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1.
粗糙不变子群的若干性质与粗糙商群   总被引:1,自引:0,他引:1  
讨论粗糙集理论在代数系统——群上的应用。基于有关粗糙群、粗糙子群和粗糙不变子群的基本概念以及粗糙子群的一些性质和有关粗糙不变子群的定理,讨论了粗糙不变子群的若干性质和粗糙商群的概念,并给出了这些性质的严格证明。  相似文献   
2.
以十二烷基硫酸钠/十二烷基苯磺酸钠(SDS/SDBS)为乳化剂,过硫酸钾/亚硫酸钠(K2S2O3/Ni2SO3)为引发剂进行苯乙烯/丙烯酸丁酯(SL/BA)微孔液共聚合反应。研究了引发剂浓度[I]OR、单体总浓度[M]、乳化剂含量[E]和聚合温度T对微孔液共聚合最大反应速率Rmax和共聚物粘均分子量^-Mη的影响,测定了共聚单体的竞聚率,结果得到:Rmax∝[I]^0.98OR[M]^0.81[E]^-0.34e^-4712/T,^-Mη∝[I]^-0.27OR[M]^0.48[E]^-0.68e^2304/T;rSt=0.598,rBA=0.0206。  相似文献   
3.
EHP引发AM/DMMC反相微乳液聚合的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
以油酸失水山梨醇酯Span80和壬基酚聚氧乙烯醚OP-10为乳化剂,白油为连续介质,过氧化二碳酸(2-乙基已酯)(EHP)为引发剂,进行丙烯酰胺/(2-甲基丙烯酰氧乙基)三甲基氯化铵(AM/DMMC)反相微乳液共聚合反应。研究了ωM=0.25-0.50范围内单体总浓度[M]、引发剂浓度[I]、乳化剂浓度[E]对聚合速率Rp和共聚物分子量M^-V的影响,得到Rp∝[M]^2.47[I]^0.76[E]^0.19,M^-v∝[M]^2.05[I]^-0.37[E]^-0.47。测定了AM/DMMC反相微乳液共聚合中单体的竞聚率,得到rAM=0.44,rDMMC=1.31。  相似文献   
4.
5.
高单体浓度下反相微乳液聚合   总被引:19,自引:0,他引:19  
选择丙烯酰胺(AM)、丙烯酸胺/丙烯酸钠(AM/SA)和丙烯酰胺/(2-甲基丙烯酰氧乙基)三甲基氯化铵(AMAIM.MC)为单体(对),在相同的实验条件下进行反相微乳液(共)聚合,得到各自的动力学关系式,并对其做了解释.  相似文献   
6.
银/聚合物纳米复合材料   总被引:2,自引:0,他引:2  
银/聚合物纳米复合材料是一种典型的聚合物基复合材料, 其结构和性能依赖于合成方法,因此开发材料的优异性能必须以深入研究纳米材料的先进合成技术为前提。本文综述了纳米银粒子及其与聚合物形成的纳米复合材料的最新合成进展, 重点介绍了基于液相化学还原方法合成纳米银粒子的新方法, 如溶胶-凝胶法、沉淀法、微乳液法和离子液体法, 以及纳米银粒子的分散技术和原位法合成银/聚合物纳米复合材料的新技术, 并介绍了纳米银复合材料的电绝缘性、表面增强拉曼散射性能、抗菌性及其在生物医学等领域中的应用。  相似文献   
7.
We reported a passive Q-switched diode laser pumped Yb:YAG microchip laser with an ion-implanted semiinsulating GaAs wafer. The wafer was implanted with 400-kev As+ in the concentration of 1016 ions/cm2.To decrease the non-saturable loss, we annealed the ion-implanted GaAs at 500 ℃ for 5 minutes and coated both sides of the ion-implanted GaAs with antireflection (AR) and high reflection (HR) films,respectively. Using GaAs wafer as an absorber and an output coupler, we obtained 52-ns pulse duration of single pulse.  相似文献   
8.
We reported a passive Q-switched diode laser pumped Yb: YAG microchip laser with an ion-implanted semi-insulating GaAs wafer. The wafer was implanted with 400-keV As+ in the concentration of 1016 ions/cm2. To decrease the non-saturable loss, we annealed the ion-implanted GaAs at 500℃ for 5 minutes and coated both sides of the ion-implanted GaAs with antireflection (AR) and high reflection (HR) films, respectively. Using GaAs wafer as an absorber and an output coupler, we obtained 52-ns pulse duration of single pulse.  相似文献   
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