子注入样品，在较低温度９４０℃下退火，样品具有电子导电性，注入离子起施主作用，而在较高强度１２４０℃下退火，则具有穴穴导电性，注入离子起受主作用，即有两种导电行为。     

快速烧结Bi—Sr—Ca—Cu—O系85K相超导体

本报告了一种在一小时内氧化高温超导体的快速烧结工艺，对Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ系统进行了一系列实验研究。成功地在１０分钟内烧结出具有８５Ｋ相的超导体，此种方法对探索新型氧化物超导体和大量生产具有重要意义。本还对８５Ｋ相形成及１１０Ｋ相含量很少的问题进行了分析。     

激光退火的机理

近几年来,半导体材料的激光退火引起人们很大兴趣,这是因为较之常规的热退火,激光退火有它独特的优点,即空间上的局域性和时间上的短暂性.离子注入后的半导体都伴有晶格损伤,使用常规的热退火来消除损伤,同时使注入杂质电激活,需要较高温度(～1000°C)和较长时间(～30 min)的热