Fast Liquid Phase Epitaxial Growth for Perovskite Single Crystals

Semiconductors grown by the solution-processed method have shown low-cost,facile fabrication process and comparable performance.However,there are many reasons why it is difficult to achieve high quality films.For example,lattice constant mismatch is one of the problems when photovoltaic devices made of organ metallic perovskites.In this work,MAPbBr^{MA=CH3NH3^+}perovskites single crystals grown on the surface of MAPbBr2.5 CI0.5 perovskites single crystals via liquid epitaxial growth method is demonstrated.It is found that when the lattice constants of the two perovskite single crystals are matched,another crystal can be grown on the surface of one crystal by epitaxial growth.The whole epitaxy growth process does not require high heating temperature and long heating time.X-ray diffraction method is used to prove the lattice plane of the substrate and the epitaxial grown layer.A scanning electron microscope is used to measure the thickness of the epitaxial layer.Compared with perovskite-based photodetectors without epitaxial growth layer,perovskite-based photodetectors with epitaxial growth layer have lower dark current density and higher optical responsibility.     

破片撞击起爆柱面带壳装药的临界速度修正判据

为获得适用于柱面带壳装药的冲击起爆修正判据，以Picatinny工程判据为基础加入修正项进行修正。采用AUTODYN-3D软件对破片撞击柱面带钢壳的B炸药进行数值计算，获得了破片入射角、装药曲率半径对炸药临界起爆速度的影响规律；通过拟合得到修正项表达式，建立了考虑破片入射角、柱壳装药形状函数的炸药起爆临界速度修正判据。判据计算值与实验数据和数值计算值吻合较好，该判据能较好的预测柱形带壳装药的冲击起爆条件。     

脉冲直流等离子体增强化学气相沉积Ti—Si—N纳米薄膜的摩擦磨损特性

采用工业型脉冲等离子体增强化学气相沉积设备，通过调节氯化物混合比例控制薄膜成分，在高速钢基材表面于550℃下沉积由纳米晶TiN和纳米非晶Si3N4组成的Ti—Si—N复合薄膜；采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪及X射线光电子能谱仪分析了薄膜的结构、组成和化学状态；采用球-盘高温摩擦磨损试验机考察了薄膜同GCrl5钢对摩时的摩擦磨损性能．结果表明：薄膜的Si含量在0％～35％范围内变化，随着Si含量增大，薄膜沉积速率增大，但薄膜由致密形态向大颗粒疏松态过渡；薄膜的晶粒尺寸为7～50nm；Ti—Si—N薄膜的显微硬度高于TiN的硬度，最高可达60GPa；引入少量Si可以显著改善TiN薄膜的抗磨性能，但薄膜的摩擦系数较高(室温下约0．8、400℃下约0．7)；随着Si含量的增加，Ti—Si—N薄膜的耐磨性能有所降低，其原因在于引入导电性较差的Si元素使得薄膜的组织变得疏松．     

镝掺杂LaPO4拉曼光谱变化规律的探讨

采用水热法和后续热处理合成出单斜相LaPO4以及LaPO4:Dy3+,通过XRD对样品进行物相分析,结果表明:所得样品为LaPO4,且XRD图谱及拉曼光谱中峰位的偏移表明Dy的存在,即Dy被掺杂到LaPO4基质中。通过研究用Dy对LaPO4进行不同量掺杂后其拉曼光谱的变化规律,进而找出用Dy对LaPO4进行不同量掺杂后其内部结构的变化规律。结果显示,用Dy对LaPO4进行不同量掺杂后,随着掺杂比例的增大,晶格畸变程度先上升后下降,且在镧镝物质的量比例为1∶0.06时对基体晶格结构影响最大。     

基于B样条的TERS形貌成像背景扣除方法

在针尖增强拉曼光谱(TERS)形貌成像过程中，由于针尖与扫描台无法绝对平行、样品电子密度骤变处针尖快速升降以及扫描控制系统响应时间特性差等综合原因的影响，往往使形貌图中带有倾斜或边界面卷曲的成像背景。成像背景对样品形貌的识别和分析带来十分不利的影响，而背景扣除就是解决该问题的重要手段，也是形貌成像预处理的重要组成部分。背景扣除的原理一般是通过拟合背景的方法来扣除成像中的背景。传统的背景扣除方法是利用多项式拟合的方法对成像进行逐行的基线校正，但是该方法在处理形貌成像时常常会由于过拟合而造成样品形貌的失真，同时容易在图片上留下明显的线条纹理。针对传统方法的缺点，本文提出采用B样条曲面拟合方法，直接对样品形貌图进行曲面背景拟合，发挥B样条低阶光滑的优点，能够有效克服传统方法的缺陷。在实验中，同时利用传统方法和该方法对金单晶和合成金片的形貌图进行背景扣除，实验结果表明，两种方法都能够扣除样品形貌图中的成像背景，但与传统方法相比，所提出的方法不会造成样品形貌的失真，且不会留下线条纹理，获得了更加良好的背景扣除效果，为进一步分析样品形貌特征提供了更准确可靠的信息，是一种更加有效的TERS形貌成像背景扣除算法。     

Focusing Properties of Fractal Zone Plates with Variable Lacunarity：Experimental Studies Based on Liquid Crystal on Silicon

The focusing properties of fractal zone plates （FZPs） with different structure parameters are studied experimentally. The axial irradiance of FZPs is deduced at n=4. The experimental results are in good agreement with the theoretical prediction. A method to fabricate FZPs with variable structure parameters is mentioned, and the liquid-crystal-on-silicon device is used to implement this experiment. The experimental results indicate that the focal depth of lower order FZPs is larger than that of higher order FZPs.     

计算最优控制辛数值方法

针对最优控制问题（OCP）的辛数值方法研究及应用进行综述。主要涉及内容包括，动力学系统为常微分方程描述的一般无约束、含不等式约束和状态时滞的最优控制问题，微分代数方程描述的一般无约束、含不等式约束和含切换系统的最优控制问题，以及闭环最优控制问题。从间接法和直接法两个求解框架出发，重点介绍本课题组在保辛算法方面的研究工作。在间接法框架下，首先基于生成函数和变分原理，将OCP保辛离散为非线性方程组，再数值求解方程组。在直接法框架下，将OCP保辛离散为有限维的非线性规划问题（NLP），再数值求解。针对闭环最优控制问题，提出了保辛模型预测控制、滚动时域估计和瞬时最优控制算法。研究表明，保辛算法具有高精度和高效率的特点，在航空航天和机器人等领域有着广泛应用前景和价值。     

场效应器件低温特性与低噪声放大器

高温超导滤波器与低噪声放大器(LNA)组成的射频接收机前端设备具有高选择性、高灵敏度和极低的噪声,因而展现出广阔的应用前景.本文研究了场效应器件的低温物理特性和电学参数,研制了一种适用于高温超导微波接收系统的低温低噪声放大器,在60K工作温度下,具有很好的噪声特性.包括高电子迁移率场效应晶体管在内的元件参数均在60K温度下进行了实际测量.放大器的各项指标与设计值吻合,工作频段为800MHz～850MHz,增益大于18dB,输入输出驻波比小于1.2,噪声系数小于0.22dB.     

Modification of Absorption of a Bulk Material by Photonic Crystals

We show theoretically that it is possible to modify absorption of a bulk absorbing material by inserting another non-absorbing dielectric slab periodically to form one-dimensional photonic crystals.It is found that,for frequencies within photonic bandgaps,absorption is always suppressed.For frequencies located at photonic bands,absorption can be suppressed or enhanced,which depends on the relative values of the real refractive index of the absorbing and non-absorbing dielectric layers.     

直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜

用MgB2靶,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态,在SrTiO3衬底上原位一次性得到了MgB2超导薄膜,其起始转变温度为32K,零电阻温度为15K. 关键词： 高温超导体 超导薄膜 磁控溅射 二硼化镁