早期干预对极低出生体重早产儿智能发育的影响研究

目的 探讨早期干预对极低出生体重早产儿智能发育的影响,为极低出生体重早产儿的早期干预提供依据。方法 239 例极低出生体重早产儿为早产随访组,采用鲍秀兰早期教育资料制定的干预计划,进行系统干预,并与326 例失访的早产儿童以及与随访组相似的326 例正常儿童进行对照分析。采用Gesell 儿童发育量表等标准化工具进行发育评估。结果 早产随访组Gesell 儿童发育量表5 项均分、总发育商（developmental quotient,DQ）总分与早产失访组相比差异均有统计学差异（均P＜0.05）。结论 早期干预能显著促进极低出生体重早产儿的智能发育,提高患儿的生活质量。     

冷冻靶中硅冷却臂的温度场和力学分析

冷冻靶是实现惯性约束聚变高能量增益的重要靶型。冷却臂是冷冻靶的重要部件之一,通过它将冷源与铝套筒相连接,用于获得靶丸内均匀氘氚冰层时所需的精确温度,同时冷却臂也用于均匀夹持铝套筒。首先测试分析了硅材料在深低温下的热传导系数,表明硅材料在该温区具有优异的热传导能力。研究了硅冷却臂结构参数对冷却臂温度场分布的影响。分析不同晶向硅冷却臂周向均匀夹持铝套筒的特性,提出基于(111)晶向硅片研制冷却臂。研究了冷却臂力臂夹持力和共振频率,并对硅冷却臂的热-结构耦合进行分析。最后设计具有16个夹持力臂的二级分叉结构的冷却臂。基于微电子机械系统技术研制了硅冷却臂样机,并测试了冷却臂的侧壁垂直度和力学特性。将研制的硅冷却臂与铝套筒进行装配,表明冷却臂中力臂的力学特性能够实现对套筒的夹持。     

方便、有效地合成2-氨基-4-芳基-6-甲基四氢化萘衍生物

芳香醛、4-甲基环己酮和丙二腈在氢氧化钠存在下于95%乙醇中反应,方便地获得一系列新的2-氨基-4-芳基-6-甲基四氢化萘衍生物.本方法具有反应时间短、容易操作、产率高等优点.产物的结构经过核磁、红外和高分辨质谱确定.此方法是合成此类化合物的一条有效途径.     

色散补偿光子晶体光纤结构参数对其色散的影响

光子晶体光纤由于其灵活可调的色散特性用作色散补偿具有极大的应用潜力. 设计了一种色散补偿光子晶体光纤, 并运用频域有限差分法模拟了其色散特性,从理论上分析了其结构参数孔间距Λ和空气占空比d/Λ对该光子晶体光纤的色散系数的影响, 并且实际制备出了3种不同结构参数的光子晶体光纤. 通过对其色散曲线对比分析表明: 当光子晶体光纤孔间距在1 μm附近时, 其色散系数随着孔间距Λ和占空比d/Λ的增大而增加, 但对于孔间距Λ的变化比占空比d/Λ更为敏感, 并且随着孔间距Λ的增加,其对色散系数的影响能力逐渐减小. 设计并制备的光子晶体光纤在1550 nm处的色散系数为-241.5 ps·nm^-1·km^-1, 相对色散斜率为0.0018, 具有较好的色散补偿能力. 关键词： 色散 色散补偿 光子晶体光纤 结构参数     

单载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器的研究

基于器件仿真器Atlas, 建立了InP/InGaAsP单向载流子传输的双异质结光敏晶体管(UTC-DHPT)的二维模型, 分析讨论了器件性能与外延结构参数的关系. 设计出同时具有高响应度(≥17.93 A/W)和高特征频率(≥121.68 GHz)的UTC-DHPT, 缓解了传统的异质结光敏晶体管光电探测器中探测效率和工作速度的矛盾. 关键词： 单向载流子 光敏晶体管 电流放大倍数 响应度     

江苏盱眙出土夹纻胎漆器的测试分析

采用激光拉曼光谱、X射线荧光光谱、红外吸收光谱等方法对盱眙出土的夹纻胎漆器进行了分析研究.研究发现漆膜中的红色颜料和暗黑色颜料分别是HgS和CuS;漆灰的填料以粘土类物质为主,存在着加入骨灰的工艺;生漆被使用在漆灰制作、色漆调制等方面,起到了成膜剂的作用;麻胎之间采用漆灰作为胶合剂.     

相干光通过空间反演对称介质作用后的压缩性质

本文分析研究相干光与具有空间反演对称非线性介质作用的压缩性质.对于一种非线性介质,其势能具有空间反演对称性,在此情况下介质的偶次极化率为零,对介质极化起主导作用的是它的三次极化率.因此,单模光场与此介质相互作用的哈密顿量正比于光场的湮灭算符与产生算符和的四次方.也就是说我们在计算相干光通过这种具有空间反演对称介质时考虑到所有的能量非守恒项的作用.     

Rijke-ZT型脉动燃烧器的频率特性研究

对基于Higgins-Rijke热声现象的Rijke-ZT型无阀自激脉动燃烧器计及工质温度分布的频率特性进行了实验研究,推导了计算频率的公式。研究表明,这种类型的脉动燃烧器的频率不仅与燃烧器的形状和尺寸有关,而且与燃烧器内热气体温度分布有关。     

Al组分对MOCVD制备的AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT电学和结构性质的影响

采用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）方法制备了不同Al组分（x=0.19,0.22,0.25,0.32）的Al_xGa_1-xN/AlN/GaN 结构的高电子迁移率晶体管（HEMT）材料。研究了Al_xGa_1-xN势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。研究结果表明,在一定的Al组分范围内,二维电子气（2DEG）浓度和迁移率随着Al组分的升高而增大。然而,过高的Al组分导致HEMT材料表面粗糙度增大,2DEG迁移率降低,该实验现象在另一方面得到了原子力显微镜测试结果的验证。在最佳Al组分（25%）范围内,获得的 HEMT材料的2DEG浓度和室温迁移率分别达到1.2×10¹³ cm^-2和1 680 cm²/（V·s）,方块电阻低至310 Ω/□。     

基于路网的电动汽车快速充电站布局决策研究

大力发展和推广纯电动汽车已成为全世界众多国家的共同选择。但电动汽车有限的续航能力及公共快速充电设施的缺乏,制约着人们的使用和长途出行。本研究针对我国公共快速充电网络建设亟待完善的问题,基于我国主干高速公路网络,对服务途中充电需求的快速充电站科学分布问题建立分布决策模型。研究表明,对续航能力低于200公里的电动汽车,应用最优策略分布的快速充电站数量从50座增加到250座时,可将途中充电需求覆盖率从50%左右提高到90%以上,而对续航能力超过250公里的电动汽车,150座按最优策略分布的快速充电站即能覆盖至少96.49%的途中充电需求。通过对不同续航能力和不同充电站数量约束下共30种情形的分析,本研究不仅能为多情形下充电站分布问题提供最优选址和数量组合决策方案,也为我国充电基础设施的完善及电动汽车产业可持续发展提供有力的理论支持和政策建议。