α-手性三级叠氮化合物的不对称催化合成新进展

α-手性叠氮化合物广泛应用于合成化学、药物化学和生命科学等领域.由于手性叠氮既可用于多样性合成手性胺衍生物及含氮杂环化合物,且叠氮基本身也是药效团,α-手性叠氮的高效合成对于药物研发十分重要.随着引入手性季碳来增加分子的三维立体性来改善生物活性和成药性成为药物设计研发的有效手段,发展具有氮杂季碳手性中心的α-手性三级叠氮的不对称催化合成新方法来促进药学研究十分必要.然而,由于叠氮基接近于直线的结构所带来的不利位阻效应,以及需要区分差异性较小的取代基来构建氮杂季碳手性中心的挑战性,高对映选择性的不对称催化方法较为匮乏.本综述旨在从含C—N3键化合物的不对称官能团化反应和通过C—N₃键形成的不对称叠氮化反应两种构建策略出发,介绍近五年不对称催化合成α-手性三级叠氮的研究进展.藉此对反应机理及优势与不足等进行分析讨论,为从事有机合成和药物化学相关的科研人员提供一些参考和启发.     

用泰勒公式解偏微分方程

利用广义泰勒公式,给出几类偏微分方程的一种新解法.     

滑坡冲击铲刮变量的计算方法研究

高速远程滑坡运动过程中,冲击铲刮效应不仅增加滑坡的体积与规模,而且会增大滑坡成灾范围,风险预测与判断出现明显误差,导致灾难性事件的发生。目前对于高速滑坡的铲刮深度、铲刮范围和铲刮体积等变量计算往往是采用基于经验的铲刮率算法,其是通过体积增量来反算铲刮变量的数学方法,而实际情况中高速滑坡的冲击铲刮是滑体冲击力和地表可铲刮材料之间的力学屈服破坏作用的结果。本文基于接触力学、弹塑性力学和岩土力学,提出了地表可铲刮层在附加冲击荷载作用下铲刮变量的理论计算方法,认为竖向冲击和切向剪切是滑体冲击铲刮过程的两种主要作用方式。结合实际岩土体材料参数,发现不考虑切向荷载时,铲刮层塑性区主要以竖向破裂区为主,考虑切向荷载时,铲刮层塑性区沿切向迁移,直至塑性边界贯通至地表,符合实际情况,实现了对铲刮变量的定量化计算。     

双核铜配合物Cu2(2,2′-bpy)2(2-bba)4的合成、表征与晶体结构

在室温下,以2-溴苯甲酸和2,2'-联吡啶为配体,通过溶液法在甲醇/水的混合溶剂中反应合成了双核铜(II)配合物Cu2(2,2'-bpy)2(2-bba)4。通过元素分析、红外光谱、热重测试技术和X射线粉末衍射对其进行了结构表征,同时用X射线单晶衍射分析确定了其晶体结构。结果表明,其晶体属正交晶系,空间群为Pbca,晶胞参数:a=20.619(4),b=10.098(2),c=21.865(4),V=4552.5(15)3,Dc=1.808g·cm-3,μ=4.505mm-1,F(000)=2440.0,Z=4,最终残差因子R1=0.0583,wR2=0.1200。配合物为双核结构,每个结构单元中2个Cu(II)离子通过2个2-溴苯甲酸根配体单齿桥联。配合物中的每个Cu(II)离子为五配位的结构,分别和来自2个单齿桥联的2-溴苯甲酸根的2个氧原子、1个单齿配位的2-溴苯甲酸根的1个氧原子及来自1个2,2'-联吡啶的2个氮原子配位形成了畸变的四方锥型结构,分子间则通过弱的C—H…O氢键作用形成了一维链状的结构。CCDC:972827。     

图的邻点可区别全色数的一个上界

Let G = （V, E） be a simple connected graph, and ｜V（G）｜ ≥ 2. Let f be a mapping from V（G） ∪ E（G） to {1,2…, k}. If arbitary uv ∈ E（G）,f（u） ≠ f（v）,f（u） ≠ f（uv）,f（v） ≠ f（uv）; arbitary uv, uw ∈ E（G）（v ≠ w）, f（uv） ≠ f（uw）;arbitary uv ∈ E（G） and u ≠ v, C（u） ≠ C（v）, where
C（u）={f（u）}∪{f（uv）｜uv∈E（G）}.
Then f is called a k-adjacent-vertex-distinguishing-proper-total coloring of the graph G（k-AVDTC of G for short）. The number min{k｜k-AVDTC of G} is called the adjacent vertex-distinguishing total chromatic number and denoted by χat（G）. In this paper we prove that if △（G） is at least a particular constant and δ ≥32√△ln△, then χat（G） ≤ △（G） ＋ 10^26 ＋ 2√△ln△.     

响应面方法的硅刻蚀工艺优化分析（英文）北大核心CSCD

利用响应面分析方法优化了用于压力传感器硅敏感芯体的刻蚀操作条件。主要考虑了温度、KOH浓度和腐蚀时间三个操作参数,将它们的范围分别设定为40~60℃,0.4~0.48mol/L和5~12.5h,并设定各向异性腐蚀速率为响应值。通过建立二次方模型,分析这些参数的单独影响以及多个操作条件之间对腐蚀速率的相互交叠作用。分析结果表明：模型可以精确预测99%的响应值,相比于腐蚀时间,溶液浓度和工作温度对刻蚀速率的影响更为明显。     

微通道冷却器的数值分析

微通道热沉是制作在硅芯片基底背面的微细通道,其水力直径范围为10～1 000 μm.微通道具有高表面积-体积比、低热阻、低流量等特点,是一种高效散热的解决方案.一个典型应用是激光二极管列阵的致冷.然而,微通道里流体的状态和传热与宏观状态相比有很大不同,有必要开展进一步研究.论文采用商业软件CoventorWareTM建立一个平板式微通道的有限元模型,据此对微通道中流体状态及传热进行了数值计算,获得了单个微通道中流场和温度的分布.结果表明,对于2 000 μm×50 μm×500 μm的微通道,能够对500 W/cm2的热通量快速散热,热阻仅有0.042 3 K/(W·cm-2).     

分析化学课程网上实践教学的组织与实施

针对当前在远程教育平台开展实验实训教学中存在的矛盾,以分析化学为例,充分利用现代通信技术和教育的结合,在实验教学中设计多媒体、视频、虚拟仿真实验室、实验拓展设计等4大资源模块。并从网上平台设计、组织与实施、教学质量保障、效果评价等方面进行论述,探索如何构建高效的分析化学网上实践教学课堂,以满足远程教育实验教学发展的需要,为广大的自学者学习技能建立良好的学习平台。     

新型掺碳二氧化硅-薄膜体声波谐振器结构及其仿真验证

一定厚度的低声阻抗支撑层可以在薄膜体声波谐振器(FBAR)与衬底之间形成声学隔离层,防止声波泄漏到衬底当中。掺碳二氧化硅(CDO)是一种低声阻抗材料,对FBAR具有较好的温度补偿效果,可以作为FBAR与衬底之间的声学隔离层,从而构成一种新型的CDO-FBAR。为了分析CDO-FBAR与通孔型FBAR相比性能是否退化,以及CDO声学隔离层所需厚度,采用多物理场耦合仿真软件分析了CDO-FBAR和通孔型FBAR的谐振频率、Q值、有效机电耦合系数和S参数,并提取了CDO-FBAR纵向振动位移。分析结果表明:CDO-FBAR的谐振频率整体向下漂移;CDO声学隔离层导致S参数的寄生干扰;由于声学损耗增加,Q值略有降低,其中并联谐振点处的Q值降幅更大;有效机电耦合系数略有降低;声波传播到声学隔离层中9 m处就完全衰减,即只需要9 m厚的CDO声学隔离层就能在FBAR与衬底之间形成有效的声学隔离。由此,仿真验证了这种新颖的CDO-FBAR结构的可行性。     

体声波力传感器灵敏度的微分-综合分析法

为了分析基于应力/应变效应的体声波(BAW)力传感器的敏感机理、准确计算其灵敏度,提出了一种用于BAW力传感器灵敏度分析的微分-综合分析法。该方法借鉴了微积分的原理,在Mason等效电路模型中将一个完整的BAW谐振器替换为多个谐振器微元的并联,从而将谐振器有源区面积A上应力/应变场的有限元计算结果与压电薄膜材料的力学特性、谐振器微元的电声学特性关联起来;最后,在射频电路仿真软件中进行等效电路的综合,得到整个BAW谐振器在应力/应变场作用下的阻抗特性曲线及其串/并联谐振频率。当BAW谐振器微元的划分足够细密时,获得的灵敏度分析结果将足够精确。为了论证该方法的原理,给出了一个直观的校核案例。以一个嵌入式FBAR结构的四梁BAW加速度计表头为例,介绍了该方法用于BAW力传感器灵敏度分析的详细过程。虽然案例中只讨论了一种应力/应变型BAW力传感器的单一力敏机理,但该方法具有普适性。并且,当谐振器微元小到接近其压电材料晶格的尺度时,就能与压电薄膜的力-声-电特性的第一性原理计算结果关联起来,实现从微观材料特性到介观器件物理的多尺度计算。